Усилители, в которых используются эффекты сверхпроводимости — H03F 19/00 — МПК (original) (raw)

Способ усиления электромагнитных излучений

Номер патента: 148441

Опубликовано: 01.01.1962

МПК: H03F 19/00

Метки: излучений, усиления, электромагнитных

...усиления; коэффициент усиления при этом равен величине 1 ф, где К - коэффициент поглощения, а 1. - ,толщина слоя (см. авт, св.123209 В. А. Фабриканта, М. М, Вудынского и Ф. А. Бутаевой с приоритетом от 18 июня 1951 г.).Предлагаемый способ отличается тем, что в нем применено многократное прохождение сигнала через усиливающую среду, так как коэффициент усиления экспоненциально растет с увеличением длины пути, проходимого излучением в среде, Это отличие позволит значительно увеличить коэффициент усиления.Примером среды с отрицательным поглощением может служить специальный газ или смесь газов, Требуемое неравновесное состояние создается путем воздействия на среду специальных агентов (разряд, облучение и т. д.), При этом частицы среды...

Радиоприемное устройство сеч

Номер патента: 205080

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Алфеев

МПК: H03F 19/00, H03F 7/04, H04B 1/16 ...

Метки: радиоприемное, сеч

...возможности подключения смесителя при одновременной работе усилителя в двух режимах: на отражение и на проход с преобразованием частоты, Напряжение смещения на диод подается с противоположного плеча циркулятора по центральному проводнику через коаксиальную нагрузку 22 с емкостным контактом по внешней оболочке, а в тракте накачки усилителя установлен двухконтурный фильтр 23, одна из резонансных диафрагм которого содержит полупроводниковый переход - аттенюатор, находящийся под воздействием внешнего напрякения. Разделение стволов приема осущесгвлено вне криостата в полосе частот, пропускаемых охлажденным блоком, а режекторные фильтры 24 с подключенным к облучателю антенны 25 тройником, обеспечивающие дополнительную развязку приемника от...

346781

Номер патента: 346781

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Рабухин

МПК: H03F 19/00

Метки: 346781

...продольного криотрона напыляется туннельный криотрон и т. д.Усилитель работает следующим образом.Пленки 1, 2, 3, 3 и 4 криотронов находятся при температуре ниже критической для матс- риалов, пз которых они изготовлены, причем пленки 1, 2 и 3 в процессе работы всегда остаются в сверхпроводящем состоянии. С помощью токов 1 и 1 З вентиль 4 переводится в промежуточное состояние, причем ток 1, должен быть меньше критического тока для сверхпроводящих вентилей 3 и 3, а ток 1 З должен быть меньше критического тока 1 нр для вентиля 4 при заданной температуре, Затем в цепь управления туннельного криотрона с пленкой 1 подают постоянный ток 1, смещения такой величины н полярности, чтобы обеспе346781 Предмет изобретения Составитель И. Мишустииехред...

Параметрический усилитель

Номер патента: 651735

Опубликовано: 05.03.1979

Автор: Артур

МПК: H03F 19/00

Метки: параметрический, усилитель

...элементы 4 и сверхпроводникавая перемыч 7 слабо связаны в джозефсоновс переходах 1 и 2. Ток от источи 8 питания проходит параллельно через переходй 1 и 2. Этот ток увеличивается до такой величины, что он превосходят общий 1 сритический ток двух переходов. Так как ток постоянен (импеданс - щель 5 предполагается нерассеивающей), среднее напряжение через оба перехода одинаковое, а через переходы 1 и 2 производятся колебательные излучения с частотой, не зависящей от времени.Если, однако, через вводы 9, 10 прикладывается напряжение 10 В,се35 относительная фаза колебаний каждого перехода 1, 2 реверсируется, и, соответственно, изменяется и напряжение, измеренное на выводах 11,16517 35 Формула изобретения Куз йко вит ел...

Усилитель

Номер патента: 1775845

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Гвоздев, Глущенко, Кузаев, Скулаков

МПК: H03F 19/00

Метки: усилитель

...диэлектрической подложки, и дополнительный слой сверхпроводника, нанесенный на противолежащей поверхности дополнительного ферритового слоя.На чертеже приведен в аксонометрии общий вид усилителя. Усилитель содержит ортогонально намагниченную многослойную пластину 1 со следующей структурой; слой сверхпроводника 2 - ферритовый слой 3 - диэлектрическая подложка 4 - ферритовый слой 5 - слой сверхпроводника 6. Линия передачи 7 выполнена в виде прямоугольного волновода, вдоль оси которого установлена без зазора ортогонально широким стенкам 8 и 9 многослойная пластина 1, по обе стороны от которой в широких стенках выполнена продольная щель 10 и 11, к кромкам одной из продольных щелей, например, 10 подключены выводы источника постоянного...

Параметрический усилитель

Номер патента: 657712

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Куликов

МПК: H03F 19/00

Метки: параметрический, усилитель

Параметрический усилитель, содержащий две катушки индуктивности, входящие в состав входного и выходного колебательных контуров, и сверхпроводящий элемент, соединенный с генератором накачки, отличающийся тем, что, с целью расширения полосы рабочих частот, сверхпроводящий элемент выполнен в виде короткозамкнутого витка и установлен между катушками индуктивности, параллельно их витками.

Параметрический усилитель

Номер патента: 743537

Опубликовано: 27.08.2000

Автор: Куликов

МПК: H03F 19/00

Метки: параметрический, усилитель

Параметрический усилитель по авт. св. N 657712, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик, в него введен управляющий элемент, который выполнен в виде расположенных в одной плоскости аксиально короткозамкнутому витку двух полуколец, одни противолежащие концы которых соединены перемычкой, а другие подсоединены к генератору накачки.