Термическая обработка для модификации свойств полупроводниковых подложек, например отжигом, спеканием — H01L 21/477 — МПК (original) (raw)
Способ изготовления детектирующей массы для контактного детектора
Номер патента: 12362
Опубликовано: 31.12.1929
МПК: H01L 21/477
Метки: детектирующей, детектора, контактного, массы
...одна десятая часть (по весу) окиси урана и сернистых соединений серебра, никеля и. кобальта или преимущественно одна десятая часть сернистых соединений ртути, цинка, меди и селена. Со свинцом может быть смешана в той же пропорции окись урана и сернистые соединения ртути, серебра, никеля и кобальта, Полученная таким образом смесь нагревается в тигли до температуры 1000 - 1100 С в течение 20 - 60 минут, Смесь охлаждается без искусственного замедления процесса остывания для получения мелко-зернистой кристаллизации, после чего ее размельчают и прессуют в таблетки обычным способом,Предмет патента А,ПЯТ:ПТ Я При пользовании таблеткои, как контактным детектором, по мнению авторов, имеется возможность применять любую спираль, вследствие...
Способ изготовления вентильных фотоэлементов и выпрямителей
Номер патента: 47015
Опубликовано: 31.05.1936
Автор: Лепешинская
МПК: H01L 21/477
Метки: вентильных, выпрямителей, фотоэлементов
...в. качестве полупро водников используется слой-из ураново 1 кислородных соединенийи заключаетсяв способе получения этого слоя.Кислородные соединения урана представляют собою вещества, являющиеся, плохими проводниками и некоторые из, них обладают чрезвычайно большим тем., пературным коэфициентом. Поэтому,подбирая надлежащий состав соедине-ния урана с кислородом-и переводя егосоответствующей обработкой в нужную модификацию, возможно получить ураново-кислородные вентильные фотоэлементы и выпрямители. Самый способ преобразования урановокислородных соединений заключаетсяв том, что указанные соединения подвергаются. в вакууме или., в атмосфереинертного газа или водорода термической обработке (нагреванию) с тем, чтобы перевести в такую...
Способ вплавления олова в кремний
Номер патента: 148145
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Носов
МПК: H01L 21/477
Метки: вплавления, кремний, олова
...размеров диаметра шара, соответствующего по весу навеске олова, Это позволяет получить равномерный фронт вплавления олова в кремний по всей поверхности их соприкосновения.На чертеже изображено устройство для осуществления предлагаемого способа вплавления олова в кремний.Оловянный шар 1, предназначенный для вплавления, немного расплющивается и помещается на кристалл кремния 2. Затем кремний с оловом помещается между двумя жестко связанными между собой пластинами 3 и 4, Расстояние между пластинами 3 и 4 должно быть меньше суммы размеров толщины кристалла кремни 2 и диаметра оловянного шара 1 до его расплющивания. После этого стройство помещают в нагревательную печь.По мере нагревания олово расплавляется и за счет сил поверхностного...
Способ электрической формовки точечного полупроводникового диодассгсоюзная, -, -, -п ч. ч-: ць: у, . j; . (• rtigt; amp; ” i wauk il. ija. с-1блиотка
Номер патента: 313244
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Выдра, Климов, Палей, Потупайленко, Шаповалов
МПК: H01L 21/477
Метки: rtigt, диодассгсоюзная, полупроводникового, с-1блиотка, точечного, формовки, ц•"•, электрической
...примесей. Вследствие этого эффективность микродефектов и дислокаций как центров рекомбинации усиливается. Последнее обстоятельство отрицательно сказывается на электрических параметрах диодов и является существенным недостатком цзвестньгх способов электрической формовки.Цель изобретения - уменьшение влияниянеконтролируемого флуктуацпоццого распре деления центров рекомбинации в объеме р-иперехода за счет сглаживания термического удара при охлаждении отформованной структуры путем уменьшения общего градиента температуры и введения принудительного ох лаждения.Цель достигается тем, что процесс электрической формовки точечных полупроводниковых диодов на основе германия и-типа осуществляют с предварительным прогревом дио дов при температуре...
Способ обработки селенида кадмия
Номер патента: 354497
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01L 21/477
...восстановить утерянные в результате длительного хранения технологические свойства селенида кадмия (способность к вакуумному напылению) и может быть использован при производстве полупроводниковых приборов, преи муществец но фотоэлектрических.Известен способ обработки некоторых полупроводниковых соединений путем циклического воздействия температур (термоциклировация) от комцатцой температуры ц выше, Известный способ це позволяет восстановить технологические свойства селецида кадмия, утерянные им в результате хранения.Цель данного изобретения заключается в восстановлении первоначальных технологических свойств (способности к высококачественному вакуумному напылению) селецида кадмия,Поставленную цель достигают путем многократной обработки...
Способ изготовления проводящих межсоединений
Номер патента: 368678
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: H01L 21/477
Метки: межсоединений, проводящих
...Сапунова, 2 к чередованию областей металлической и диэлектрической фаз, т. е. к системе проводников в диэлектрике, создаваемой и управляемой изменением температуры пленки, нанесенной на изолирующую подложку.Металлический рисунок электрической схемы формируется в толще однородной пленки диэлектрика, способного к фазовому переходу диэлектрик-металл (активного диэлектрика). Пленка наносится на изолирующую подложку, противоположная сторона которой поддерживается при постоянной температуре Т(0,8 Т, (по абсолютной шкале).Зоны нагрева до температур, больших Т в пленке активного диэлектрика могут создаваться электронным или световым лучом, что позволяет управлять конфигурацией зоны нагрева путем сканирования луча по заданной области поверхности...
Способ термообработки кремниевых пластин
Номер патента: 743489
Опубликовано: 30.07.1991
Автор: Шаповалов
МПК: H01L 21/324, H01L 21/477
Метки: кремниевых, пластин, термообработки
...интегральной схемы, которые, в свою очередь, отрицательносказываются на электрических парамет) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ КРЕМПЛАСТИН в процессе изготовлеегральных схем, включающий ихс дальнейшим охлаждением соью не более скорости, обуславй возникновение термическихний пластинах кремния,ч а ю щ и й с я тем, что,увеличения выхода годных,ы охлаждают со скоростью не0 С/мин.74 3489 Редактор Л. Письман Техред АКравчук Корректор Л, Патай Заказ 3129 Тираж 315 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 Иелью изобретения является увеличение выхода годных эа счет траничения скорости охлаждения...
Способ формирования проводящих участков на подложке арсенида галлия
Номер патента: 1742903
Опубликовано: 23.06.1992
Авторы: Бляшко, Кедяркин, Пекерская
МПК: H01L 21/477
Метки: арсенида, галлия, подложке, проводящих, участков, формирования
...коэффициентытермического расширения алюмосиликатного стекла и арсенида галлия близки (5 10 и 5,9 10 собтветственно), то минимизируются механические напряжения на границе раздела, что приводит к уменьшению механических повреждений пленки алюмосиликатного стекла и повышению качества маскирования, Кроме того, слой алюмосиликатного стекла наносят прикомнатной температуре и, следовательно,повышенные температуры не воздействуютна незащищенную поверхность арсенидагаллия. Интервалы температур и временидеструкции обуславливаются условиями,необходимыми и достаточными для сформирования защитного слоя. При температуредеструкции меньше 250 С и времени меньше 3 мин не полностью завершаются реакции разложения промежуточных продуктовгидролиза и...
Способ термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса a3b5 и устройство для его осуществления
Номер патента: 1304673
Опубликовано: 20.08.1996
Авторы: Дмитриев, Зайцев, Нечаев, Чернявский, Швецов
МПК: H01L 21/477
Метки: класса, пластин, полупроводниковыми, структурами, термообработки
1. Способ термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B5, включающий размещение пластин и источника компоненты B5 в контейнере, герметизацию контейнера, нагрев контейнера в потоке неокисляющего газа до температуры термообработки и выдержку при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров полупроводниковых структур, их воспроизводимости и технологичности обработки, герметизацию контейнера осуществляют в процессе нагрева при 450 - 550°С.2. Устройство для термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B3, включающее контейнер и герметизирующую крышку, отличающееся тем, что в торцевой части стенок...
Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик
Номер патента: 940608
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко
МПК: H01L 21/477
Метки: поверхностных, полупроводник-диэлектрик, полупроводников, слоев, структур, термической
1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения...
Способ отжига ионно-легированных полупроводников
Номер патента: 1028202
Опубликовано: 20.11.1999
Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников
МПК: H01L 21/477
Метки: ионно-легированных, отжига, полупроводников
Способ отжига ионно-легированных полупроводников, включающий импульсный СВЧ-нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса термообработки и повышения однородности отжига ионно-легированных слоев полупроводников с малой величиной проводимости, нагрев полупроводников проводят импульсом СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность импульса СВЧ-излучения 10-6 - 102С, основная частота СВЧ-излучения 950 Мгц - 10 ГГц, плотность поглощенной энергии СВЧ-импульса рассчитывают по формулеE T(Cndn+2