Обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление — H01L 21/306 — МПК (original) (raw)
Способ обработки свинцового блеска (галена) для детекторов
Номер патента: 3537
Опубликовано: 31.08.1927
Автор: Теплов
МПК: H01L 21/306
Метки: блеска, галена, детекторов, свинцового
...гипосульфита, чтобы. во время кипения ПОСЛЕ,НЕГО, СГгцицОВЫй бЛЕСК 6 Ь 1 Л СО- вернецио покр 11 Т 1 сцпяц 5 ец жи;костью, потом. после воспламенения цагреваеаццо вецества и покр 11 сцения его, ложк.1 сццт 1 аетс 51 с о 1 ня, ц и;1 хо;1 яцРеся в ней ве 1 цество вь 1 скаблцвается из нее, наконец. после его остьд 1 ацця, заключенный в цем крис галл свинцового блеска очццрается от нагара металлической иеткой. Типо.п 1 енвтнинв, (енпнг 1 вд, М ждунв Н рвоты ный грв Для достижения лучгвеи сльцццмости и чистоты звука при приеме на детектор с кристаллом галена. предлагается г 1 одвергнуть его оср 1 ц 1 отке. заключаюц 1 ейся в том. что саморо цц,й кристалл свинцового блеска гален) подогревается в медной ложечке, и кода ложечка нагреется;1...
Способ обработки кристаллов свинцового блеска для детекторов
Номер патента: 5411
Опубликовано: 31.05.1928
Автор: Затейщиков
МПК: H01L 21/306
Метки: блеска, детекторов, кристаллов, свинцового
...Дасмесью нагревают о прекращения выводы, затем темпедо вишнево-красного лжают накаливание, се время массу, до Затем остор ты, а ратур краси нается опа. В этом случае количество пр щенной от пор до необходимо размера зерен,в сечении, руд и на одну час ства кристалло измельченного ныи тигель, при хлористого цин в пропорции 7: отвешенное ко кислого калия мешивают желе лее, тигель со сперва слабо д деления паров ратуру доводят каления и продо перемешивая в шенное о очиьченной екторов 5 - 8 лмблеска количена треть двухро прекращения обильного выделения газов и начала загустения предварительно жидкой массы. По окончании реакции еще полужидкую массу выливают из тигля и тотчас же, по затвердении, производят очистку обработанных кристаллов...
159233
Номер патента: 159233
Опубликовано: 01.01.1963
МПК: H01L 21/306
Метки: 159233
...цх порчи прц травлец 3 и) подвергаются тщательному химическому травлецшо прц комнатной теъпературе в смеси четырех частей азотной и одной части плавцковой кислОт, я зятем п 130 мы 13 ают 13 бцлистцллиро 3 я.1 ИО воле. ПОсле этого пластины помещают в .,еталлцческий реактор, прцсосл;цспцый к вакуумной системе, и полвергают возлействио сухого и чистого газообразного фтористого водорода прц лавлеццц 30 - 80 л. рт. ст. ц кокв цатцой температуре в течение 20 - 40,ин. Послеловатсльцость воздействия газовых сред ца пластины кремния слелующая: атмосферный воздух, Вакуум, фтористый 30 д 0130 л, 13 акуум, атмосфе 13 цый возле.После тяког 001 эяоотки зцячеця ск 0130 сти п 013 е 1)хцостцой рскоз 1- бицации, измеренной во фторцстом:3 олороле,...
Автомат для травления
Номер патента: 170123
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Герцик, Долгов, Ичес, Набиуллин, Сладкое, Шлионска
МПК: H01L 21/306
...кремниевая пластина по периферии оказывается прижатой к эластичной площадке 1 б. Отверстия 2 б, соединяющие внутреннюю полость корпуса 14 с атмосферой, необходимы для устранения подсоса жидкости из ванн, Приняв пластину, рабочий блок переходит на новую позицию, а его место занимают последующие рабочие блоки. Когда рабочий блок находится над ванной 11, шток б опускается, и нижняя часть корпуса 14 вместе с пластиной оказывается погруженной в травильный раствор.Уровень жидкостей в ваннах поддерживается постоянным. Пройдя ванну 11, блоки 8 попадают в ванну 12 для нейтрализации, после чего они поступают на промывку в ванну 18. После травления, нейтрализации и промывки пластины поступают на позицию съема. Передача прошедшей обработку...
Устройство для травления кремниевых фотоэлектрических преобразователей
Номер патента: 244515
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Герцик, Егоров, Набиуллин, Родионов, Сладков
МПК: H01L 21/306
Метки: кремниевых, преобразователей, травления, фотоэлектрических
...шатуна укреплены изолированные захваты 9, контактные иглы 10 которых подключаются к преобразователям (на чертеже,не показаны), Открытие захватов 9,производится клином 11. Рычаги 7 и 8 укреплены на шестернях 12 и 13, находящихся в зацеплении с зубчатыми секторами 14 и 15, укрепленными на валу 16, на котором укреплен также трехплечий рычаг 17. Плечо 18 рычага 17 снабже но роликом 19, опирающимся на копир 20,управляющий, шатуном б. Плечо 21 рычага 17 соединено с возвратной пружиной 22 и масляным демпфером 23, обеспечивающим плавное перемещение шатуна б. Плечо 24 рычага 1 17 в крайнем левом положении нажимает намикровыключатель 25, выключающий блок контроля. В процессе работы копир 20 опускает плечо 18 вниз, вал 1 б,поворачивает шестерни...
Травитель для полупроводниковых материалов
Номер патента: 308470
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: H01L 21/306
Метки: полупроводниковых, травитель
...многочисленные травители для травления полупроводниковых м атериалов. В частности, широкое распространение имеют травители кислотно-щелочного типа.Однако вое известные травители не позволяют определить границу срастания подложка-пленка, так как кристаллы одинакового типа проводимости травятся в специальных химических травителях примерно одинаково,Цель изобретения - выявить границу срастания эпитаксиальной пленки арсенида галлия на подложке арсенида галлия того же типа проводимости.Поставленная цель достигается тем, что травитель содержит ЗНМОэ+НГ+5 НгО и 6 ИаОН+НгОг в соотношении от одной до пяти весовых частей первого компонента на одну весовую часть второго компонента.Вышеуказанная жидкая смесь хорошо выявляет границу...
Автомат для химической обработки
Номер патента: 333633
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01L 21/306
Метки: автомат, химической
...пластин,На фиг.1 показаяобтщийвид автомата; нафиг. 2 изображена реакционная камера.Автомат содержит основание 1, выдающийбункер 2, в который загружается партия пластин (стопка из 100 штук) принимающий бункер 3. Пневматические манипуляторы 4 переносят пластину из бункера 2 сначала в реакционную камеру Б, затем в реакционную камеру б и в принимающий буикер 3. Единичнаяпластина кремния 7 укладывается на турбину-стол 8 в нижней части реаиционной камеры. Турбина-стол подвешивается на струекнертного газа, истекающего из дна 9 камеры 2через центрирукиций зазор между роторомтурбины и стенками камеры,Газ; подаваемый из д 1 вух сопел 10 на лопасти турбины,:приводит ее оо вращение. За 5 тем из сопла 11 в центре ультразвуковой сирены 12 над...
Всесоюзная iп д-ггут t-vhsljs: ; tия i lu 1; ш-1 г; лjsи: lt;: ; . • ifiiitt библиотекатравитель
Номер патента: 342249
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01L 21/306
Метки: ifiiitt, t-vhsljs, tия, библиотекатравитель, всесоюзная, д-ггут, лjsи
...монокристаллических полупроводниковых материалов. Оно может быть использовано для определения этих несовершенств на разных технологических стадиях создания активных элементов в промышленности полупроводников, в том случае когда применяются паро-газовые среды (например, при эпитаксиальном наращивании) .Известны газовые травители для полупроводников на основе водорода и хлористого водорода, Эти травители непригодны для выявления дислокаций на поверхности полупроводников.Предложенный травитель представляет собой смесь водорода, хлористого водорода и хлора. Он позволяет выявить дислокации при высоких температурах на локальных участках поверхности, созданных, например, при помощи диэлектрических пленок 81 О 2, Яэ 11 п и др. Наилучшие...
Способ получения контактных выводов
Номер патента: 384160
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Алейников, Лепетило, Янович
МПК: H01L 21/306
Метки: выводов, контактных
...толщине контактщх выводов, формируют выводы, а после механической обработки травят заготовку с противоположной стороны до разделения контактных выводов. 25слеИзобретение относится к ооласти производства полупроводниковых приборов, а именно, к способам получения выводов.Известен способ получения контактных выводов из металлическои заготовки, включаю щий операции фотолитографической обработки, траВлени 51 меукконтактных перемычек до разделения выводов, срормирования выводов и механическую Обработку.Однако известный способ не позволяет фор мировать конта,тные ВЫВОДЫ на заготов 1 е с целью пр 1 Дани 51 им неооходимой геометрической формы до операции травления, а при формировании и механической обработке контактных выводов теряется точность...
Травитель для полупроводников
Номер патента: 385353
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: H01L 21/306
Метки: полупроводников, травитель
...также газооб травления идет с образ стого кремния и углеро 11 али гие углеродной фазы на поверхности травящегося крлсталла увеличивает время травления, затрудцяет процесс травления, требует проведения дополнительных операций по удалению слоя углерода с поверхности. При наличии углеродцой фазы на поверхности невозможно точно контролировать процесс травления, что, в свою очередь, не позволяет снимать тонкие диффузионные слоя.Цель изобретения - обеспечение селективного травления и точного контроля процесса, возможности применения травителя ца различных стадиях изготовления приборов, а также сокращение технологических операций при травлении с улучшением качества обрабатываемой поверхности.Поставленная цель достигается тем, что в...
Всесоюзнаяhtrilt” •••gt; amp; . г ljamp; t nfittrlibu-it: x; ib-r s.;
Номер патента: 368777
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Иностранна
МПК: H01L 21/306
Метки: ljamp, nfittrlibu-it, всесоюзнаяhtrilt, •gt
...гидртемпературе Изобретение относится к ометаллических покрытий хибом, в частности к способакрываемой поверхности.Известен способ подготовки поверхности кремния перед химическим никелированием путем травления в концентрированном растворе плавиковой кислоты.Предложенный способ отличается от известного введением дополнительной операции активирования кремниевой пластины в растворе гидроокиси аммония, что улучшает сцепление покрытия с основой.Необходимость такой операции обусловлена тем, что часто на поверхности кремниевых пластин присутствуют одновременно фосфорои боросиликаты, которые стравливаются в плавиковой кислоте с различной скоростью, и после окончания процесса травления поверхность кремния оказывается пассивной для...
Травитель
Номер патента: 369651
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Государственный, Проектный
МПК: H01L 21/306
Метки: травитель
...травления наплоскости типа (100) представляет известныетрудности, связанные с окислением поверхности и выявлением фигур травления недислокационного характера.Настоящее изобретение представляет собойтравитель для выявления дислокаций в образцах монокристаллического кремния, ориентированных по плоскости (100), который состоит 25из 7 - 9 частей плавиковой кислоты, 1 частираствора хромового ангидрида в воде и 2 частей воды,Предлагаемый травитель ддислокаций на плоскости типа 30 ван на серийных образцах кремния, легированных Р, В, Аз, 5 Ь, А 1 в широком диапазоне концентраций легирующей примеси.Пример.Образцы, ориентированные по плоскости (100), шлифуются порошком Ми химически полируются в смеси НГ: НХО,=1:2. После тщательной промывки...
Виблио: gt; amp; н-.
Номер патента: 370682
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Андреев, Иванова, Комаишко
МПК: H01L 21/306
Метки: виблио
...что, с целью осуществления травления б щиты металлических элементов констру он содержит серную кислоту, в качеств хромата щелочного металла примене хромат калия, а компоненты взяты в сл щем соотношении, вес. %:Плавиковая кислотаСерная кислотаБихромат калия одниента- ихротем, ез закции,б уществление травлееских элементов коню 14 - 25,2 3,6 - 180,034 - 0,1 37,2 - 35,6 62,6 - 62,9 0,2 - 1,5 30 Изобретение касается электроники и может быть травления р-а переходов к проводниковых структур.Известны кислотные травители на основе 5 смесей плавиковой и азотной кислоты.Известен также травитель, в котором вместо азотной кислоты в качестве окислителя введен перманганат калия - КМпО.Однако такие правители малопригодны прп 10...
Грабитель для выявления дислокаций в кремнии
Номер патента: 436409
Опубликовано: 15.07.1974
Авторы: Кириченко, Курбанов, Угай, Черников
МПК: H01L 21/306
Метки: выявления, грабитель, дислокаций, кремнии
...при,комна гной температуре растворяют в 28 мл дистиллированной воды и добавляют 2 мл концентрированной,серной кислоты, затем добавляют 20 мл плавиковой кислоты (49 - 50%-ной). Нагревают до 35 С н в течение 5 мин с перемешиванием травят на дислокации.,Пример 2. 3,5 г К Сг.О, прои комнатнойтемпературе растворяют в 35 мл воды и до бавляют 4 мл концентрированной серной кислоты, затем добавляют 30 мл плавиковой кислоты (49 - 50%-ной). Нагревают до 30 - 35 С и в течение 3 - 5 мин с перемешиваннем травят на дислокации.15 Насыщенный, раствор, соли двужромовой кислоты в серной кислоте, являясь более сильным окислителем, усиливает гальваничсский эффект растворения кремния в местах выхода дислокаций на поверхность, что позволяет вы являть все...
Состав для удаления фоторезистов
Номер патента: 439035
Опубликовано: 05.08.1974
Автор: Лурье
МПК: G03F 7/32, H01L 21/306
Метки: состав, удаления, фоторезистов
...ос. чаноламин енин иремниевых КТ 326 для удалевался состав, где ледующих объем. мет изобретения Состав для удаления фот нове органических раствори ющи й ся тем, что, с целью логии и повышения качеств состоит из перекиси водоро амина, взятых в следующихПерекись водорода (30Моноэтаноламин 0 резистов елей, о т упрощенияловерхяо а и моно соотношен на ос- лича- техности, он этаяолиях:- 35%-ная5 - 7 мл Изобретение относится к техниграфин и может быть использовизводстве полупроводниковых прИзвестно использование раствове органических соединении д 5фоторезистов,11 редложенный состав обеспечивает ка.чественное удаление фоторезиста, задубленного при высоких температурах, без дополнительного нагревания на всех операциях фотолитографии,...
Способ защиты поверхности карбида кремния при высокотемпературном травлении
Номер патента: 270080
Опубликовано: 15.10.1975
Автор: Водаков
МПК: H01L 21/306
Метки: высокотемпературном, защиты, карбида, кремния, поверхности, травлении
...Метод вакуумного напыления позволяет получать слои любой толщи 15 ны и на большом числе монокристаллов заодин технологический цикл. Кроме того, используя маски, можно непосредственно принапылении получать слои нужной конфигурации.20 Если необходимо получить очень точный рисунок с резкоочерченными краями (с микронной точностью), его вытравляют фотолитографическим способом. Наиболее прочно скрепленные с поверхностью и плотные слои алю 25 миния (толщиной 1 р и выше) получают привакууме не уже 10 - 4 тор и температуре кристаллов карбида кремния 5700 - 6100 С, причем алюминий в виде гусариков подвешиваютна вольфрамовой спирали, нагреваемой при270080 Предмет изобретения 15 Составитель М, Сорокина текоед Т. Мп;:онова Редактор Б, федотов...
Способ изготовления полупроводникового прибора
Номер патента: 517279
Опубликовано: 05.06.1976
Авторы: Ичизо, Сигеру, Томисабуро
МПК: H01L 21/306
Метки: полупроводникового, прибора
...продолжать травить, поэтому развивается процесс бокового вытравливания пленки 31 0Р 0 между пленкой фото 2 2 5резиста и пленкой 310 . Известным способом невозможно получить окна с конфигурацией в слоях, нанесенных ложку.Цель изобретения - достижение размеров окон, формируемых в слоя лов, наносимых на полупроводников ложку. Поставленная цель достигается тем,что в нанесенном на подложку первом слос меньшей скоростью растворения, напри-.мер ЯьО, вытравливают окно, наносят2второй слой с большей растворимостью, например 8.0Р О, после чего егостравливают, используя фотолитографию,над окнами в первом слое.На фиг, 1 показана полупроводниковаяподложка 1 с нанесенным на нее слоем 2с малой растворимостью. В слое сформировано окно,На фиг, 2...
Полирующий раствор для антимонида индия
Номер патента: 521620
Опубликовано: 15.07.1976
Авторы: Козлова, Ольховикова, Приходько, Хашимов
МПК: H01L 21/306
Метки: антимонида, индия, полирующий, раствор
...обра521620Ф 4 Формула изобретения Составитель В, МальцевТехред Е. Подурушина Редактор И. Шубина Корректор А. Дзесова Заказ 1793/1 О Изд.1551 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, 5 К, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 зом, пригодны для исследования методом трансмиссионной электронной микроскопии.Предлагаемым методом возможно исследование микроструктуры материала, в частности дефектов кристаллического строения. Особое значение метод трансмиссионной электронной микроскопии преобретает при исследовании структурного совершенства тонких эпитаксильных слоев.П р и м е р 1. Подготовку образцов к утоньшпию производят следующим...
Травитель для полупроводниковых материалов
Номер патента: 544019
Опубликовано: 25.01.1977
Авторы: Канчуковский, Мороз, Преснов, Шенкевич
МПК: H01L 21/306
Метки: полупроводниковых, травитель
...го на поверхностьбО наносят слой позитивного фоторезистора на основе нафтохинондиазида методом центрофугирования. Далее образцы подвергают сушке при комнатной температуре в течение 20 мин в сушильномошкафу при 85 С в течение 15 мин. Р эпэнироввние осуществляют при эсвешс .ности 6000 лк в течение 1,5 мин. Проявление проводят в 0,125% ном растворе МстОНв течение 30-40 сек. Процесс задубливания фоторезиста осуществляют при 70 С в течение 30 мин. с постепенным повышением температуры доо170 С и выдерживают при этой температуре в течение 35 мин, Вскрытие окон в 50 проводят в трввителе следующего состава;544019 Составитель Е. БычковаРедактор Т, Иванова ТехРед Н. АндРейчУк КоРРектоР Ж. КеслеР Заказ 836/67 Тираж 976 Подписное БНИИПИ...
Способ получения диэлектрических покрытий
Номер патента: 551969
Опубликовано: 25.03.1977
Авторы: Бочканс, Григале, Фелтынь
МПК: H01L 21/306
Метки: диэлектрических, покрытий
...дыхания, получаемой из ЭКГ, где происходит их обработка.Сначала выделяют ритмограмму Я-Я итервалов, 552969после чего выделяют частоту дыхания по следующему алгоритмудйй = ЯЯ -ЯйПо кривой а Ц Ц определяют Я - число пересечений нулевой линии, тем самым определяют частоту дыханияЙотьи = -ГТаким образом полученное значение частоо ты спонтанного" дыхания, выделяемое из ритмограммы ЭКГ, определяет управляющий сигнал на изменение минутной вентиляции легкик, вырабатываемый в блоке 4 выработки управляющего воздействия, как разность между вычисленной таким образом частотой дыхания и навязанной частотой дыхания, эпределенной в предыдущем цикле измерений:У уп р = (Гды х - Еых пред. ц.) КЭта разность (сигнал рассогласования) подается как...
Устройство для промывки деталей
Номер патента: 570128
Опубликовано: 25.08.1977
МПК: H01L 21/306
Метки: промывки
...сое-диненной с магистралью подачи жидкости и о 5 ластичную стенку в виде подпрумембраны, причем пульсагчонная ельнвя камеры соединены между етательным клапаном, в котором перекрываюшего элемента испол ть мембраны пульсационной камеВ: ввину 1 помещается кассета с изделиями, модлежашими промывке. Устройство подключается к магистрали рабочей жидкости.жидкость в дополнительной камере 5 под давлением сначала движется вследствие перемещения и деформации эластичной подпруживеиной стенки 6. Затем шток 8 соприкасается с упором 7 и стенка 6 останавливается, тем самым движение жидкости затрудняется. Давление в дополнительной камере 1 О повышается, открывается нагнетательный клапан 9, вследствие этого в нагнетательной пульсационной камере 2 и...
Способ выявления микродефектов в монокристалическом кремнии
Номер патента: 585564
Опубликовано: 25.12.1977
Авторы: Авраменко, Веселовская, Данковский
МПК: H01L 21/306
Метки: выявления, кремнии, микродефектов, монокристалическом
...занимающихся производством кремниевых монокристаллов,В полупроводниковой промышленности требуются кремниевые бездислокационные моно- кристаллы, не содержащие микродефектов типа кластеров из-за отрицательного влияния кластеров на электрические и другие характеристики полупроводниковых приборов,несколько способов выявления путем травления кристаллов в вой кислотыи раствора хромово- в воде, отличающихся некотом объемов составных частей этих выявления микродефектов ом кремнии, включающий ку образцов в закрытом м растворе, содержащемкислоту и водный расидрида с концентрацией л, взятых в соотношении585564 Формула изобретения Составитель Н. ХлебниковТехред О. Луговая Корректор Ц. Макаревич Тираж 976 Подписное Редактор Е. Гончар Заказ 5058/43...
Травитель для германия
Номер патента: 713410
Опубликовано: 30.01.1980
Автор: Горохов
МПК: H01L 21/306
...в том,что реакция автокаталитическогоокисления германия продуктами диссоциации азотной кислоты подавляется относительно высокой концентрацией уксусной кислоты, введение которойснижает степень диссоциации ЯМО 3.Растворение окислов германия происходит не плавиковой кислотой, а во"дои. Оба этих фактора снижают скорость ЗО реакции на 2- 3 порядка по сравнению713410 Формула изобретения НИИПИЗаказ 5 илиал ППП "Пате аж 784 Подписно нт",г.ужгород,ул.Проектна с известным травителем, при этом происходит повышение чувствительности транителя к неоднородностям крист ал, а.Описываемые составы приведены на трехкомпонентной диаграмме (см. чертеж),П р и м е р 1. В 10 мл Н 20 добан 1 ляют 40 мл концентриронанной ННОЕ марки ОСЧ и 50 мл ледяной...
Устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов
Номер патента: 790038
Опубликовано: 23.12.1980
Авторы: Алексеева, Альперович, Бекренев, Герасименко
МПК: H01L 21/306
Метки: групповой, полупроводниковых, элементов
...полупроводниковых элементов, причем разность диаметров отверстия и полупроводникового элемента находится в пределах 1-3 мм.На Фиг. 1 изображено устройство для групповой обработки полупроводниковых элементов, разрез на Фиг.2 то же, вид сверху.Кассета 1 с загруженными в ее отверстия полупроводниковыми элементами 2 помещена между двумя герметично соединенными симметричными конусообразными полостями, образуемыми полукорпусами 3, герметично соединенными через прокладку 4 зажимами 5. Таким образом обрабатывающий реагент агрессивный жидкий или газообразный травитель, деионизированная вода, горячий воздух) попадает в полость б, затем через отверстия 7, в которых размещены полупроводниковые элементы 2, в полость 8.Симметричное расположение...
Способ очистки поверхности твердых тел и устройство для его осуществления
Номер патента: 792359
Опубликовано: 30.12.1980
Авторы: Гулай, Колешко, Кривоносов
МПК: H01L 21/306
Метки: поверхности, твердых, тел
...высокочастотного напряжения соединен через блок обработки сигналас входом блока управления, выходкоторого подключен к входам генератора высокочастотного напряженияи блока питания.На чертеже изображена схема устройства.Устройство содержит ванну 1,механизм 2 перемешивания жидкостиэлектромагнит3, блок 4 питания,генератор 5 высокочастотного напряжения, к выходу которого подключена катушка б индуктивности, расположенная в ванне 1, модулятор 7,блок 8 обработки сигнала и блок 9управления.Устройство работает следующимобразом.Подвергающиеся очистке изделиязагружают в ванну 1, перемешиваниежидкости осуществляют механизмом2 ,а магнитную обработку ее производят с помощью электромагнита 3. Переменное магнитное поле создаютпутем подачи на катушку...
Способ обработки пластин иустройство для его осуществления
Номер патента: 809434
Опубликовано: 28.02.1981
Авторы: Баранов, Калошкин, Карелин, Лабунов, Сергеев, Хитько, Черных
МПК: H01L 21/306
Метки: иустройство, пластин
...влаги обеспечивается за 2 мин. Превышение вре 15 мени сушки больше 2 мин. нецелесообразно иэ-за увеличения длительностипроцесса.На чертеже изображена головка,как часть всего устройства, для обЩ работки одной полупроводниковойпластины.Головка-состоит иэ токопроводящего вала 1 с насадкой 2, Корпусаголовки 3 с внешней насадкой 4. Вал1 имеет основной канал 5 с радиальными, горизонтально расположеннымив конце канала отверстиями 6 и кольцевыми проточками 7 для вакуумныхуплотнителей. На конце вала 1 имеется буртик 8 для опоры на подшипник9 и шестерня или шкив 10 для придания валу вращения. На противоположном конце вала имеется насадка 2 сотверстиями 11, сообщающимися сосновным каналом 5, Вал 1 и насадка2 выполнены из токопроводящегоматериала,...
Способ очистки поверхности полупроводников
Номер патента: 819857
Опубликовано: 07.04.1981
МПК: H01L 21/306
Метки: поверхности, полупроводников
...достигается тем, чтоповерхность нагревают до 100 в 2 С и обрабатывают потоком атомарного водородас парциальным давлением 10 2 - 104 торр.На чертеже изображено устройство дляреализации способа,Устройство содержит вакуумную камеру1, трубку Вуда 2, генератор высокой частоты 3,Атомные пучки водорода предварительнополучают с помощью, например, высокочас81 тотного разряда. Очистка поверхности полупроводника при помощи атомного пучка идет двумя путями. При взаимодействии атомов водорода с поверхностью происходят их адсорбция и рекомбинация в молекулы. При этом выделяется энергия, достаточная для удаления примесей с большой энергией связи, например ОН, тогда как с помощью моЛекулярных пучков водорода удаление ОН не достигается.Пример. Образец...
Травитель для химического полирования антимонидов индия и галлия
Номер патента: 784635
Опубликовано: 30.01.1982
Авторы: Дмитриева, Луфт, Свердлин, Хусид
МПК: H01L 21/306
Метки: антимонидов, галлия, индия, полирования, травитель, химического
...зеркально гладкой поверхности антимонидов индия и галлия без окисной пленки,Поставленная цель достигается тем, что травитель для химического полирования антимснидов индия и галлия, содери(ащцй плавиковую кислоту, перекись водорода и воду, дополнительно содержит молочную кислоту при следующем соотношении компонентов (вес. ): НГ1.120,МолочнаялотаВода 2 - 10 кис 30 - И Остальное.При использовании составов травптеля вне указанных пределов содержания компонентов качество обрабатываемой поверхности значительно ухудшается. Введение в состав травителя молочной кислоты, которая такие, как и плавиковая кислота, образует с сурьмой в кислых растворах растворимые комплексные соединения, обеспечивает получение зеркально гладкой поверхности...
Полирующий травитель для полупроводниковых кристаллов и способ травления
Номер патента: 860645
Опубликовано: 15.04.1983
Авторы: Бакланов, Земсков, Митькин, Репинский, Свешникова
МПК: H01L 21/306
Метки: кристаллов, полирующий, полупроводниковых, травитель, травления
...увеличения скорости гидролиза дифторида ксенона в воде, что может привести к нарушению стабильности процесса травления,20 25 30 П р и м е р. Раствор дифторидаксенона в воде готовят растворениемв бидистиллированной воде навесокдифторида ксенона, представляющего 35 собой белый порошок. Травление полупроводниковых кристаллов Са, 5,5 Аз п 5 Ь, СаР проводят в водномрастворе дифторида ксенона на травильной установке с вращающимся 40 фторопластовым стаканом, наклоненным под углом 70 . Образец погружаоют в стакан. Скорость вращениястакана 60-80 об/мин. Скорость травления оценивают по изменению весаобразцов за время эксперимента. Исходную концентрацию дифторида ксенона в воде в выполненных экспериментах варьируют от 0,1 до 2...
Раствор для травления антимонидов элементов третьей группы
Номер патента: 1033585
Опубликовано: 07.08.1983
Автор: Андреев
МПК: H01L 21/306
Метки: антимонидов, группы, раствор, травления, третьей, элементов
...0,4-0,5Вода ОстальноеНаличие в составе раствора изопропилового спирта позволяет повысить активность раствора. Это объясняется тем, что изопропиловый спиртпроявляет высокие поверхностно-активные свойства в связи с большой подвиж.ностью водорода гидроксильной группы.уменьшение концентрации изопропилового спирта приводит к значительному снижению скорости травления,а увеличение ведет к перерасходуреактива и снижению эффективностипроцесса травления.ФВведение фтористого натрия в количестве 0,4-0,5 вес, позволяетодновременно с повышением активности раствора стабилизировать процессхимического травления за счет окислительно-восстановительной реакцииМежду компонентами полупроводникаи азотной кислоты. Фтористый натрий в водном растворе...