Бродницкая — Автор (original) (raw)

Бродницкая

Способ параметрического контроля мдп-интегральных схем

Номер патента: 1674022

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Бродницкая, Левковец, Мельницкий, Соболева

Метки: мдп-интегральных, параметрического, схем

...и к отказу микросхем.П р и м е р. На автоматическом изме" , рительном стенде произнсдят Измеренияпороговых напрякений и крутизн контрольных тестовых транзисторов В 10 микросхе" мах на пластине, Для 0 измеренных контрольных тестовых транзисторон Опредвено значение седней величины поро-О- вых напряжений .Г=1 (Б) и определена величина среднеГО КВВГцатического Откло" нения (СКО) гто =0,2 (Б), Среднее значение крутизны вольт-амперной караю еристики (БАХ) ф 1 измеренных тестовых транзисторов составило 21,4 м(А/Б со средним квадратическим Отклонением 0,43 мкА/Б, Рассчитали по известной формуле коэффлциенты вариации порогсных напряжений ( )Ъ ) и (., ) Крутиэнь, Которые соотнеггтвенно равны ) .1%) . 2 С( Их отношение К=)л / у, составило...