С плоскими электродами, например с дисковым электродом — H01J 21/36 — МПК (original) (raw)

Триод сантиметрового диапазона волн

Номер патента: 211678

Опубликовано: 01.01.1968

МПК: H01J 21/10, H01J 21/36

Метки: волн, диапазона, сантиметрового, триод

...зазором.Длина внутрилампового контура выбираетсятакой, чтобы начало зазора, находящегося в 10 конце контура, располагалось вблизи от первого узла напряжения для средней частоты заданного диапазона.Зазор между анодом 2 и сеточным цилиндром б образует участок линии с мальсм волно вым сопротивлением, играющий роль элемента, трансформирующего мощность из контура, находящегося внутри лампы, во внешний контур. Коэффициент трансформации определяется,длиной и шириной зазора и устанавливает ся таким, чтобы лампа,перестраивалась в заданном диапазоне и, отбираемая из внешнего контура в нагрузку мощность была максимальной для всего диапазона перестройки триода в целом. Коэффициент трансформа ции и диапазон перестройки триода можно менять, изменяя...

Сеточный узел для системы с плоскими электродами

Номер патента: 622188

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Белолипцев, Беляченко, Юркин

МПК: H01J 21/36

Метки: плоскими, сеточный, системы, узел, электродами

...неупругим деформациям стержней сетки, а следовательно, к нарушению геометрии как самой сетки, так и геометрии между электродами.Целью изобретения является повышение 0 формоустойчивости сеточного узла при тепловом расширении.Цель достигается тем, что стержни ирамка сетки имеют дополнительные участки, перпендикулярные плоскости рабочей 5 части стержня так, что их поперечное сечение имеет Г-образную форму, причем толщина дополнительных участков стержней меньше толщины рабочей части стержней, а крепление выполнено только со стоп роны торцов стержнейл. В результате такого конструктивного оформления не наблюдается нарушения формоустойчивости сетки.На чертеже схематически показан предлагаемый сеточный узел, общий вид.Сетка для электронной...

Композиция для защиты p-n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора

Номер патента: 1708097

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Дудуева, Кальнова, Лобков, Митрофанов, Неелова, Сальников, Сергиенко, Шубин

МПК: H01J 21/36

Метки: p-n-переходов, высоковольтного, защиты, композиция, полупроводникового, прибора

Композиция для защиты р n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора, содержащая низкомолекулярный кремнийорганический каучук, кремнийорганическое этоксисоединение и гетеросилоксан, отличающаяся тем, что, с целью создания однокомпонентного состава, повышения электрической прочности и снижения тангенса угла диэлектрических потерь, в качестве кремнийорганического этоксисоединения вводят триэтоксисилан, а в качестве гетеросилоксана продукт взаимодействия линейного , - - дигидроксиполидиметилсилоксана с борной кислотой и ацетилацетонатом циркония, взятых в соотношении, мас.ч. 100 16,8 0,65 при следующем...