С регенерацией заряда, общего для множества ячеек памяти, т.е. внешнее восстановление — G11C 11/403 — МПК (original) (raw)

Регенератор для накопителей на приборах с зарядовой связью

Номер патента: 469991

Опубликовано: 05.05.1975

МПК: G11C 11/35, G11C 11/403

Метки: зарядовой, накопителей, приборах, регенератор, связью

...5 инжектора, управляющим электродом 6, входным электродом 8 и соединен с шиной источника питания 10. Второй дополнительный электрод 14 соединен с третьей тактовой шиной 15 и зарядно связан с затвором 2 и электродом 6. Первый электрод служит для промежуточного хранения регенерированного заряда 16, второй - для экстракции этого заряда.Работа схемы иллюстрируется на фиг. 2, Сечение вертикальной плоскостью параллельной линии распространения заряда 17 поясняет координаты х на эпюрах поверхностного потенциала р. С приходом импульса по тактовой шине 11 из области 4 через электрод 5 под электрод промежуточного хранения 13 инжектируется регенерированный заряд 16. Одновременно в исток МДП-транзистора 1 поступает информация из предыдущего разряда...

Устройство регенерации информации для динамического блока матричной памяти

Номер патента: 780035

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Ваврук, Елагин, Жижин, Тимофеенко, Филимонов

МПК: G11C 11/403

Метки: блока, динамического, информации, матричной, памяти, регенерации

...которого соединен с 40 входом счетчика 5 адреса регенерации.Устройство работает следуюцим образом.На вход блока 7 синхронизирующих импульсов постуйают сигналы СБРОС, 4 ПУСК и ЗАПРОС РЕГЕНЕРАЦИИ, По сигналу СБРОС блок 7 синхронизирующих импульсов устанавливается н исходное состояние, а элементы 3 памяти - в состояние "0 ". Если нет запросов на регенерацию, то производится работа на запись (считывание), и на управляющий вход адресного блока 1 с выхода блока 7 синхронизирующих -импульсов не поступает сигнал РЕГЕНЕРАЦИЯ. При этом адресный блок 1 коммутирует содержимое входных адресных шин 8 на выходные адресйые шины 9. С приходом сигнала ПУСК блок 7 синхронизирующих импульсов формирует строб, по которому дешифратор 2" ф) строк...

Динамическое полупроводниковое запоминающее устройство

Номер патента: 1001173

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Гизатуллин, Иванов, Кирсанов, Кренгель, Пермитин, Федосов, Хорьков

МПК: G11C 11/403, G11C 7/00

Метки: динамическое, запоминающее, полупроводниковое

...накопителя 16, связанных с адресами выбора строки матрицы накопителя информации. При этом на управляющие входы первого и третьего коммутаторов 13 и 15 с выхода первого формирователя б в режиме ОБРАЩЕНИЕ поступает такой уровень напряжения, который разрешает прохождение информации через коммутаторы 13 и 15 с второй группы входов Работа третьего коммутатора 15 по передаче информации на выход со стороны второй группы входов аналогична работе первого и второго коммутаторов 13 и 14. При поступлении, например, высокого уровня напряжения на управ ляющий вход третьего коммутатора 15 (Фиг.2) по первым входам открыты элементы И 19 первой группы 18, что обеспечивает прохождение инфорМации с второй группы входов коммутатора 50 15 через элементы...