Цепи с использованием элементов или техники, не предусмотренных в группах — H03H 2/00 — МПК (original) (raw)

Полосовой параметрический фильтр

Номер патента: 168529

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Галынкер, Долгалев, Караулов, Тафт

МПК: H03H 2/00

Метки: параметрический, полосовой, фильтр

...первого параметрона через инвертор к первому входу дения, а выход второго параме тудно-частотная характеристика щена в область более низких ча чен ко второму входу схемы со позволяет построить фильтр с руемой П-образной амплитудно рактеристикой. 6 устройст та сигнала ниже частот она, Сигнал утствует. Е частоты 10 ен один пар на выходеавлены амплитудно-частотпараметронов, на фиг. едлагаемого фильтра. Ампхарактеристики двух параы так, как показано па фиг. ая зона образует полосу 25 ра. Ширину полосы проможно регулировать, перестеристику 1 первого парактеристику 2 второго пара 30 1 предст еристик хема пр стотные овмещен ихованн я фильт ильтра о хара бо хара ибо обе. жит выше частоты, араметрона не возе 6 при этом отсутПодписная группа М...

Электрический фильтр

Номер патента: 807478

Опубликовано: 23.02.1981

Авторы: Александров, Ананьев, Доюженко, Лоза, Яловега

МПК: H03H 2/00

Метки: фильтр, электрический

...необходимой2 структуры.При включении электрического фильтра спиральные индуктивные элементы 2 соединяются последовательно, а источник сигнала и нагрузка подключаются соответственно между отводами их катушек и экраном 1,Выполнение экрана 1 анизотропнопроводящим снижает, влияние экрана на параметры спиральных индуктивных 30 элементов 2. Активные потери по сравнению с известным уменьшаются на 50- 70, индуктивность увеличивается на 30-50, Выбор структуры к формы экрана 1 позволяет установить оптималь ную индуктивную (Кб=0,26) и емкостную связь между отдельными звеньями и обеспечивает наилучшие для неиска женной передачи сигнала, Емкостные и индуктивные корректирующие элементы позволяют установить линейную фазовую характеристику отдельных...

Устройство на поверхностной магнитостатической волне

Номер патента: 1738049

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Гаврилко, Иванова, Маряхин, Нам, Хе

МПК: H01P 1/215, H03H 2/00

Метки: волне», магнитостатической, поверхностной

УСТРОЙСТВО НА ПОВЕРХНОСТНОЙ МАГНИТОСТАТИЧЕСКОЙ ВОЛНЕ, содержащее установленную в магнитном поле металлизированную подложку из гадолиний-галлиевого граната, на которой расположена монокристаллическая пленка иттрий-железного граната с частичным замещением ионов железа немагнитными ионами, установленные параллельно вектору магнитного поля входной и выходной преобразователи волны СВЧ в магнитостатическую и наоборот, отличающееся тем, что, с целью улучшения температурной стабильности рабочей частоты в дециметровом диапазоне длин волн, подложка из гадолиний-галлиевого граната выполнена с ориентацией (001), при этом продольная ось монокристаллической пленки иттрий-железного граната, перпендикулярная входному и выходному преобразователям,...