Изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов или устройств, не предусмотренных в — H01L 21/44 — МПК (original) (raw)

Элемент интегральной схемы

Номер патента: 1707655

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Автономов, Корсаков, Мишачев, Седунов, Уздовский

МПК: H01L 21/44

...образом.На первый металлический электрод 2,расположенный на полупроодниковой подложке 1, подается импульсное напряжениеО, например, значением до 5 В, за счетемкостной связи между электродами 2 и 4подложки 1 и платы 5 на втором металлическом электроде 4 платы 5 возникает импульсное напряжение, значение которогоопределяется отношением емкостей, однаиз которых является паразитной емкостьюэлектродом 4 платы 5 и землей (С 2), а вторая- емкость между электродами 2 и 4 (С). Всостав емкости С", входит и входная емкостьприемника сигала, например затвораМОП-транзистора, подсоединенного к элекРоду 4 платы 5,Значение напряжения на электроде 4платы 5 (О 2) равноЧ 1О 21+В реальных устройствах отношение емкостьюне превышает единицы, поэтомуСО 2...

Контактная система к фотоэлектрическим преобразователям

Номер патента: 1378722

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Карепов, Климова, Рубан

МПК: H01L 21/44

Метки: контактная, преобразователям, фотоэлектрическим

1. КОНТАКТНАЯ СИСТЕМА К ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМ, содержащая слой титана, осажденный на поверхность кремния, барьерный слой и слой меди, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности путем создания эффективного барьера от меди в контактной системе, в качестве материала барьерного слоя использован нихром и барьерный слой выполнен толщиной 200 - 300 нм.Система по п.1, отличающаяся тем, что поверхность медного слоя покрыта слоем антикоррозийного металла или сплава.

Способ изготовления мдп-конденсаторов

Номер патента: 1752139

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Асеев, Гаганов

МПК: H01L 21/18, H01L 21/44

Метки: мдп-конденсаторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-КОНДЕНСАТОРОВ, включающий формирование диэлектрических и металлических слоев на поверхности полупроводниковой пластины, формирование топологии верхних металлических обкладок с площадью обкладки S0 групповым способом, причем толщины диэлектрических слоев и площади обкладок выбирают из условия соответствия их требуемой величине C0 емкости конденсаторов, измерение значений емкостей конденсаторов и разделение по классам точности, отличающийся тем, что, с целью воспроизводимости получения конденсаторов заданного класса точности, металлические обкладки формируют группами, отличающимися по площади в группе, при этом число n обкладок в каждой группе определяют согласно выражению