Содержащие несколько отдельных компонентов, конфигурация которых не повторяется — H01L 27/06 — МПК (original) (raw)
Полупроводниковая твердая схема «не—или»
Номер патента: 248847
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Кайдалов, Кщнс, Михалович, Осокин
МПК: H01L 27/06
Метки: «не—или», полупроводниковая, схема, твердая
...Кроме того, это соотношение в режиме открывания схемы дает возможность получить оптимальную связь между остаточным напряжением схемы и ее сопротивлением нагрузки.На чертеже схематически изображен кристалл полу.проводниковой твердой схемы НЕ - ИЛИ с обозначением типов проводимости каждой области,Кружками обозначены места присоединений электродных выводов, Электродные выводы от р+-областей 1 и 2 - выводы (электроды) земли. Выводы (электроды) от и-областей 3 и 4 - входы твердой схемы, Схема имеет общий выход 6, минимально отдаленный от р+-областей. В общей р-области расположено сопротивление нагрузки между выходом 5 и электродом б, присоединенным к.минусу источника питания.К общей части и-типа к выводу (электроду) 7 прикладывается...
Всесоюзная 5nai; lhtw-gt; amp; -xu. rt.; asбл 1-ю г на
Номер патента: 310597
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: H01L 27/06
Метки: 5nai, asбл, lhtw-gt, всесоюзная
...при этом парязитныЙ ток, я с 1 Гияльн 111 Контякт к кол,скторной Ооласти рас)олагяется в Оо,яст 1 минимального потенциала поля растекания.Многоэмиттерный транзистор выполнен попланарпо-эпптаксиальной технологии па ремз ппевой пластине р-типа и содержит эпитаксиальный коллектор с высоким удельным сопротивлением, в котором диффузией сформирована базовая область с омическим контактом.В базовой области расположены два или бо лее дифс 1)узпонных, адресных эмиттсров и одининфорхЯционпы 1. Коллектор имеет два невы- прям,чяющих контакта, один из которых является сигнальным, а второй - токозадающим.В данной констр кции ток одного илп песколь ких открытых адресных эмиттеров, протекачерез коллекторную область к токозадающему коллекторному...
Микроэлектронная схема управления
Номер патента: 736222
Опубликовано: 25.05.1980
Авторы: Ерохин, Коноплев, Пономарев, Фомичев
МПК: H01L 27/06
Метки: микроэлектронная, схема
...7362двухтакт:ого сигнала, база - к общей шине,а коллектор - к базе выходного транзистора 3второго типа проводимости, эмиттер которогоподключен к общей шине, а коллектор - квыходной шине, введены разрядный 4 и ключевой 5 транзисторы второго типа проводимостии токозадающий транзистор б первого типапроводимости, эмиттер которого соединен сшиной 7 второго такта управляющего двухтактного сигнала, коллектор - с коллектором 10разрядного транзистора 4, база которого подключена к эмиттеру входного транзистора 1,и с базой ключевого транзистора 5, коллекторкоторого подключен к базе выходного транзистора 3, а эмиттер - к общей шине, к которой подсоединены база токозадающего транзистора 6 и змиттер разрядного транзистора 4.Устройство работает...
Интегральная схема
Номер патента: 858494
Опубликовано: 07.12.1988
Автор: Познанский
МПК: H01L 27/06
Метки: интегральная, схема
...канала конец этой области соединяется с положительным полюсом источника питания в случае р-канального транзистора,. При этом в качестведиода для отвода тока утечки затворатранзистора используется . р-и переход,образованный между подложкойи областью сопротивления. Входнойомический контакт выполняется на поверхности подложки.Устройство по изобретению может быть использовано, например в миниатюрном электретном микрофоне, для миниатюрного слухового аппарата, а также для усиления слабых электрических сигналов от высокоомных датчиков информации, в качестве высокоомного входа измерительных усилителей и преобразователей переменных электрических сигналов в постоянный ток, в сенсорных системах управления. Изобретение относится к...