С электрическим полем, расположенным перпендикулярно поверхности, например турельные катоды типа металл-изолятор-металл — H01J 1/312 — МПК (original) (raw)
Эмиттеры электронов, выполненные на основе монокристаллов полярных диэлектриков (окислов металлов mgo, аl2о3, sio2 и др. ) с введенными в них донорными примесями, обладающих малым (порядка 0, 1 и меньше) отноше
Номер патента: 129753
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: H01J 1/312
Метки: аl2о3, введенными, выполненные, диэлектриков, донорными, др, малым, меньше, металлов, монокристаллов, них, обладающих, окислов, основе, отноше, полярных, порядка, примесями, электронов, эмиттеры
...ов, выпо окислов и приме электр ектрон кенни теров электрон диэлектриковних донорньв е) отношением я получения э газа при налоого поля. пненных наметаллов МЯями, обладнного сродсой эмиссии,а однороднь ие эмит оля рных енными ви меньш зоны, дл тронного ектрическ основе моно- О, А 120 з, 310. ющих малы и тва к ширине следствие псе кристаллы римене ллов п с введ ка 0,1 щенной а элек ров эл крис(поря запре регре эмитт При наложении на эмиттер достаточно сильного внутреннего электрического поля, вследствие ускорения электронов, температура эле;- тронного газа оказывается выше температуры решетки и достаточной для интенсивной эмиссии. Перегретая электронная эмиссия наблюдалась на монокристаллах п-кремния, но вследствие большого...
Способ изготовления эмиттера типа металл-диэлектрик-металл
Номер патента: 641890
Опубликовано: 05.01.1979
Авторы: "пьер, Даниель, Жак, Клод
МПК: H01J 1/312, H01J 9/02
Метки: металл-диэлектрик-металл, типа, эмиттера
...эмиттеров, содержащих диэлектрический слой,расположенный между двумя металлическими слоями 11). Диэлектрический слойобычно изготавливается из окисных пленок, например А 8 еО ипи Ве О, Такиеэмиттеры получают путем электропитичеокого осаждения на металлическую подложку слоя диэлектрика 21,Указанный способ трудно реализоватьпри формировании слоев диэлектрика набольшой площади подложки,Цель изобретения - упрощение технологии получения слоя диэлектрика,Поставленная цель достигается тем,что готовят раствор из органическогорастворителя (гексаметилфосфоротриамидаи тетрагидрофурана) и электролита-перхлората щелочного металле, погружаютв этот раствор металлическую подложку,подают нв нее отрицательное напряжи проводят осаждение...
Импульсный холодный катод
Номер патента: 668488
Опубликовано: 05.12.1979
МПК: H01J 1/312
Метки: импульсный, катод, холодный
...фиг. 1 - 3 изображейы вариан ты выполнения катода,Катод состоит из диэлектрическогоплазмообраэукщего элемента 1 и диэлектрического основания 2. Диэлектрический элемент 1 может быть-выполненв виде выступакщих над поверхностьюоснования 2 и установленных в нем диэлектрических лент (фиг. 1).Всвоюочередь основание в виде метмлических полос и диэлектрическиеленты могут быть собраны в пакет. так,чтобы торцовые поверхности лейт высту-пали за торцовую поверхность полос(фиг,2).Наиболее технологичной может ока заться конструкция источника, в которойэмиттирукщий элемент образовай сворачщанием в рулон диэлектрической лентысовместио с прокладками из"меаллической фольги (фиг.3).Катод работает следукщим образом.При подаче импульса напряжения происходит...
Управляемый импульсный источник электронов
Номер патента: 654020
Опубликовано: 15.11.1986
Авторы: Дмитриев, Силантьева, Стригущенко
МПК: H01J 1/312, H01J 3/02
Метки: импульсный, источник, управляемый, электронов
...нагрева вольфрамового острия и диэлектрика проходящим автоэмиссионным током. Для от бора электронов из плазмы на коллектор подают импульс напряжения 30 кВ. Использование таких высоких напряжений для зажигания разряда и вытягивания электронов из плазмы обуслов ливает высокие требования к изоляции и усложняет конструкцию и эксплуата-, цию источника электронов. Целью изобретения является снижение амплитуды управляющего импульсаи анодного напряжения.Это достигается тем, что поверхность диэлектрика в местах контактас электродами легирована металлом иимеет коэффициент электропроводностив диапазоне 10- 1 Омсм ,Сущность изобретения поясняетсячертежом.Импульсный источник электроновсодержит эмиттер 1 из диэлектрика иуправляющие...