Для образования на них диэлектрических слоев, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии — H01L 21/469 — МПК (original) (raw)

Состав для защитного покрытия полупроводниковых приборов

Номер патента: 574063

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Беднова, Русинов

МПК: H01L 21/469

Метки: защитного, покрытия, полупроводниковых, приборов, состав

СОСТАВ ДЛЯ ЗАЩИТНОГО ПОКРЫТИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащий оксиды свинца, бора и цинка, отличающийся тем, что, с целью улучшения механических и теплофизических характеристик покрытия, он дополнительно содержит мелкодисперсный синтетический алмаз при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид бора - 13 - 16Оксид цинка - 4 - 5Мелкодисперсный синтетический алмаз - 15 - 20Оксид свинца - Остальное

Электролит для легирования оксидной пленки кремния мышьяком

Номер патента: 682055

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Ломакина, Милешко, Чистяков

МПК: H01L 21/469

Метки: кремния, легирования, мышьяком, оксидной, пленки, электролит

Электролит для легирования окисной пленки кремния мышьяком, содержащий азотную кислоту и этиленгликоль, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости результатов легирования и увеличения срока годности электролита, дополнительно он содержит ортомышьяковую кислоту, а компоненты взяты в следующем соотношении, об.%:Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 4 - 5Ортомышьяковая кислота (уд. вес 2,26 г/см3) - 0,5 - 10Этиленгликоль - Остальное