С плоскими электродами — H01M 6/12 — МПК (original) (raw)

Первичный источник тока галетного типа

Номер патента: 135925

Опубликовано: 01.01.1961

МПК: H01M 6/12, H01M 6/22

Метки: галетного, источник, первичный, типа

...слой 2 толщиной 0,25 - 0,2 люл.На смоченную растворителем поверхность электропроводного слоя насыпается нужное количество цинкового порошка, который образует отрицательный электрод 3. Порошок разравнивается и подклеивается к электропроводному слою.На цинковый отрицательный электрод 3 напудривается слой крахмала, вставляется бумажная диафрагма 4 и добавляется нужное количество электролита с сулемой для амальгамации цинка. В электролите содержится, кроме нашатыря, также хлористый цинк и хлористый кальций в количествах, достаточных для образования самозагустевающей пасты. Поэтому электролит замачивает нанесенный на цинк слой крах. мала и образует слой массы о, имеющий консистенцию мастики.135925 Сверху бумажной диафрагмы 4 укладывается...

Способ изготовления отрицательного электрода галетного первичного элемента

Номер патента: 408399

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Алексеев, Доброхвалов, Рум

МПК: H01M 4/08, H01M 6/12

Метки: галетного, отрицательного, первичного, электрода, элемента

...последовательностадии предлагаемого способа изготовленияотрицательного электрода галетного первичного элемента,Предлагаемый способ заключается в следующем.В плоском шибере-дозаторе осуществляютобъемное дозирование пастированного цинка.При этом форма отверстия в шибере не совпадает с формой полости в пластмассовом корпусе 1 элемента. Отверстие имеет меньшиеразмеры в плане при большей толщине. Последозирования шибер устанавливают над пластмгссовым корпусом 1 элемента и дозу 2 переталкивают из шибера в корпус 1. Вслед заэтим в пластмассовый корпус элемента вводятпуансон д (см. фиг. 1), который прижимает5 к буртику корпуса 1 выдвижную оправку 4с усилием 3 5 кг, запирая полость. При дальнейшем ходе пуансон 3 раздавливает дозу 2,полностью...