С использованием поверхностных акустических волн — H03H 9/42 — МПК (original) (raw)
Акустоэлектронное устройство на поверхностныхакустических волнах
Номер патента: 836777
Опубликовано: 07.06.1981
Авторы: Добровольский, Лаповок, Леманов, Морохов, Смоленский, Трусов, Шерман
МПК: H03H 9/42
Метки: акустоэлектронное, волнах, поверхностныхакустических
...контуром 5, подключенным ко входу осциллографа 6, Фотоприемник 4 может быть выполнен в виде матрицы отдельных парциальных фотоприемников, Число входных преобразователей 2 в предложенном устройстве может быть от одного и более, в зависимости от конкретного назначения устройства. Расстояние от фотоприемника 4 до слоя люминофора 3 в зависимости от назначения устройства может составлять от долей до десятков мм. Вместо слоя люминофора 3 на звукопроводе 1 может быть расположен светодиод (или матрица светодиодов) .Предложенное устройство может выполнять различные функции: линии задержки, линии задержки с регулируемым временем задержки, фильтра, коррелятора и др.В случае простейшей линии задержки устройство может содержать только один входной...
Ультразвуковая линия задержки на поверхност-ных акустических волнах
Номер патента: 836778
Опубликовано: 07.06.1981
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхност-ных, ультразвуковая
...и расположенные на его поверхности излучающий и приемный встречно-штыревые преобразователи и слой диэлектрика, слой диэлектрика размещен между электродами преобразователей, а в качестве диэлектрика использован 0 окисел,металла, служащего материаломэлектродов.На чертеже показана конструкцияложенной линии задержки.Она содержит пьезоэлектрический звукопровод 1 и расположенные на его поверхности излучающий 2 и приемный 3 преобразователи. В межэлектродных промежутках преобразователей 2 и 3 размещен слой диэлектрика 4, В качестве материала диэлектрика использован окисел металла, из которого выполнены электроды преобразователей 2 и 3. Тс гущина слоя диэлектрика 4 равна толщине лектродов преобразователей 2 и 3.При подаче сигнала на...
Рециркулятор на поверхностныхакустических волнах
Номер патента: 836779
Опубликовано: 07.06.1981
Автор: Муратов
МПК: H03H 9/42
Метки: волнах, поверхностныхакустических, рециркулятор
...и выходной 3 ВШП. Гальванически связанные секции штырей выходного ВШП 3 через усилитель 4 подключены к входу сумматора 5, а секции штырей 15 входного ВШП 2 гальванически развязаныи каждая из них через эмиттерный повторитель 6 и узкополосную согласую 1 цую цепь 7 подключена к выходу сумматора 5.Принцип работы рециркулятора с широкополосной ЛЗ ПАВ заключается в следуЗ 1 ющем.Широкополосный сигнал, подаваемыйна вход рециркулятора, с выхода сумматора 5 поступает одновременно на п входов836779 формула изобретения Составитель Т. Панина Техред А. Бойкас Корректор Ю Макаренко Тираж 988 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патенй, г. Ужгород, ул....
Многоотводная линия задержки наповерхностных акустических волнах
Номер патента: 849440
Опубликовано: 23.07.1981
Автор: Речицкий
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, многоотводная, наповерхностных
...0 П И С А Н И Е р 1849440ИЗОБРЕТЕН ИЯ38494Поставпеннвя цепь достигается тем,что в многоотвоаной нинин зааержки, содержащей пьезоэлектрический эвукопровоа в форме камертона с плавно закругленным торцом и расположенные на па 5 раллельнык рабочик поверкностяк ветвей звукопровода акустически последовательно входной и выходные преобразователи поверхности акустических воин, входной преобрвзоватепь состоит из двух секций, 10 расположенных на одной из ветвей звукопровоав и сдвинутых друг относительно друга вдоль ее длины и ширины, при этом все выходные преобразоватепи расположены на другой ветви эвукЬпровода. 15На фиг. 1 показана конструкция пред-, лагаемой пинии задержки, на фиг. 2 а, б - рабочие поверхности первой и второй ветвей...
Многоотводная линия задержки наповерхностных акустических волнах
Номер патента: 849441
Опубликовано: 23.07.1981
Автор: Речицкий
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, многоотводная, наповерхностных
...структурная схдки на поверхностных акустических волнах, ма многоотводной пинии задержки; на.5содержащая пьезоэлектрический звукопро- . фиг, 2 графики работы линии эааержки.воа и расположенные на его поверхности . Входной преобразователь 1 и вьпсодньтевходной и выходные преобразователи по-преобразователи 2 расположены в общем .верхностных волн 1:, акустическом потоке на поверхности пьезоюНедостатком известной линии задержки, электрического звукопровода 3. Шаг выявляется искажение электрических харак- . хоЗаых преобразователей 2теристик.Цель изобретения - уменьшение искажений электрических характеристик. т6 =б, ф Ц 4 ЮПоставленная цель постигается тем,что в многоотводной линии задержки, содержащей пьезоэлектрический звукопровод...
Линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 860283
Опубликовано: 30.08.1981
Автор: Рождественский
МПК: H01L 41/04, H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных
...положением воздушного пузыря 5 на поверхности пьезоподложки 1. Акустический луч, распространяющийся по пьезоподложке, имеет ширину, равную апертуре преобразователей и размеру воздушного пузыря 5. Места склейки полуцилиндра 3 с пьезоподложкой 1, а также молекулярный слой жидкости между воздушным пузырем 5 и рабочей поверхностью пьезоподложки 1 вносят незначительное постоянное затухание в линию задержки, порядка 1-3 дБ. Следовательно, начальное затухание в ЛЗ, обусловленное влиянием мест склейки полуцилиндра 3 с пьезоподложкой 1 и 35 молекулярным слоем жидкости между воздушным пузырем 5, перекрывающим: акустический луч, и рабочей поверхностью пьезоподложки 1, не превышает 3 дБ, При изменении пространст О венного положения ЛЗ...
Линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 900409
Опубликовано: 23.01.1982
Авторы: Дятлов, Клименко, Макаров, Мирошниченко
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных
...дисперсионную линию 5 задержки, генератор б тактовых импульсов, ключ 7,генератор 8 строба (ждущий мультивибратор строба сигнала), смеситель9, гетеродин 10 инвертора, спектра.Устройство работает следующим образом.Входной сигнал подают на модуля -тор 1, одновременно, при помощи детектора 4 огибающей запускается генератор б тактовых импульсов, который управляет моментом запускаперестраиваемого гетеродина 2, ждущего мулътивибратора 8 строба сигнала и гетеродина 1 О инвертора спектра, с выхода модулятора усиленныйсигнал усилителем 3 подают на дисперсионную линию 5 задержки, времязадержки выходного сигнала которойзависит от центральной частоты 40преобразованного модулятором 1 входного сигнала, таким образом на выходе дисперсионной...
Преобразователь поверхностных акустических волн
Номер патента: 980255
Опубликовано: 07.12.1982
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волн, поверхностных
...друг с другом.Вследствие пьезоэффекта электрический сигнал создает в звукопроводе 1систему переменных деформаций, которая возбуждает ПАВ. Волны, распространяющиеся по направлениям 5 и 6 к45краям звукопровода, гасятся акустическим поглотителем, Волны, распространяющиеся в направлениях 7 и 8, могут регистрироваться приемными преобразователями любого типа . Простран- ффственные периоды электродов в основной и дополнительной системах 2и 3 могут быть различными. Выполнение слоя 4 из пьезоэлектрика позволяет повысить эффективность преобразо" ззвания. При.этом возможно расширениеклассов материалов для звукопровода "и выполнение его из непьезоэлектри 5 4ческого материала, Принцип действияпреобразователя с пьезоэлектрическимслоем отличается от...
Рециркулятор на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1008886
Опубликовано: 30.03.1983
Автор: Муратов
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, поверхностных, рециркулятор
...встречно направленных экнидистантных гребенок с соосным расположением штырей, между которыми параллельно им размещены 65 пассивные штыри, причем выходнойэквидистантный встречно-штыревойпреобразователь и соответствующаяему .выходная встречно-штыревая структура включены гальванически противофазно.При этом между и выходными встречно-штыревыми преобразователями и соответствующими им встречно-штыревыми структурами расположено поглощающее покрытие,На чертеже изображена, структурная схема рециркулятора на ПАВ.Рециркулятор содержит последовательно соединенные в кольцо сумматор 1 и широкополосную линию задержки (ЛЗ) 2 с эквидистантными входным3 и выходным 4 встречно-штыревымипреобразователями иэ разнесенныхпо ширине эвукопровода каналов с...
Фокусирующий преобразователь поверхностных акустических волн
Номер патента: 1015486
Опубликовано: 30.04.1983
Авторы: Алексеев, Злоказов, Плужников
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волн, поверхностных, фокусирующий
...сек, ция 1 расположена в центре преобразователя. Б секций расположено поодну сторону от секции 1, другие Нсекций - по другую сторону в параллельных акустических каналах (раз.несены вдоль апертуры преобразователя) . Число (20+1)секций преобразователя (где Я -положительное целоечисло) определяется требуемой эффективностью Фокусирования и геометрическимр размерами используемойпьезоподложки (не показана . Количество пар электродов определяетсяисходя ие требуемых частотных характеристик преобразователя, Величи на апертур секций преобразователя определяется по аналогии с шириной кольца соответствующего номера зоны Френеля. Разбиение на зоны производится так, чтобы акустическая разность хода от соответствующих границ (внутренних или...
Линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1015487
Опубликовано: 30.04.1983
Автор: Муратов
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных
...выполнениз двух соединенных электрически па раллельно секций, расположенных безсдвига в параллельных акустическихканалах, при этом расстояние междусерединами перекрытий штырей в секциях постоянно вдоль направленияраспространения ПАВ и равно половине апертуры выходного преобразователя.На чертеже показана линия задержки. ду серединами перекрытия штырей всекциях 3 постоянно вдоль направления распространения ПАВ и равно.Ь2, где Ь - полная апертура выходного преобразователя. Выходной преобразователь (секции 3) наклонен квходному 2 под углом М= в , где ЛЗЬдлина ПАВ (на средней частоте преобразователей).Предлагаемая линия задержки работает следующим образом,Фронт излученной преобразоватеяем2 ПАВ составляет угол Ч с направлением штырей...
Перестраиваемая линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1048567
Опубликовано: 15.10.1983
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, перестраиваемая, поверхностных
...задержки; нафиг, 2 - звукопровод с полосковымиэлектродами, входящими в состав уст 1 О ройства, обеспеЧивающего изменениечастоты (источники магнитных полей"не показаны) .Лерестраиваемая линия задержки содержит звукопровод 1 (непьеэоактивную подложку) и два расположенныхна концах звукопровода преобразователя 2 и 3, выполненные из магнитострикционного материала. Преобразователи представляют собой системужестко связанных со звукопроводоммагнитострикционных полосковых электродов 4, ширина а и период д которых вдоль направления распространения ПАВ задается регулируемым параметром и законом его изменения . Преобразователи 2 и. 3 помещены в смещающее постоянное магнитное поле,а входной преобразователь 2, крометого, в переменное магнитное...
Линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1050096
Опубликовано: 23.10.1983
Авторы: Балакирев, Белостоцкий, Федюхин
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных
...расположены излучающий иприемный преобразователи и размещенная между ними пленочная структура, пленочная структура выполненаиз слоя диэлектрика и расположенно- .го поверх него слоя проводника, 3при этом толщина слоя диэлектрикаЪ и толщина слоя проводника Ъвйбраны из условияЧ.( 1Э н 4 аз еЬ +Ъ (013,где Я и Е - диэлектрические проницаемости слоя ди-.Ээлектрика и материала звукопровода соответственно;Ч - скорость ПАВ,и У - нижняя и верхняян ечастоты соответственно полосы пропускания ЛЗ;3 - длина ПАВ,На чертеже показана конструкцияпредложенной ЛЗУстройство содержит пьезоэлектрический звукопровод 1, излучающий преобразователь 2, приемный преобразователь 3, пленочную структуру, состо-.ящую иэ слоя диэлектрика 4 и...
Линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1054885
Опубликовано: 15.11.1983
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных
...отражакдпей струк ттреНедостатком известной ЛЗ является нали,чие на ее выходе ложных сигналов, возникающих при повреждениях электродов многополосковых элементов и при отклонении параметров отражающей структуры ,от расчетного значения, так как в этих случаях происходит неполное гашение волн в начальном акустическом канале.Цель изобретения - уменьшение ложных сигналов ЛЗ на ПАВ.Цель достигается тем,что в ЛЗна ПАВ, содержащей пьезоэлек трический звукопро вод и расположенные на его поверхности в параллельных акустических каналах входной и выходной преобразователи и размещенные на пути распространения поверхност- ной акустической волны аве отражаюшие структуры, каждая из которых образована прямым и О -образным многополосковыми 885...
Фокусирующий преобразователь поверхностных акустических волн
Номер патента: 1131026
Опубликовано: 23.12.1984
Авторы: Алексеев, Злоказов, Карро-Эст, Поляков
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волн, поверхностных, фокусирующий
...сходящегося волнового фронта,Целью изобретения является повыше ние эффективности фокусирования энергии ПАВ.Поставленная цель достигается35 тем, что в фокусирующем преобразователе ПАВ секции преобразователя в каждой группе из 1 секций выполнены с возрастающим к периферии преобразователя количеством пар встречноштыревых электродов, выбранным из соотношения На чертеже представлен фокусирующий преобразователь ПАВ.Фокусирующий преобразователь ПАВ содержит пьезоэлектрическую подложкус расположенной на ней системой встречно-штыревых электродов 2, разделенной по апертуре симметрично относительно оси преобразователя на (2 М+ 1) с екций 3 .Секции преобразователя в каждой группе из 1 секций выполнены с возрастающим к периферии числомпар...
Преобразователь поверхностных акустических волн
Номер патента: 1150729
Опубликовано: 15.04.1985
МПК: H03H 9/145, H03H 9/42, H03H 9/64 ...
Метки: акустических, волн, поверхностных
...формы с четырьмя прямолинейными участками, два противоположных из которых параллельны акустической оси преобразователя, диэлектрическое звукопоглощающее покрытие, расположенное поверх соответствующих трех прямолинейных участков витков спиральной электродной структуры, сплошной электрод, расположенный на нерабочей поверхности звукопровода и соединенный с общей шиной, четвертые прямолинейные участки витков спиральной электродной структуры выполнены наклонными относительно нормали к акустической оси преобразователя в сторону внутренней части плоской многовитковой спи 5 15 20 25 ЗО 35 40 45 50 55 рали на угол к, величина которого определяется соотношением где Чо. - скорость распространения ПАВ впьезоэлектрическом...
Линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1159155
Опубликовано: 30.05.1985
Авторы: Базлова, Бондаренко, Дроздова, Крутов, Савченков, Салынский
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных
...составляет 40-70 мас.Ж.1159155 Составитель В,Банков в Техред М.Пароцай Редактор И. Рыбченко Корректор А.Зимокосов Заказ Зб 07/55 Тираж 872 . Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ПГП 1 "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,Изобретение относится к радиоэлектронике иможет быть использованон акустоэлектронных устройствах на поверхностных акустических волнах (йВ),Целью изобретения является уменьщение уровня ложных сигналов н линиизадержки на ПАВ,На чертеже представлена конструкция линии задержки.Линия задержки на ПАВ содержит 1 Опьезоэлектрический звукопровод 1,расположенные на его рабочей поверхности входной и выходной электроакустические...
Управляемый автогенератор на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1683171
Опубликовано: 07.10.1991
Авторы: Банков, Заковоротный, Кац, Орлов, Петин
МПК: H03B 5/32, H03H 9/42
Метки: автогенератор, акустических, волнах, поверхностных, управляемый
...взаимного расположения, а значит, генерация будет осуществляться на тех же модах 1 - 3). ФЧХ такого частотозадающего элемента в виде двухканальной ЛЗ остается линейной, а изменение фазы в цепи ОС может составлять + л без перескоков с моды на моду, Таким образом, диапазон перестройки частоты увеличивается в два раза по сравнению с автогенерэтором на основе с одноканальной ЛЗ.При нечетном количестве каналов И = 3, 5, 7 и т,дэ также при й = 6, хотя диапазон перестройки и расширяется, но ФЧХ частотозадающего элемента становится нелинейной, что требует резкого усложнения фазовращателей 8 и цепей управления ими, а таже может привести к генерации непредсказуемых мод,При й = 2, 4, 8 ФЧХ сохраняется линейной, а при М = 2, 4 система управления...
Устройство на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1764138
Опубликовано: 23.09.1992
МПК: H03H 9/42, H03H 9/64
Метки: акустических, волнах, поверхностных
...м;: : тбте синхроййзма акуСтическая энергия,р, 9 - внешнее и внутреннее попереч- отраженная отражающими структурами 3, ные волновые числа соответственно; .5 ответвляетсявследующую пару связанных1 О - длина участка направленной свя- врлноводов (фиг. 8, эпюра АЧХ в точке "г"), зи, выраженная в длийэх поверхностных Каскадное соедйнение связанных волновоакустических волн.:;: " .. дов увеличиваетвнеполосйое подавление иНа фиг, 1 приведены частотные зави-:приводит краздвоению цейтрального лепесимости: 1 - отражения от отдельной отра стка в точке "д"; Как известно, внеполосное жающей структуры; 11 - . множителя," "подавление в резонаторах типа Фабри-Певозникающего из-за взаимного сдвига двух:роогранйчиваетсяпрямым прохождением с отражающих...
Дисперсионное устройство на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1777232
Опубликовано: 23.11.1992
Авторы: Забузов, Литвиненко, Чулин
МПК: H03H 9/42, H03H 9/64
Метки: акустических, волнах, дисперсионное, поверхностных
...расположенияпассивных и активных электродов выбраныодинаковыми.На чертеже показана конструкция дисперсионного четырехполюсника на ПАВ,Дисперсионный четырехполюсник наПАВ содержит пьезоэлектрический звукопровод 1, на рабочей грани которого расположены входной ВШП, выполненныйнаклонным и неэквидистантным, и выходной эквидистантный ВШП 2, рабочие апертуры которых вдоль направленияраспространения ПАВ совпадают, Наклонный неэквидистантный ВШП содержит активные 3 и пассивные 4 электроды.Пассивные электроды 4 размещены вдольпродольной оси входного ВШП, начиная отпоследнего его активного электрода в сторону выходного В Ш П 2, Активные электроды 3 одной фазы входного ВШПподключены к токопроводящей шине 5, аактивные электроды 3 другой фазы и...
Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1810986
Опубликовано: 23.04.1993
Авторы: Григоревский, Кундин, Плесский
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных
...ними, в решетках венным шагом= и, и полосок 10 - с6 и 7 может, в частности, соответствовать пространственным шагом= ин. При этомсигналу с линейной частотной модуляцией образуются две системы отражательных.(ЛЧМ-сигналу). На чертеже показана конст . элементов с резонансными частотами н ирукция ДЛЗ на ПАВ для формирования так (являющимися в данном случае заданныминазываемогосигнала "ЛЧМ-вниз",прикото- частотами подавления), соответственно, иром пространственный шаг отражательных на краях АЧХ ДЛЗ реализуется заданноеэлементов решеток 6. и 7, увеличиваясь по подавление сигнала, уровень и форма которонаправлению от преобразователей 4 и 5, 45 го определяются количеством полосок М 1 и М 2,изменяется от мин = бмин+ д" мин = нИ 21 до Для...
Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1627052
Опубликовано: 15.01.1994
Автор: Молотков
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных
.../Под ред. Г.Мэттьюза дио и связь, 1981, с. 319-322,Агпзтгопд .1,А, е а 1 Еп 91 пеег 1 п апд еча 1 цат 1 оп о 1 БАЮ ро 1 ве согп И 11 егэ МФ 1 оа тгпе вснеОЬез.Т 1 е Вабо апг Е 1 ес 1 гопс Еп 91 пе ч.46, йг 5, р,222,кустиче М Ра Оез 19вопг, 197 родов совпадало бы с расстоянием между средними линиями двух соседних электродов первого ВШП 2, середина области пере- крытия которых лежит в данном сечении апертуры акустического канала. Ширина электродов второго ВШП 3 должна быть такой, чтобы в каждом сечении апертуры акустического канала отношение ширины электрода к расстоянию между серединами соседних электродов равнялось коэффициенту металлизации, Угол наклона первого ВШП 2 определяется его протяженностью, апертурой и полосой...
Регулируемая линия задержки на поверхностных акустических волнах (пав)
Номер патента: 1258281
Опубликовано: 10.04.1995
Авторы: Алексеев, Ермолов, Злоказов, Проклов
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, пав, поверхностных, регулируемая
РЕГУЛИРУЕМАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ (ПАВ), содержащая звукопровод, выполненный из монокристалла редкоземельного молибдата в виде бидоменной пластины, плоскость доменной границы которой перпендикулярна большим граням звукопровода, размещенные на рабочей поверхности звукопровода входной и выходной встречно-штыревые преобразователи (ВШП), акустические оси которых взаимно ортогональны и образуют с плоскостью доменной границы углы /4 и 3 /4 соответственно, управляющие электроды, размещенные на больших гранях звукопровода между входным и выходным ВШП, источник регулируемого...
Регулируемая ультразвуковая линия задержки
Номер патента: 1459592
Опубликовано: 30.04.1995
Авторы: Алексеев, Задоркина, Мануилов, Проклов, Соболев
МПК: H03H 9/30, H03H 9/42
Метки: задержки, линия, регулируемая, ультразвуковая
РЕГУЛИРУЕМАЯ УЛЬТРАЗВУКОВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ, содержащая звукопровод, выполненный в форме прямоугольного параллелепипеда из монокристалла сегнетоэластика сегнетоэлектрика редкоземельного молибдена, изоморфного молибдату гадолиния, на двух противолежащих торцовых гранях которого размещены соответственно входной преобразователь продольной моды колебаний, выходной электроакустический преобразователь и управляющие электроды, расположенные на двух противолежащих полярных боковых гранях звукопровода, и регулируемый источник постоянного электрического напряжения, выход которого соединен с управляющими электродами, отличающаяся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования времени задержки, звукопровод выполнен бидоменным с одной плоской...
Устройство на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1634113
Опубликовано: 20.09.1996
Автор: Жуков
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, поверхностных
...шагу двух соседних электродов ВШП. Устройство на поверхностных акустических волнах, содержащее пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в общем акустическом канале размещены входной встречно-штыревой преобразователь (ВШП), выходной ВШП и отражающая решетка, отличающееся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения заданной амплитудно-частотной характеристики за счет уменьшения уровня ложных сигналов, элементы отражательной решетки размещены перпендикулярно оси При распространении области "сжатия " (или "растяжения" ) под углом к электродам выходного ВШП 3 она попадает одновременно в соседние промежутки между электродами выходного ВШП 3. Величина напряжения, возникающая на паре электродов ВШП, прямо...
Линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1627049
Опубликовано: 20.07.1999
Автор: Боритко
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных
Линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащая звукопровод и расположенные на его рабочей грани в одном акустическом канале входной встречно-штыревой преобразователь, соединенный с генератором синусоидального сигнала, и выходной преобразователь, выполненный в виде поперечных относительно продольной оси звукопровода металлических полосок, между которыми размещен слой полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью увеличения полосы пропускания и расширения рабочего диапазона частот в сторону нижней границы, между электродами входного встречно-штыревого преобразователя размещен слой полупроводника, а пространственный период расположения электродов в этом преобразователе...
Преобразователь поверхностных акустических волн
Номер патента: 1064852
Опубликовано: 10.05.2000
МПК: H03H 9/42, H03H 9/64
Метки: акустических, волн, поверхностных
Преобразователь поверхностных акустических волн, содержащий два гребенчатых электрода, один из которых расположен на поверхности пьезоэлектрического звукопровода, отличающийся тем, что, с целью расширения рабочего диапазона частот и обеспечения излучения и регистрации поверхностных акустических волн в двух независимых направлениях, в нем второй гребенчатый электрод расположен над первым под углом относительно его продольной оси, при этом гребенчатые электроды разделены слоем диэлектрического материала.
Линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 1598818
Опубликовано: 20.06.2000
МПК: H03H 9/145, H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных
Линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащая пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в общем акустическом канале размещены входной и выходной веерные встречно-штыревые преобразователи (ВШП) с переменными вдоль апертуры каждого преобразователя шириной каждого штыря и величиной зазора между соседними штырями, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения искажений обрабатываемого сигнала, штыри выполнены расщепленными, причем зазор между электродами каждого штыря выполнен в форме клина с шириной в любом сечении апертуры акустического канала, определяемой выражениемгде...
Линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 778665
Опубликовано: 20.09.2006
Авторы: Белиц, Дряхлов, Сиротин, Сиротина
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных
Линия задержки на поверхностных акустических волнах, содержащая звукопровод с расположенными на нем двухканальными встречно-штыревыми преобразователями, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения френелевских пульсаций амплитудно-частотной характеристики, все электроды с одинаковым порядковым номером, за исключением первых, обоих каналов преобразователей смещены относительно друг друга в направлении распространения поверхностной акустической волны пропорционально порядковым номерам электродов на расстоянии lk, величина которого выбрана из соотношения
Ультразвуковая линия задержки на поверхностных волнах
Номер патента: 544323
Опубликовано: 20.09.2006
Автор: Дряхлов
МПК: H03H 9/42
Метки: волнах, задержки, линия, поверхностных, ультразвуковая
Ультразвуковая линия задержки на поверхностных волнах, содержащая звукопровод с расположенными на его поверхности входным и выходным преобразователями штыревого типа, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения входной (выходной) емкости преобразователя и улучшения согласования линии задержки с электронными схемами, входной (выходной) преобразователь разделен на n последовательно соединенных секций, путем выполнения разрывов в токопроводящих линиях, при этом одна шина каждой предыдущей секции соединена с противоположной шиной последующей при симметричном расположении разрывов в токопроводящих шинах.