Полупро-водниковых — Метка (original) (raw)

Патенты с меткой «полупро-водниковых»

Устройство для измерения удельногосопротивления высокоомных полупро-водниковых материалов и временижизни свободных носителей toka

Номер патента: 813210

Опубликовано: 15.03.1981

Метки: временижизни, высокоомных, носителей, полупро-водниковых, свободных, удельногосопротивления

...и анализатора 13 импульсов (канал построения статистического распределения). С выхода импульсного детектора 12 выпрямленное напряжение, пропорциональное амплитуде входного импульса, поступает на вход У самописца 14, на вход Х которого подается напряжение, пропорциональное координате зондируемого участка полупроводника 6 с механизма 7 перемещения. Так происходит построение геометрического распределения удельного сопротивления. 10 20 25 Эо 35 40 45 50 55 Измерение статистического закона распределения у осуществляется анализатором 13 импульсов в режиме амплитудного анализа, который производит построение зависимости числа импульсов с данной амплитудой Л (с данным удельным сопротивлением) от величины амплитуды, т. е. построение...

Устройство для моделирования распре-деления носителей заряда b полупро-водниковых структурах

Номер патента: 824234

Опубликовано: 23.04.1981

Автор: Войнов

МПК: G06G 7/48

Метки: заряда, моделирования, носителей, полупро-водниковых, распре-деления, структурах

...достигается тем,что в известное устройство, содержащее п ячеек, каждая из которых состоит из двух источников тока, диф- .3 О фузии и дрейфа носителей, входы котощего влияние гецерации-рекомбинации в структуре определяется общеизвестными соотношениями 3 .Определяемые разности потенциалов в схеме устройства фиксируются с помощью вольтметров и осциллографов.Включение резисторов, моделирующих дрейфовый ток носителей заряда структуры параллельно емкости, определяющей изменение электростатического потенциала за счет тока смещения и использование источников тока, . учитывающих влияние концентрации дырок и электронов, а также отражающих влияние распределения концентрации легирующих примесей на электростатический потенциал позволяет осуществлять...