Проводящем — Метка (original) (raw)

Патенты с меткой «проводящем»

Способ измерения толщины изоляционных покрытий на проводящем немагнитном основании токовихревым методом

Номер патента: 561079

Опубликовано: 05.06.1977

Метки: изоляционных, методом, немагнитном, основании, покрытий, проводящем, токовихревым, толщины

...достигается тем,что после усиления преобразуют нелинейно одновременно амплитуду и фазувносимого напряжения и по разностимежду логарифмом амплитуды преобразованного сигнала и логарифмом тангена фазы этого сигнала, деленной попоам, определяют искомую величину.Над контролируемым основанием снанесенным на него изоляционным покрытием располагают токовихревой накладной преобразователь и питают его отгенератора переменного тока. Напряжение холостого хода преобразователякомпенсируют компенсатором переменного напряжения и вносимое контролируеьым изделием напряжение преобразователя пропускают через усилитель пере56 1079 Составитель АндриевскийРедактор Б.федотов Техред Н.Андрейчук Корректор М,Демчик Заказ 1559/146 Тираж 907 ПодписноеЦНИИПИ...

Токовихревое устройство для измерения толщины диэлектрических покрытий на немагнитном проводящем основании

Номер патента: 567086

Опубликовано: 30.07.1977

Авторы: Будкин, Вяхорев, Трахтенберг, Фоменко

МПК: G01B 7/06

Метки: диэлектрических, немагнитном, основании, покрытий, проводящем, токовихревое, толщины

...преобразователя, а фазочувствительный детектор 8 - в фазе, причем его выходное напряжение имеет противоположную полярность относительно выходного напряжения фазочувствительного детектора 7. Напряжение с выходов детекторов суммируется сумматором 11. Кроме того, выходное напряжение детектора 7 активной составляющей напряжения преобразователя преобразуется ключом 9 и блоком 13 нелинейной функции у=хе- и суммируется дополнительным сумматором 12 с выходным напряжением сумматора 11. Выходное напряжение дополнительного сумматора 12 регистрируется индикатором 10 толщины диэлектрических покрытий. Увеличение точности измерения толщины покрытия при малых значениях удельной проводимости основания доспигается путем дополнительного...

Способ контроля распределения пористости по площади диэлектрических пленок на проводящем основании

Номер патента: 1627926

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Грицай, Кузнецов

МПК: G01N 15/08

Метки: диэлектрических, основании, пленок, площади, пористости, проводящем, распределения

...электролиза, когда замкнконтакты 8 и 9,и после, когдаты контакты 8 и 10. Источник 7ния создает необходимое напряждля проведения электролиза. Ионошению этих емкостей судят оделении пористости по площадиролируемой пленкиПри проведении электролиза происходит выделение газа из пор контролируемой диэлектрической пленки, который вытесняет электролит, находящийся между контролируемой и беспористой диэлектрическими пленками, врезультате чего уменьшается площадьпленки электролита между ними, а следовательио,и емкости конденсаторов,образованных металлическими электродами, покрытыми беспористой диэлектрической пленкой и слоем электролитамежду контролируемой и беспористойдиэлектрическими пленками, Таким образом, существует прямая связь...

Емкостный способ измерения толщины покрытий на проводящем основании

Номер патента: 1634988

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Королева, Мачевская, Овчаренко, Ступин, Уткина, Федорова

МПК: G01B 7/06

Метки: емкостный, основании, покрытий, проводящем, толщины

...определяют толщину покрытия по формуле приведенной в описании. Способ обладает высокой чувствительностью и воспроизводимостью результатов, а также позволяет измерять толщину покрытия с высокой точностью (погрешность 5 ь),Емкость между элсктродом измерительного устройства, выполненным иэ амальгамы и подложкой зависит от толщины контролируемого покрытия. Измерения емкости производят импедансометром или мостом переменного тока в диапазоне частот 10 - 100 кГц,Плохопроводящие покрытия, например хроматные, имеют двуслойную структуру (слой Я и слой), причем слои различаются своими злектрофизическими характеристиками, Слой 5 имеет характеристики, не зависящие от частоты, и является оксидным подслоем, Характеристики слоя К частотно- зависимы и...