Дуоплазматроны — H01J 27/10 — МПК (original) (raw)
208838
Номер патента: 208838
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: H01J 27/10
Метки: 208838
...давлений 10между камерой поджига и основным разрядным промежутком. Включают постоянное напряжение на катушке, образующей магнитноеполе в камере поджига. На анод этой камерыподают импульс положительной полярности, 15формирующий разряд поджига, электроны которого возбуждают в основном разрядномпромежутке. Инициируют в последнем дуговой разряд у края анода с последующим перемещением его на поверхности электродов 20к оси системы. Восстанавливают электрическую прочность основного промежутка к концу прохождения импульса тока,Г 1 ри подачс на анод камеры поджига положительного импульса в камере возникает разряд поджига вследствие того, что электроныздесь двигаются вдоль силовых линий магнитного поля, попадая в так называемую потенциальную...
Импульсный источник ионов
Номер патента: 1625257
Опубликовано: 07.04.1992
Авторы: Кондратьев, Петренко, Турчин
МПК: H01J 27/04, H01J 27/10
Метки: импульсный, ионов, источник
...1 О питания высоковольтное отрицательное напряжение; на боковые стенки разрядной15камеры 1 подается импульс высоковольтного напряжения положительной полярности с источника 2 питания. При этом заслонка электромагцитцого клапана 6 открывает отверстие 5 эмиссиина время, необходимое для выпуска ионов. 11 од действием разности потенциалов, возникающей между электрически изолированными от корпуса источника и друг от друга катодом 9 и боковыми стенками разрядной камеры 1, возникает процесс автоэлектронной эмисии с острых кромок катода 9.Этотпроцесс инициирует развитие газовогоразряда, Первичные электроны с катода и образованные ими в результате иоцизации рабочего газа медленные электроны, попадая в поле с высокой разностью электрических...
Источник ионов дуоплазмотронного типа
Номер патента: 1774391
Опубликовано: 07.11.1992
Авторы: Зосим, Пузиков, Семенов
МПК: H01J 27/10
Метки: дуоплазмотронного, ионов, источник, типа
...щелевых отверстий формы и расположен в50 плоскости симметрии отверстий,Таким образом, предлагаемый источникионов с щелевидной системой электродовпредназначен для генерации ленточногопучка ионов и является по существу щеле 55 видным дуоплазмотроном. Это позволяетустранить вышеуказанные недостатки прототипа и улучшить его характеристики,Так согласно решения, величина полного тока пучка ионов, формируемого в щелевидной системе, пропорциональна длине а50 55 выходной щели, что позволяет значительно увеличить величину ионного тока по сравнению с аксиально-симметричным дуоплазмотроном.Кроме того ленточный пучок вдоль координаты большего размера пучка имеет практически однородную плотность ионного тока, причем. степень однородности тем выше, чем...
Дуоплазматрон
Номер патента: 993762
Опубликовано: 07.02.1993
Авторы: Пузиков, Семенов, Харченко, Чайковский
МПК: H01J 27/10
Метки: дуоплазматрон
...катушка соленоида 0-образного электромагнита 10, Магнитный поток от катушки замыкается с помощью внешнего магнитопровора 11, изготовленного в виде набора пластинок из железа армко, которые изолированы от анора с помощью Фторопластовых прокладок,Для охлаждения корпуса источника в нем имеется полость водяного охлаждения Для удобства при разработке и сборке источника применено сочленение токопор,водящих проводов от5 99376 При длительной работе источника (1 О ч и более), как было уже отме" цено, "зарастает" рабоцим веществом (в рассматриваемом случае граФит) канал промежуточного электрода, что приводит к существенному (в 1,5- 2 раза) уменьшению ионного тока, Этот недостаток, имеющий место при длительных режимах работы, устраняется путем...
Газоразрядный источник плазмы дугоплазматронного типа
Номер патента: 1797448
Опубликовано: 09.07.1995
Автор: Черник
МПК: H01J 27/10, H05H 1/24
Метки: газоразрядный, дугоплазматронного, источник, плазмы, типа
...благодаря снижению загрязнения потока расширяется использование газоразрядных источников постоянного тока с присущей им простотой и высокой газовой экономичностью и применяется например в материаловедческих исследованиях и в технологии,разряд между полым катодом и анодом, Благодаря явлению ионной откачки давление в полости электрода возрастает и для его восстановления увеличивают проводимость 5 клапана 15. В канале 5 возникает геометри.ческое контрагирование разряда с характерными скачком потенциала и так называемым "плазменным пузырем", в котором формируется ускоренный пучок элек тронов, производящий интенсивнуюионизацию газа в канале 5 и аноде. Для положительных ионов этот скачок потенциала в канале является барьеоом,...