C30B 31/00 — Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей (original) (raw)

193439

Номер патента: 193439

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: C30B 31/00

Метки: 193439

...стиллирова каливают в перемешиельного меупарнвают, - 4 раза диб 0" С и пров 500 С. Пр зооретен чнческнхвведенн- отличаютической кристал х метал- который сталлов ПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ П ПОРОШКОВ НЕОРГАНИЧ Известный способ легирования поликристаллических порошков неорганических соединений состоит в том что в шихту поликристаллов вводят фториды редкоземельных металлов. Однако этот способ не позволяет получать монокристаллы с высокой оптической и кристаллической однородностью.С целью устранения указанных недостатков, предлагается в качестве солей редкоземельных металлов использовать раствор хлоридов, который вводят в процессе получения поликристаллов неорганического соединения.П р и м е р. Углекислый кальций квалификации ЧДА пропитывают...

Способ управления стехиометрическим составом кристаллов полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды у1 группы

Номер патента: 684810

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Георгобиани, Котляревский, Лавров, Михаленко, Урусов

МПК: C30B 31/00

Метки: группы, кристаллов, металлоиды, полупроводниковых, содержащих, соединений, составом, стехиометрическим, цинка

...Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для управления стехиометрическим составом кристаллов полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды Ч 1 группы.Известен способ управления стехиометрическим составом кристаллов полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды Ч 1 группы, включающий отжиг кристаллов в парах металлоида при давлении 0,01-3 атм и температуре 200-1200 С.Недостатком указанного способа является то, что он не позволяет получать кристаллы полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды 71 группы, с проводимостью. дырочного типа...

Устройство для диффузионного легирования

Номер патента: 1588813

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Ашкинази, Войтович, Золотаревский, Потешкина, Шульга

МПК: C30B 31/00

Метки: диффузионного, легирования

...1 ил. в зазоре между которыми размещена ,лигатура 4. В камере 1 расположены защитные экраны 5, выполненные из кварца, алунда или арсенида галлия. Между экранами 5 размещены попарно полупроводниковые пластины 6 нерабочими стрронами одна к другой, Между каждой парой пластин 6 установлены прокладки 7 из графита. Камера 1 выполнена из графита с плотностью 1,72-2,05 г/Ьм.Устройство работает следующим образом.Собранную камеру размещают в кварцевом реакторе, имеющем нагреватель .и систему подачи и вывода инертного1588813 15 20 ФОрмула изобретения 1, Устройство для диффузионного леГирования, содержащее камеру сСоставитель В, Захаров-Черенкотрова Техред Л.Олийнык едакто Корректор О, Кравцов Заказ 2518 Тираж 344 Подписное ВНИИПИ Государственного...

Способ термообработки полупроводниковых пластин

Номер патента: 1599449

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Головко, Корзинкин, Мытарев, Оксентьевич, Фомин

МПК: C30B 29/06, C30B 31/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термообработки

...со стороны загрузки подают предварительно закрученный инертный газ - азот с расходом до 300 л/ч,Рабочую зону реактора подогреваютдо 900-1100 С. В процессе пирогенного окисления в реактор со стороны,противоположной загрузке, подают пары воды, которые образуют сжиганиемводорода с расходом 600 л/ч в кислороде с расходом 400 л/ч с добавлением хлористого водорода в количестве15-20 л/ч,В процессе проведен япластин отработанную п1599449 формула изобретения Составитель В, Безбородова Техред И,Иоргентал Корректор А, Пбручар Редактор Л. Веселовская Заказ 3123 Тираж 346 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент",...

Способ получения монокристаллов in sb lt; bigt;

Номер патента: 1360266

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Васильков, Дорошенко, Ковалев, Собина, Стоян

МПК: C30B 13/00, C30B 29/40, C30B 31/00 ...

Метки: биgt, монокристаллов

Способ получения монокристаллов In Sb путем выращивания зонным выравниванием из раствора-расплава In Sb-In2Bi в контейнере, включающий создание расплавленной зоны и ее перемещение, отличающийся тем, что, с целью улучшения структуры монокристаллов за счет уменьшения плотности дислокаций, контейнер используют из несмачиваемого расплавом материала и вращают со скоростью 60-120 об./мин, а расплавленную зону перемещают со скоростью 0,2-3,8 мм/ч.