Оксидно-полупроводниковых — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «оксидно-полупроводниковых»
Способ изготовления оксидно-полупроводниковых
Номер патента: 371623
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: H01G 9/04
Метки: оксидно-полупроводниковых
...частиц порошка и проволоки, электрического контакта.После оксидирования анода и нанесения на его поверхность полупроводникового слоя в процессе работы и хранения готовых конденсаторов наблюдается полная потеря емкости у анода или готового конденсатора. Не соблюдаются требования надежности оксидно-полупроводниковых конденсаторов.Цель настоящего изобретения - улучшение качества соединения проволочного вывода с порошковым материалом.Для этого предложен способ обработки проволочного вывода, обеспечивающий надеж ное соединение деталей из порошкового материала с проволочным выводом. Он заключается в дополнительной обработке проволочного вывода в течение 60 - 90 мин сначала в 20 - 30% -ном растворе аммиака, затем в в 10 5%-ном водном...
Способ тренировки оксидно-полупроводниковых конденсаторов
Номер патента: 445936
Опубликовано: 05.10.1974
Автор: Хлопин
МПК: H01G 9/00
Метки: конденсаторов, оксидно-полупроводниковых, тренировки
...способу нонденсаторы выдерживают под напряжением постоянно о го тона, равным напряжению промежуточной формвони при нанесении последнего полупроводникового слоя на нонденсаторный алемент. Танталовые аноды (номинал 6 в х 100 мвф) онсидируют в водном растворе ортоосФорной кислоты при напряжении 45 в. Онси-. диронанные аноды пропитывают солью нитрата марганца, помещают н печь при ЗЗО С, а затем дополнительно 4 ормуют (для устранения дефентон, нознинших при высовотемпературном разложении нитрата марганца) н водном растворенсусной кислоты при напряжении О в . Цинл пропитна - пиролитичесное разложение - дополнительная ормовна повторяют до ЗО раз .На поверхность анодон наносят слой марганца, затем графита и, нанонец, металла методом...
Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов
Номер патента: 320209
Опубликовано: 05.08.1976
Авторы: Зыков, Панов, Прудников, Хлопин, Шляпников
МПК: H01G 9/042
Метки: конденсаторов, оксидно-полупроводниковых
...вентильных металлов, содержащих в качестве переходного электрода пров о отличающийс токов утечки конд ну того электрода смесь на основе са синтетической смо 160-180 С. дящую углеродистую краску, тем, что, с целью уменьшения енсаторов, в качестве упомяиспользуют композиционную жи, графита, этилового спирта и ы,которую полимеризуют при Известны способы изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов с анодами из вентильных металлов содержащих в качестве переходного контактного электрода проводящую углеродистую краску. Однако эти способы, использующие в качестве переходного контакта коллоидный раствор графита с последующейо сушкой анодов при температуре 150-160 С, при. водят к возрастанию тока утечки вследствие миграции частиц графита...
Способ отбраковки оксидно-полупроводниковых конденсаторов
Номер патента: 560264
Опубликовано: 30.05.1977
Авторы: Копач, Михлин, Палатник, Поздеев, Скатков
МПК: H01G 9/00
Метки: конденсаторов, оксидно-полупроводниковых, отбраковки
...одновременной подаче на них напряжения обратной полярности и производят предварительное измерение токов утечки в вакууме при напряжении прямой полярности.П р и м е р. 50 ниобиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов номинала 20 вХ р,47 мкф сушили при комнатной температуре под вакуумом 1 10- торр в течение 0,5 час, подавая напряжение обратной полярности минус 1 в, после чего в вакууме измерялиток утечки при номинальном напряжениипрямой полярности плюс 20 в. Ток утечкидвух конденсаторов превысил 100 мка, у остальных - не более 15 мка. Тренировку ипоследующие операции выполняли известнымспособом.После изготовления все конденсаторы удовлетворяли техническим условиям, в том числе0 и два отмеченных образца, ток утечки которых при...
Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов
Номер патента: 892494
Опубликовано: 23.12.1981
МПК: H01G 9/00
Метки: конденсаторов, оксидно-полупроводниковых
...сушка при одновременной подаче напряжения обратной полярности и измерение токов утечки в вакууме при напряжении прямой полярности - тренировка.П р и м е р . 150 секций ниобиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов номинала 5 В х 68 мкфзагружают во Фторопластовые гнезда металлических кассет, которые помещают в камеру напыления, где создают вакуум1 О Торр. После металлизации секций.медью и остывания их до комнатной температуры производят замер токов утечки при напряжении прямой полярности 15 В. Ток утечки у 23 секций превышает .150 мкА, а у остальных - не более 40 мкА (норма перед тренировкой)Затем производят впайку секций и изоляторов в корпуса (сборка секций). Замер токов утечки, произведенный после сборки, показывает,что среды...
Способ отбраковки оксидно-полупроводниковых конденсаторов
Номер патента: 942183
Опубликовано: 07.07.1982
Авторы: Копач, Палатник, Поздеев, Скатков
МПК: H01G 9/00
Метки: конденсаторов, оксидно-полупроводниковых, отбраковки
...в процессе отбраковки; превышение составляющер тока, определяемой диэлектрическими свойствами оксидной пленки, над зарядной составляющей тока, определяемой скоростью изменения напряжения на конденсаторе в области напряжений, близких к предельному стабильному, благодаря чему удается выявить дефектные конденсаторы с) повышеннои утечкои в сильном электрическом поле,Выявление ненадежных конденсаторов по виду временной зависимостинапряжения на конденсаторе производится следующим образом,Надежными являются конденсаторы,на которых напряжение за время тренировки) достигает значения предельного стабильного напряжения и впроцессе роста напряжения на конденсаторе не наблюдаются броски напряжения в сторону уменьшен.я (кривая 1),Ненадежными...
Устройство для сборки анодов оксидно-полупроводниковых конденсаторов с резиновыми экранами
Номер патента: 974433
Опубликовано: 15.11.1982
МПК: H01G 13/00
Метки: анодов, конденсаторов, оксидно-полупроводниковых, резиновыми, сборки, экранами
...валом 30,на котором установлена однооборотная 4 Омуфта 32, управляемая электромагнитом 33 и конечными выключателями34 и 35. Вал 30 соединен зубчатойпередачей 36 механизма 9 блокировки,имеющей передаточное число одно кдвум, с валом 37, на котором установлен кулачок 38 с возможностью взаимодействия с переключателем Привод9 снабжен предохранительной муфтой 40.Для обеспечения механизации последующих стадий технологическогопроцесса производства кондеисаторовустройство снабжено технологическойрейкой 41, предназначенной для последующей приварки к ней выводованодов 7 конденсаторов.Устройство работает следующим образомПри включении привода 8 вращениечерез цепную передачу 12 передается валу 11 механизма 3 отрезки резинового экрана 4, на...
Способ изготовления алюминиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов
Номер патента: 1005204
Опубликовано: 15.03.1983
Авторы: Круглов, Резников, Салякин, Учуваткин
МПК: H01G 9/00
Метки: алюминиевых, конденсаторов, оксидно-полупроводниковых
...двуокиси марганца вследствие егоконечного сопротивления (л 100 Ом)Гобуславливает токоограничение при приработке конденсаторов, которое не позволяет развиваться процессу разрушениятоком термоэмиссии области отрицательного заряда в объеме окисла и, следова 1005 гельно, не выявляет все потенциальноненажежные образцы,Цель изобретения - повышение стабильности электропараметров конденсаторов.Поставленная цель достигается тем, 5что согласно способу, включаюшему термообработку конденсаторов пож напряжениемпри 80-90 С, термообработку проводятв течение 2 ч, причем после первого часавыдержки конденсаторов пож напряженнем 16производят отключение напряжения на 3) мин,П р и м е р, По жействукяпей технологии изготавливают несколько...
Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов
Номер патента: 1083247
Опубликовано: 30.03.1984
Авторы: Гаревский, Гофман, Гудин, Резников, Фирсов, Яковлев, Яровой
МПК: H01G 9/042
Метки: конденсаторов, оксидно-полупроводниковых
...контакта к каждому аноду при плотном расположении их в группах сек 47ций представляет сложную техническуюзадачу.Кроме того, в процессе механического прижима электрического контактак поверхности анодов возможно нарушение покрытия и увеличение доли бракованной продукции.Цель изобретения - повышение производительности процесса,Указанная цель достигается тем,что согласно способу изготовленияоксидно-полупроводниковых конденсаторов, включающему нанесение проводящего слоя на секции конденсаторов изсуспензии с последующей металлизацией этого слоя для припаивания катодных выводов, нанесение проводящего слоя осуществляют из суспензии,содержащей лак, графит и порошокактивного металла, выбранного изгруппы, включающей алюминий, цинки железо,...
Способ разбраковки секций оксидно-полупроводниковых конденсаторов
Номер патента: 1109817
Опубликовано: 23.08.1984
Авторы: Круглов, Салякин, Учуваткин
МПК: H01G 9/00
Метки: конденсаторов, оксидно-полупроводниковых, разбраковки, секций
...связи между значениями 1 ов секциях и Со готовых 50иэделий. Укаэанные недостатки не позволяют выявлять изделия, не соответствующие требованиям технических условий по уровню 11.Цель изобретения - снижение трудоемкости изготовления конденсаторов.Цель достигается тем, что согласно способу разбраковки секций оксидно-полупроводниковых конденсаторов, включающему токоподвод к секциям с 6 Опоследующим измерением электропараметров, токоподвод осуществляют погружением в жидкий сплав с температурой плавления 45-150 С, причем измерение электропараметров осуществляют после отверждения сплава при темпеРатУРе 20-30 С,Использование сплаврв с температурой плавления ниже 150 С обусловленотем, что при воздействии на секцииболее высоких температур...
Устройство для сборки оксидно-полупроводниковых конденсаторов, механизм для установки изоляторов на выводы секций оксидно-полупроводниковых конденсаторов и механизм для установки шайб припоя в корпуса оксидно п
Номер патента: 1262586
Опубликовано: 07.10.1986
МПК: H01G 13/00
Метки: выводы, изоляторов, конденсаторов, корпуса, механизм, оксидно, оксидно-полупроводниковых, припоя, сборки, секций, установки, шайб
...упругого материала (резины). Под лотком вибробункера 36 размещены центрирующие гребенки 43 и 44. Приводной механизм 2 содержит кулачковые валы 45 и 46, которые управляют движением всех механизмов устройства посредствем кинематических связей в виде рычагов . и толкателей.Механизм для установки изоляторов 34 на выводы 27 секций конденсаторов содержит лоток 47 вибробункера 35, соединенный гибкой тягой 48 с электромагнитным вибратором 49. Лоток 47 имеет воэможность качания относительно оси 50, величина которого ограничена винтом 51, На нижней поверхности лотка 47 выполнен паз 52, дно 53 которого имеет скос 54, направленный в сторону установленных на выходе лотка 47 элементов фиксации изоляторов 34, выполненных в виду двух призматических...
Устройство для нанесения покрытия на изделия, преимущественно на аноды оксидно-полупроводниковых конденсаторов
Номер патента: 1582218
Опубликовано: 30.07.1990
Автор: Осауленко
МПК: B05C 3/09, H01G 13/00
Метки: аноды, изделия, конденсаторов, нанесения, оксидно-полупроводниковых, покрытия, преимущественно
...закреплены в технологическойкассете 18, :4 ОУстройство работает следующимобразом,Цилиндрическую кассету 18 с аноца-.ми приводят в горизонтальное положение, Внутреннюю ванну 1 из вертикального переводят в горизонтальное положение до упора, настроенного на соответствующую глубину погружения аноцов,и подают технологический раствор вванну 1 по трубке 11 через ее боковыеотверстия 12, Раствор заполняет ванну1, а избыток его стекает через противсположный борт ванны на перегородку9 наружной ванны 2 и далее по патрубку 13 в сливной бак под ванной (непоказан). Вращая кассету 18 с анодами вокруг горизонтальной оси, наносяттехнологический раствор на аноды последовательно ряд эа рядом, Затем подачу раствора прекращают, ванну 1 поворачивают в...
Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов
Номер патента: 1398679
Опубликовано: 10.05.1997
МПК: H01G 9/00
Метки: конденсаторов, оксидно-полупроводниковых
Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов, включающий спекание объемно-пористых анодов из вентильных металлов, их оксидирование, нанесение полупроводникового слоя путем пиролитического разложения и слоя металла платиновой группы, отличающийся тем, что, с целью снижения токов утечки, нанесение слоя металла платиновой группы проводят перед нанесением полупроводникового слоя путем электрохимического осаждения в течение 3 5 мин.