Субмикронными — Метка (original) (raw)

Патенты с меткой «субмикронными»

Способ детектирования запыленности инертных и электроположительных газов субмикронными частицами

Номер патента: 1513393

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Загнитко, Кирш, Кокарев, Соленков

Метки: газов, детектирования, запыленности, инертных, субмикронными, частицами, электроположительных

...45кривой судят о нижнем пределе и флуктуациях запыленности инертных и электроположительных газов субмикроннымичастицами, Микроамперметр 9 измеряетвеличину электронного тока= 50=Е и соответственно проводимостиб в зоне зарядки,Расчет малой эапыэенности производится следующим образом.В диапазоне Е100-500 В/см прио г=совзГ измевеви: 1 .т : с постаточной для првкики точностью можноаппрокимирвать ливеиной анисимовстьк То е (1) где с - константа;1 - ток переноса при Е=О,Величина 1 практически совладаетовеличиной тока переноса частиц 1 , заряженных униполярвыми ионами для Е - О и ; г= ( г, так как при Е -0 температура электронов Т - Те и электронь находятся в равновесии с молекулами газа (Т - температура газа, 8 - ионная проводимость...

Способ регистрации индикатрис рассеяния света субмикронными частицами в движущихся средах

Номер патента: 1516911

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Герасименко, Исаков, Мазанов, Плетнев, Чеботко

МПК: G01N 21/47

Метки: движущихся, индикатрис, рассеяния, регистрации, света, средах, субмикронными, частицами

...облучениерассеивающей среды осуществляют световым пучком с дискретным лицейчатымспектром, таким, что на цеперекрывающиеся участки зоц спектральнойчувствительности, соответствующие отдельным слоям эмульсии регистрирующего фотоматериала, приходится неболее одной спектральной линии, аспектральные линии с длинами волн,соответствующими перекрывающилсяучасткам этих зон, отсутствуют, химическую обработку экспоцированногофотоматериала производят так, чтоиспользуемые светочувствительныеслои имеют стандартные световые характеристики, а фотометрическую обработку зарегистрированного изображе -ния производят с использованием,стандартного источника белого светас непрерывным спектром и зональныхсветофильтров,3ческую кассету 4 с фотопленкой...

Способ изготовления полупроводникового прибора с субмикронными размерами управляющего электрода

Номер патента: 1407325

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Айзенштат, Игнатьев, Кожинова, Романова

МПК: H01L 21/34

Метки: полупроводникового, прибора, размерами, субмикронными, управляющего, электрода

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С СУБМИКРОННЫМИ РАЗМЕРАМИ УПРАВЛЯЮЩЕГО ЭЛЕКТРОДА, включающий создание омических контактов, формирование первого и второго маскирующих слоев, один из которых является металлом, с субмикронным зазором между ними, электрохимическое осаждение дорожки управляющего электрода, удаление маскирующих слоев, выделение на полуизолирующей подложке активной области прибора, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности металлических дорожек управляющего электрода, выделение на полуизолирующей подложке активной области проводят перед созданием омических контактов, электрохимическое осаждение металлической дорожки управляющего электрода проводят одновременно на активную область прибора и на...