Физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием — H01L 21/203 — МПК (original) (raw)
Способ селективного нанесения металла на полупроводниковую пластину
Номер патента: 355697
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01L 21/203
Метки: металла, нанесения, пластину, полупроводниковую, селективного
...наносят тон к)ю пленк) Отя,ля (напримерр, золота или алюминия), металлизированныее пластины покрыва 1 от фоторезнстом, экспонируют через фотошаблон с соответс 1 вующнм рисунком, проявляот и травленел удаляют металл с участков, не,покрытых фоторезстом. Затем металл вжигают в кремниевую поверхность путем нагрева до температуры образованя эвтект 1 к для получения низкого сопротивления коннпя металла соседние днфтп лог)т Окязя 1 ься зякОро355697 Составитель В. ГришинРедактор Т. Орловская Техред Л. Евдоиов Корректор Е. Миронова Заказ 3672/5 Изд.1557 Тираж 406 Подписное ЦПИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 соответственно 600 и 750 С, в то...
Кассета для химическо обработки изделий
Номер патента: 503319
Опубликовано: 15.02.1976
Автор: Сапожников
МПК: H01L 21/203
...1 кассеты и служит сснованием всего вибродвигателя 2. К корпусу 4 вибродвигателя вертикальных колебаний прикрепленакруглая катушка 5 посредством сердечника,ЗО ввинчивающегося резьбовым окончанием вкорпус 4, Якорь 6 вибродвигателя связан с сердечником упругим элементом 7, так что между якорем 6 и сердечником образуется зазор, Вибродвигатель 2 защищен от окружающей среды снизу сильфоном 8, который внутренней частью надет на якорь 6, а свободными концами герметично прикреплен к корпусу 1 кассеты.Вибродвигатели 3 горизонтальных колебаний расположены симметрично по окружности нижней части корпуса 1,кассеты и прикреплены корпусом 9 при помощи болта 10 к корпусу 1 кассеты. Катушка 11 прикреплена при помощи сердечника 12 к корпусу 9. Якорь 13...
Способ получения полупроводниковых варизонных гетеростуктур
Номер патента: 773792
Опубликовано: 23.10.1980
МПК: H01L 21/203
Метки: варизонных, гетеростуктур, полупроводниковых
...воздействием на область перекрытия молекулярных потоков и достигают изменением одного из параметров: геометрияиспарители-подложка, скорость конденсации испаряемых материалов, скоростьдвижения подложки.Предлагаемый способ полученияполупроводниковых варизонных гетероструктур иллюстрируется примерами.П р и м е р 1. Получение полупроводниковых гетероструктур, образованных материалами А 5 е 9 и Аь 5,:Исходные материалы загружают вразличные испарители, разогретыедо 390 С и 370 ОС соответственно, которые обусловливают определеннуюскорость испарения. Испаряемый материал конденсируется на движущуюсяподложку. Расстояние между испарителями устанавливают равным 5 см, аиспарителей до подложки - 2 см. Привыбранной геометрии расположения искорости...
Способ получения монокристаллических пленок полупроводниковых материалов
Номер патента: 1484191
Опубликовано: 15.12.1992
Авторы: Гуляев, Котелянский, Лузанов, Тараканова
МПК: H01L 21/203
Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых
...ЗО.адсорбиронанного атома.Энергияизлучения выбирается такой, чтобы хеиисорбнронанные атомы,находящиеся вне дна потенциальногорельефа поверхности, поглотив квант 35света с выбранной длиной волны, ииели воэможность эа счет поверхностнойдиффузии занять положения, соответствующие минимуиу потенциальной энергии, т.е. занять положения, соответ.стнующие наилучшему кристаллическомусовершенству структуры. Плотностьмощности излучения 1 г оценивается изЬс ц -йусловия ЧМ --- где Ю=О сма 45,по порядку величины составляет У в"-е -4 йл, 10 -10 ,Пж/см . Длина волны излу чения определяется для каждого компонента н отдельности. 50П р и и е р 1. Осаждение монокристаллической пленки СИТе .проводятна подложки СИТе ориентации (10)...
Способ получения пленок с i s
Номер патента: 1807531
Опубликовано: 07.04.1993
Авторы: Магомедов, Медведкин, Руд
МПК: H01L 21/203
Метки: пленок
...45однородностипо площади и низкого качества, т,е. нет воспроизводимости в свойствахпленки. Все это справедливо при Тл = 300430 С, а если установить Тл300 С, илиТл400 С, то опять-таки наблюдается образование в плбнках нескольких фаз и величина проводимости плбнок становится невоспроизводимой величиной;Для получения пленок вещества и-типапроводимости необходимо поддержание 55значения Ти =980-1130 С при Т=300-400 Сво время испарения, Действительно, еслиТи1130 С при Тл = 300-400 С, то мы начинаем получать пленку р-типа и, следовательно, цель не достигается, В случае Ти980 С и Т = 300 - 400"С, процесс образования пленки и-типа нарушается, так как она.становится неоднофаэной и неоднородной, Что касается значений Тл300 С и Тп400 С при Ти =...
Способ получения светочувствительных структур на основе теллуридов кадмия и цинка
Номер патента: 1825431
Опубликовано: 30.06.1993
Авторы: Беляев, Калинкин, Рубец
МПК: H01L 21/203
Метки: кадмия, основе, светочувствительных, структур, теллуридов, цинка
...напыления линейно возрастала, Линейный нагрев испарителя обеспечивался с помощью модифицированного терморегулятора, До достижения испа1825431 Формула изобретения Составитель А,БеляевТехред М,Моргентал рректор В,Петраш ор при ГКНТ СС Тираж Подписное дарственного комитета по изобретениям и открыти 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Заказ 2235 ВНИИПИ Го роиэводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 1 рителем температуры 450 С поток к напыляемым структурам перекрывался специальной задвижкой. В испаритель закладывалась навеска твердого раствора (2 по,7 СОо,зТе)ол (1 п 20 з)о,о 1. Масса навески выбиралась такой, чтобы было все вещество израсходовано в процессе напыления. Заранее определенная масса навески...
Способ получения алмазных и алмазоподобных пленок из газовой фазы
Номер патента: 2003200
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Джон, Зорина, Иванов, Кулик
МПК: H01L 21/203
Метки: алмазных, алмазоподобных, газовой, пленок, фазы
...поскольку длина пробега для неупругих 20 взаимодействий много больше толщины пограничного слоя, Однако, в результате упругих столкновений в пограничном слое активные частицы теряют кинетическую энергию, Таким образом, при очень высокой 25 плотности потока активных частиц и, следовательно, большой скорости Физико-химических процессов на поверхности радиационные нарушения практически исключены, чем и достигается высокое качество ЗО обработки. В силу того, что тепловой потокк поверхности велик (температура плазмы достигает (10-15) 10 К), обработку такой, плазмой можно проводить только в режименестационарнойтеплопроводности,т,е. при З 5 кратковременном воздействии плазмы наповерхность, Толщина осаждаемого на поверхность слоя определяется...
Способ ионной обработки изделий
Номер патента: 1632088
Опубликовано: 10.04.1995
Автор: Попов
МПК: C23C 14/36, H01L 21/203
Метки: ионной
...регулируют так, чтобы поддерживать постоянное давление Р 1 химического активного газа над поверхностью мишени или подложки,Р будет определяться соотношением: где Он.г.п. - поток газа, поглощенного нераспьляемь 1 м газопоглотителем 10;Ян.г,п, - СКОРОСТЬ ОтКаЧКИ ВСТРОЕННОГО насоса по выбранному 1-газу, формирующеМу ПОТОКИ Ояк 1 И Ояк 2. ДаВЛЕНИЕ Р 1 ОбЕСПЕ- чивает ббразование соединения требуемой стехиометрии, которое определяет или скорость распыления мишени, или конечный продукт напыленной пленки. Разогретый газопоглотитель поглощает все химически активные газы с разными скоростями в зависимости от температуры его отдельных зон и энергии сорбции, В результате внутри его цилиндрической полости, где расположены мишень и подложка, общее...