Дамбраускене — Автор (original) (raw)

Дамбраускене

Связующее для покрытия корректирующего материала для машинописи

Загрузка...

Номер патента: 1113279

Опубликовано: 15.09.1984

Авторы: Дамбраускене, Крылов, Морев, Смирнов, Хайкин, Штрейс

МПК: B41M 1/00

Метки: корректирующего, машинописи, покрытия, связующее

...маскирующей способности,Понижение же содержания этихэфиров целлюлозы ниже указанногопредела нарушает когезионное взаимодействие в слое и приводит кпотере корректирующей способностиматериала.Предложенное связующее для покрытия корректирующего материала длямашинописи используют в композициях с белым пигментом на основекак чистой двуокими титана, так ис добавками до 30 мас.Е других белыхпигментов, таких как окись цинка,бланфикс каолин, тальк и другие.Содержание белого пигмента в покрьггии составляет 96,5-98,5 мас.7.Корректирующий материал изготавливают следующим образом.В аттриторе диспергируют в течение 0,5 ч необходимые количествабелого пигмента, 57-ного водногораствора метилцеллюлозы или метилоксипропилцеллюлозы и...

Электрофотографическая пластина для многократного использования

Загрузка...

Номер патента: 934442

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Баерас, Дамбраускене, Каравацкас, Круконене, Пузинене, Саусенис

МПК: G03G 5/08

Метки: использования, многократного, пластина, электрофотографическая

...сухоговещества связующего - от 80:20 до87,5:12,5.Оптимальное соотношение компонен- Зф тов фотополупроводникового слоя(вес.7. сухого вещества);Окись цинка 83,31Силиконовая смола 8,33Акриловые сополимер 8, 33 И Динитрил азоизомасляной кислоты 0,03Динитрил азоизомасляной кисиоты способствует лучшему пленкообразованию фотополупроводникового слоя. Роль инициирующих количеств ДАК сводится к возможному образованию свободных радикалов, способных в условиях изготовления фотопроводящего состава45 и формования пленки инициировать попимеризационный процесс,.В результате возрастания молекулярной массы (что подтверждают вискозиметрические исследования силиконовых смол и акрило 50 вых сополимеров) и других структурных изменений образующаяся пленка...