Еросов — Автор (original) (raw)

Еросов

Магниторезистор

Загрузка...

Номер патента: 882362

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Апостолов, Еросов, Климовская, Панаетов, Панчина

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

...вектору В магнитной индукции; 10 15 20 50 25 30 35 40 45 Кроме того, такой рассеянный СНЗбудет дрейфовать в направлении внешнего электрического поля ,Каждый СНЗ имеет свой набор характеристических параметров (ХП), который определяет скорость 7 и эффективную массу в СНЗ. При рассеянии СНЗхотя бы по одному из своих ХП изменяются У и/или 1 л и, следовательно,радиус окружности г, по которой движется СНЗ в однородном магнитйом поле , перпендикулярном к направлению 7, В таком поле СНЗ с абсолютнойвеличиной зарядапод действиемсилы Лоренца движется по окружностипостоянного радиуса. Если расстояние ь между омическими контактами выполнено сравнимымс одной из характерных длинсвободных носителей заряда в примесном полупроводнике, то в таком...

Термометр сопротивления

Загрузка...

Номер патента: 1118872

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Еросов, Климовская, Прима, Снитко

МПК: G01K 7/22

Метки: сопротивления, термометр

...проводимости полупроводника в магнитном поле,Если поперечные размеры полупроводникового элемента в указаннойплоскости примерно равны наименьшейиз диффузионных длин, то понижениечувствительности к магнитному полюбудет максимально, так как движениесвободных носителей в плоскости,нормальной линии, соединяющей контакты, происходит без релаксации любогоиз характерных параметров и приводитк возникновению градиента концентрации носителей со всеми характернымипараметрами,Снижение чувствительности к магнитному полю наблюдается при всехзначениях скорости релаксации характерного параметра на боковых поверхностях чувствительного элементатермометра. Однако при больших скоростях релаксации будет происходитьчастичное разрушение градиента...