G01n 21/22 — G01N 21/22 — МПК (original) (raw)
Способ определения химической стойкости каучуков и резин
Номер патента: 357846
Опубликовано: 25.02.1975
Авторы: Богатков, Красовицкий, Шевченко, Шпайзман
МПК: G01N 21/22
Метки: каучуков, резин, стойкости, химической
...этого в смеси для гуммирования добавляют органические люми нофоры, например 1-фенил- (2-метоксифенил) -3- 1,8-нафтоилен,2-бензимидазолил- (5 пиразолин-Л или фенилгидразид 4-(1,5- дифенил-Л 2-пиразолинил) нафталевой кислоты.0 Исследование материалов для гуммированияна проницаемость кислых агрессивных сред химического производства люминесцентным методом заключается в воздействии агрессивной среды на любую смесь материалов для 25 гуммирования с введением в них органическихлюминофоров с последующим наблюдением изменения степени люминесценции материала.Для определения степени люминесценцииматериалов для гуммирования испытуемый 30 образец с замеренной толщиной закладываПредмет изобретения Составитель О. Лукоянова Текред О, ГуменюкКорректор О....
Способ количественного определения трихлорметилсульфенилхлорида
Номер патента: 463042
Опубликовано: 05.03.1975
Авторы: Ильичева, Илюхина, Кузьмина, Полякова
МПК: G01N 21/22
Метки: количественного, трихлорметилсульфенилхлорида
...и довоом йодистого каруют на фотоэлектроко,0 см с синим светоояг обычным пуаствора трихлорнзоле.0,1 мкг/л, ошиб 45 мин,Способ количественно хлорметплсульфепилхло ется в экстракции трнхл рида из пробы органич например бензолом, обр тоновым раствором йод дующим фотометрирова си и определением кон го опред рида в в орметилс еским р аботке э истого к нием по центраци ел ия три- аключа- еннлхлорителем, кта ацес посленой сме- ихлормедм ст изобрсте ульф ство стра лия учен и тр Способ количес хлорметилсульфен стракции его орга пример бензолом, его реагентом, да :ометрированпем(72) Авторы изобретения Р. Ф. Илюхина, В. М Изобретение касается аналитического контроля производства фунгицидов, а именно количественного определения...
Способ фотометрического анализа газов
Номер патента: 491087
Опубликовано: 05.11.1975
МПК: G01N 21/22
Метки: анализа, газов, фотометрического
...сигнала во времеви при обработке индикаторной ленты пробой газа, содержащей анализируемый компонент.Крцвая 1 описывает процессы, процсходящце ца ленте без ее дополнительного увлажнения илп высыхания; кривая 2 - процессы прц наличии дополнительного увлажнения; кривая 3 - процессы при высыхании индикаторной ленты; 1,1 э - времена достижения эталонного сигнала при,первом облученци; 1, 1;, 16 - времена достижения эталонного сигнала прц втором облучении; 1( - эталонный сигнал.Для реализации способа задаются этало цым сигналом, цачрцмер нулевой сигнал Ъз прцооря, оолучают индикаторную ленту сзатосвым потоком прц одновременной обработке се пробой газа. Прц достижении равенства выходного сигнала эталонному (точкц Уз) ленту облучают световым...
Фотоколориметрический газоанализатор
Номер патента: 512410
Опубликовано: 30.04.1976
Авторы: Корсунский, Нестеров
МПК: G01N 21/22
Метки: газоанализатор, фотоколориметрический
...содержащие корпус кюветы, вводные и выводные газожидкостные каналы, штуцеры, не обеспечивают достоверности измерения оптической ооластп из-за влияния капель реактива, попавшего на фотоприемник при барботаже исследуемого газа через реактив.Целью изобретения является исключение влияния капель барботирующего раствора на результат фотометрирования.Цель достигается тем, что кольцевое ухоотделительное устройство размеще а внутренней крышке газоанализатора, иально фотоприемнику.На чертеже изображен предлагаемый газо- анализатор, где 1 - крышка кюветы газоанализатора, 2 - канал ввода анализируемого газа, 3 - канал ввода реактива, 4 - кольце- видное воздухоотделительное устроиство, 5 - фотоприемник, 6 - канал вывода отработанного...
Оптико-акустический газокомпенсационный газоанализатор
Номер патента: 519619
Опубликовано: 30.06.1976
Авторы: Агранов, Биншток, Павленко, Салль, Санкин, Шутов, Юсупов
МПК: G01N 21/22
Метки: газоанализатор, газокомпенсационный, оптико-акустический
...закорочен на один из его крайних выводов.Подвижный контакт реохорда механическиперемещается реверсивным двигателем датчика таким образом, что при увеличении концентрации определяемого компонента сопротивление между крайними выводами реохордавозрастает. Показания регистрирующего прибора при этом монотонно увеличиваются,Однако описанная измерительная схема применима лишь в случае линейной градуировочной характеристики (т. е. прямой пропорциональной зависимости между показаниями прибора и концентрацией определяемого компонента). У оптико-акустических газокомпенсационных газоанализаторов градуировочнаяхарактеристика не является линейной, Напр р, в промышленных газоанализаторах ти ОА, ОА, ОА, ОАТ и других приборах с газовой компенсацией...
Инфракрасный анализатор
Номер патента: 519620
Опубликовано: 30.06.1976
Автор: Салль
МПК: G01N 21/22
Метки: анализатор, инфракрасный
...указанные постоянные, В это случае Сравна сумме теплоемкости нагревателя 15 и газа в полости 16. Тепловая проводимость бприблизительно равна удвоенной тепловой проводимости охлаждения 6 о нагревателя 15.Испо;ьзуя формулы (1), (2) и (5), получим (l =- фа1 аа, (,ас)1 1+," Э;фа(6)ЭКЕ у,2При увеличении коэффициента преобразования А в пределе получимйЭа ) С 1 н(Са)2 Уа 6 а -1- (ыС)а 1 1+Таким образом, напряжение К а следовательно и выходной сигнал газоанализатора, практически не зависит от температурной чувствительности приемника и коэффициента преобразования электрической схемы газо- анализатора, если произведение Ы, подо- орать достаточно большим.Подбирая элементы и параметры источника постоянного тока, можно добиться необходимого...
Микрозондовое устройство для анализа микрорельефа
Номер патента: 557299
Опубликовано: 05.05.1977
Авторы: Бернштейн, Васичев, Мурашко, Тупик
МПК: G01N 21/22
Метки: анализа, микрозондовое, микрорельефа
...устройство (ВКУ), а также экраны, перемешаюшиеся по исследуемому полю и предназначенные для установки углов отражения вторичных электро нов, по которым находят высоту рельефа ис д следуемого образца, Это устройство имеет очень низкую точность,измерений и не позволяет визуально контролировать микрорельефИзвестно устройство для исследования рельефа полупроводниковых пластин, содэржа 20 шее РЭМ с блоками развертки луча, детей торы первичных и вторичных электронов, уси лители и анализатор иэображения 12.Известное устройство позволяет оценить высоту рельефа на пластине лишь качествен-Я 5 но путем сравнения измеренных тической плотности изображении .фаповерхности объекта в исследу с эталонными значениями, соотв дискретным значениям величийы...
Способ измерения содержания фенолов в органических растворителях
Номер патента: 603886
Опубликовано: 25.04.1978
МПК: G01N 21/22
Метки: органических, растворителях, содержания, фенолов
...обладаной погрешностью измерений, содержатчисло оперой и требуют значительных Цель изобретения - повышениределения эа счет исключения влиянителя. Это позволит значительно повысить точность определения содержания фенолов в растворителе и упростить способ,Способ заключается в следующем. Используе. мый растворитель после предварительной фильтрации от эмульсионной воды и механических примь сей подогревают до 60 - 90 С и помешают в кюве. ту ИК-фотометра, имеющего аналитическую длину волны 2,98 - 302 мкм, а сравнительную 2,62- 2,68 мкм. Далее определяют разность оптических плотностей ЬЗ на аналитической. и сравнительной волнах. Искомую концентраци С находят иэ выра. женил С=ЬЗ(К 6-6 где К - коэффициент погло. щения фенолов в...
Устройство для измерения быстрых изменений круговогодихроизма
Номер патента: 635412
Опубликовано: 30.11.1978
Автор: Твердохлебов
МПК: G01N 21/22
Метки: быстрых, изменений, круговогодихроизма
...модуляторе ., рабочие частоты которого лежат в области 20 - 50 кГц, причем мод лир ется один 1:. Тот же пчо:. плоскополярпзованного света.Целью изоб етения является уменьшение времени ре-.истрации в ходе реакций, воемя "Олупревоащения которых менее 1 се: - : зств 1:те. - .-.Ости такой регистрации.г - ;,влек;-;,;, достигается тем,дактор лада 1)сктор И. Снмкнна каз 85111269 НПО Гос 1 ад "арственного коганМосква,730 Т:;рак 1080 тета СССР во е анвооретенн Ъ;-35 Раущскан нао. д. 4/5 рьк, фнл. Пред. Патент Подписноей н отк 15 ьпн 1 Тин,подвжиые етвертьволцовьеза которымп расположена обшая для обоих пучков кювета и два рот,детектора. Итасмые общим источником .: Инхро:Ио ., оду- ЛИРУСМЫЕ ПО аМПЛИтУДЕ 00 ЦИМ ГЕс-.ВТОРОМ наир 5 жеция Высокой...
Устройство для определения интегральной поглощательной способности зеркальноотражающих материалов
Номер патента: 702278
Опубликовано: 05.12.1979
МПК: G01N 21/22
Метки: зеркальноотражающих, интегральной, поглощательной, способности
...зеркало 4, которое в положении 1 посылает луч 11 на внут- .реннюю поверхность 6 образца 5. Далее луч 1 многократно отражается от внутренних поверхностей 6 и 8 и снова падает на зеркало 4, после отражения от зеркала 4 попадает на зеркало 3, которым направляется на приемник 10 излучения. В положении 6 зеркала 4 луч 12, отраженный от зеркдла 4, падает на внешнюю по.78верхность 9 образца 7, от которого он однократно отражжтся и попадает снова назеркало 4 и далее, отразившись от зеркал4 и 3, направляется на .приемник 10 из-лученияСигнал приемника 10 излучения примногократном отражении луча 11 от поверхностей 6 и 8 пропорционален отражательной способности материала в степени,равной числу й отражений, т.е. С 1= К й".При однократном отражении...
Способ измерения оптического поглощенияв покрытиях
Номер патента: 730084
Опубликовано: 07.08.1981
Авторы: Бурыкин, Зверев, Скворцов, Фомичев
МПК: G01N 21/22
Метки: оптического, поглощенияв, покрытиях
...и абсолютной величинойпоглощения А на длине волны излуРчения . определяется следующим обРраЖи. Покрытие облучается лазернымизлучением, длина волны которого АК,калибровочная длина волны, выбирается такой, чтобы покрытие обладало достаточным поглощением Адля возможности его измерения традиционным,например, спектрофотометрическимспособом. В этом случае приемное устройство регистрирует тепловое излучение 01 при воздействии на покрытиелазерного излучения со средней мощностью Р .Для проведения измерений оптического поглощения покрытий таким способом необходимо, чтобы покрытие наносилось на подложку, приготовленнуюиз материала, обладающего достаточной степенью прозрачности на длинахволн излучения 3 р и ) к, Тогда поглощение покрытия на длине...