Параметровглубоких — Метка (original) (raw)

Патенты с меткой «параметровглубоких»

Способ измерения параметровглубоких центров b полупроводниках

Номер патента: 813329

Опубликовано: 15.03.1981

Метки: параметровглубоких, полупроводниках, центров

...б, индуктивность7 развязки,Измерение зарядового состоянияглубоких центров в области объемного заряда осуществляют частичнымуменьшением напряжения смещения нар-и переходе образца б от значенияОдо Ощ при помощи источника 1 ступенчатого напряжения, Контроль комплексного сопротивления осуществляютс помощью моста 4 полных проводимостейи индикатора 3 баланса моста. В плечо сравнения моста 4 включают параллельную йб-цепочку, комплексное сопротивление которой принимают заКонтроль баланса моста осуществляютпо фазе комплексного сопротивленияВремя достижения баланса моста в хо.де релаксации комплексного сопротивления измеряют измерителем 2 времени.Индуктивность 7 и емкость 5 служатэлементами развязки цепей постоянного и переменного...