С использованием бомбардировки частицами, например ионизационные камеры — H01J 49/14 — МПК (original) (raw)
Масс-спектрометра
Номер патента: 204013
Опубликовано: 01.01.1967
Авторы: Дошлов, Матвеев, Поль, Хмельницкий
МПК: G01N 27/70, H01J 49/14
Метки: масс-спектрометра
...подходящей во может быть вытических масс-спектеределкой последних ре Ионныи истожащий камеруэлектрод и апетем, что, с цельизмерения полния пределов игиях ионизируустройства длятока использовненная с измер одерющий ииися ности шире- энерестве нного оедиое устапертурт с выб, корное устПри масс-спектрометрических исследованиях индивидуальных соединений и анализесложных смесей необходимо измерение полного ионного тока, которое осуществляетсяизмерением общего количества ионов, образующихся в камере ионизации, Известныйионный источник масс-спектрометра содержиткамеру ионизации, корректирующий электроди апертурную линзу.Предлагаемый источник отличается от известных тем, что в качестве устройства дляизмерения ионного тока использована...
Устройство для анализа жидких материалов методом вторичноионной масс-спектрометрии
Номер патента: 983826
Опубликовано: 23.12.1982
МПК: H01J 49/14
Метки: анализа, вторичноионной, жидких, масс-спектрометрии, методом
...- повышение воспроизводимости результатов и расширениедиапазона анализируемых материалов.Данная цельдостигается тем, что в 30устройстве для анализа жидких материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии, содержащем источник первичных ионов, держатель образца, масс=анализатор и детектор, держатель образцавыполнен из пористого материала.На фиг. 1 изображена схема предлагаемого устройства; на фиг, 2 - масс-спектры вторичных ионов для мишени на основе монолитного молибдена (а) и на 40основе пористого молибдена (б).Устройствосостоит из источника 1ионов, держателя 2 исследуемого образца, масс-спектрометра 3,Перед анализом исследуемое вещество вводится в жидком состоянии в капилляр 50 ные каналы пористого твердого тела, являющегося...
Источник ионов
Номер патента: 951475
Опубликовано: 30.06.1984
Автор: Тараненко
МПК: H01J 49/14
...и ионного пучков, отверстие для выхода ионного излучения пучка закрыто экранирующей сеткой.Внутри ионизационной камеры по разным сторонам от оптической оси источника ионизирующего излучения расположены электроды, подключенные к источнику. постоянного тока.За счет того, что отверстия в ионизационной камере закрыты экранирующей сеткой, дрейф ионов происходит в эквипотенциальном пространстве (или в однородном электрическом поле). На пути дрейфа к выходному отверстию молекулярный пучок обогащается молекулярными ионами за счет дискриминации осколочных ионов исследуемых соединений и ионов фонового газа.На чертеже приведена схема источника ионов.Предлагаемый источник содержит источник 1 молекулярного пучка, продуцирующий молекулярный...
Способ послойного количественного анализа кристаллических твердых тел
Номер патента: 1698916
Опубликовано: 15.12.1991
Авторы: Белкин, Груич, Джурахалов, Морозов, Пичко, Умаров
МПК: H01J 49/14, H01J 49/26
Метки: анализа, количественного, кристаллических, послойного, твердых, тел
...атомы мишенив направлении, практически перпендикулярном плоскостям падения и рассеяния ионов, т,е. рассеянные и распыленные частицы пространственноразделены, вследствие чего увеличивается отношение сигнала к Фону, чтоприводит к увеличению чувствительности анализа в 10 раз,Кроме того, при скользящих углахпадения ионов облегчается анализ распыленных компонент твердой кристаллической мишени в связи с тем, что онивылетают в определенном азимутальномнаправлении ( 1. = 85 + 5 ) по отношению к плоскости рассеяния пучка. Спомощью моделирования на ЗВИ в приближении парных столкновений былиисследованы траектории ионов Аг сЕ = 7 кэВ, испытывающих скользящеерассеяние ф = 5 ) на поверхностимонокристалла Си (100) ( 110), атакже образование...
Способ элементного анализа поверхностных слоев твердых тел
Номер патента: 1777187
Опубликовано: 23.11.1992
Авторы: Миловзоров, Шерозия, Шишлаков
МПК: H01J 49/14
Метки: анализа, поверхностных, слоев, твердых, тел, элементного
...уровень увелицивает вероятность ионизации атома при взаимодей- щ ствии с поверхностью распыленного , образца. Взаимодействие в этом слуцае происходит на расстоянии от поверхности, равном 1"104 А, так как ра" диус орбиты возбужденного электрона зависит от главного квантового числакак г п и при и= 85 составляет около 1 мкм, Таким образом, при переводе атома в высоковозбужденное состояние вероятность его ионизации рас тет с уменьыением высоты и шириныпотенциального барьера.Вероятность Р; ионизации атома при воздействии лазерного излуцения И 2 - вероятность ионизации врезультате взаимодействия с поверхностью, равная ко" эффициенту прохождения потенциального барьера Р.При .знацениях ., интенсивности излуцения лазера 11 яо...
Способ определения поверхностной концентрации компонентов бинарного сплава методом термодесорбционной масс спектрометрии
Номер патента: 2000625
Опубликовано: 07.09.1993
Авторы: Вяткин, Головин, Пастухов, Привалова
МПК: H01J 49/14, H01J 49/26
Метки: бинарного, компонентов, концентрации, масс, методом, поверхностной, спектрометрии, сплава, термодесорбционной
...(фиг,2);2 ж И 12 тв - тО жЕ ДЛЯ 2-ГО КОМПОНЕНта; с - отношение эффективных сечений атомов 1-го и 2-го компонентов.Расчетные формулы получены следующим образом. В основу расчета положено уравнение для ионного тока1=а А й С ехр(-Е/МТ). (2) где а - константа;А - площадь поверхности;М - поверхностная концентрация часС - энтропийный множитель;Е - энергия активации десорбции;М - постоянная Больцмана.При температуре Т в интервале от тпературы солидус до температуры ликвитвердая и жидкая фазы сосуществуют вно ве с и и, т. е, Ствехр(-Етв/кТ)=СжеЕж/МТ). Величина а и площповерхности А сократятся, если записатношение ионных токов при Т:Э=1 тв/11 ж Й 1 тв/Й 1 жЬ 2 тв/12 ж М 1 тв/1 ч 1 ж. (3)Постоянство площади поверхности оразца дает уравнениеЙ 1 те...