Иойшер — Автор (original) (raw)
Иойшер
Коммутирующее устройство
Номер патента: 1365168
Опубликовано: 07.01.1988
Авторы: Иойшер, Ройзен
МПК: H01H 37/68
Метки: коммутирующее
...температуру плавления. Один из металлов (металл 4) должен увеличивать свой объем при плавлении, а другой (металл 5) уменьшать. В связи с тем, что коэффициенты изменения объема в большинстве случаев отличаются друг от друга, равенство перемещений подвижного механизма обеспечивается соответствующим объемом металлов при одинаковых диаметрах капилляров либо при равных объемах - диаметрами капилляров.В качестве пар металлов могут быть использованы металлы: скачкообразно уменьшают свой объем при плавлении галлий и его сплавы, висмут и его сплавы, германий, чугун, скачкообразно увеличивают свой объем при плавлении свинец, олово, припои на их основе, медь и медные припои, кадмиевые припои, цинковые припои и др. Необходимые металлы выбирают...
Коммутирующее устройство
Номер патента: 1350695
Опубликовано: 07.11.1987
Авторы: Иойшер, Ройзен
МПК: H01H 37/68
Метки: коммутирующее
...Температура размягчениястенок диэлектрического капиллярапревышает температуру плавления КМ 2.В качестве токопроводящего покрытияможет быть использована медь или драгоценные металлы. 1Изобретение относится к электро технике, а именно к коммутирующим устройствам, предназначено для использования в автоматике, приборостроении, вычислительной и измерительной технике и является усовершенствованием устройства по авт, св.У 1274020.Целью изобретения является упрошеУстройство монтируют следующим образом.В диэлектрический капилляр 1 вводят стержень вставки 3 и заполняют 15 20 25 30 35 40 45 50 55 зазор между ними жидким КМ 2. Затемкристаллизуют КМ 2 и герметиэируюткапилляр 1 материалом 7. Можно также выполнять введение вставки 3 в капилляр 1, уже...
Устройство для контроля пара трения
Номер патента: 1350550
Опубликовано: 07.11.1987
Авторы: Иойшер, Ройзен
МПК: G01N 3/56
...12.Резистор 4 и датчик (датчики 10) температуры могут быть выполнены в одном корпусе и в раздельных корпусах (не показано). Температуры плавления металлов в капиллярах равны границам контролируемых температурных интервало пары трения. В качестве металлов датчиков температуры могут быть использованы висмут, галий и их припои,Устройство может быть снабжено температурным компенсатором изменения электрического сопротивления (не показано). Резистор 4 может быть подключен последовательно с датчиком температуры к источнику питания, образуя с ним замкнутую электрическую цепь (не показано). Устройство работает следующим об-разом,В процессе работы пары трения вал1 изнашивает вкладыш 3 и резистор 4,Изменение сопротивления системы резистор 4...
Коммутирующее устройство
Номер патента: 1319105
Опубликовано: 23.06.1987
Авторы: Иойшер, Ройзен
МПК: H01H 37/68
Метки: коммутирующее
...машин, а также повысить величину рабочих токов.Предложенное устройство может работать в любом пространственном положении и в невесомости благодаря тому, что капилляр мал и силы в капилляре во много раз больше гравитационных.Ком м ути ру к) щее устройство (фиг. 3 и 4) содержит дополнительный электрод 9. Электрод 2 выполнен в виде капилляра с поверхностью, смачиваемой помещенным в него металлом 4, скачкообразно уменьшающим свой объем при плавлении. Поверхностью, смачиваемой металлом 4, с ним взаимодействует подвижный элемент 5. Он установлен в полости 10 корпуса 1 с возможностью перемещения его металлом 4 при изменении объема. Подвижный элемент 5 выполнен с возможностью переключения10 Формула изобретения электродов 3 и 9 при...
Способ управления процессом литья микропровода
Номер патента: 1088076
Опубликовано: 23.04.1984
Авторы: Бугаков, Заборовский, Зотов, Иойшер, Ланда, Леонтович, Любер, Михайлов, Резник, Шаргородский, Шербелис, Шихман
МПК: H01B 13/06
Метки: литья, микропровода, процессом
...в стеклянной трубке, согласованных по амплитуде с величиной отклонения погонного сопротивления от заданного значения, что позволяет коррелировать погонное сопротивление в процессе литья микропровода и устранять его колебания практически во всем частотном диапазоне, а также постепенные уходы погонного сопротивления от заданного значения.10880 Кроме того, одновременное независимое регулирующее воздействие на микрованну электромагнитного поля индуктора и разрежения в трубке, согласно предложенному способу, приво дит к существенному сокращению ло" кальных выбросов погонного сопротивления (а значит и диаметра жилы), что объясняется стабилизацией формы конуса растягивания микрованны и в це лом процесса литья микропровода.На чертеже представлен...
Способ литья микропровода в стеклянной изоляции
Номер патента: 1088075
Опубликовано: 23.04.1984
Авторы: Бугаков, Заборовский, Зотов, Иойшер, Ланда, Леонтович, Спивак, Торкунов, Флоря
МПК: H01B 13/06
Метки: изоляции, литья, микропровода, стеклянной
...движения. Сам же процесс подпитки путем перемещения капли до соприкосновения с микрованной не изменяет ее температуры и исключает всякого рода динамические возмуще ния микрованны, например такие, как резкое растяжение оболочки, всплески расплава и т.д., что способствует повышению стабильности процесса литья микропровода. 20Кроме того, периодическое плавление части прутка до образования ви. сящей капли уменьшает время его разогрева, по сравнению с известным способом, что снижает поступление 25 окислов в микрованну. Это также позволяет повысить стабильность процесса литья и улучшить качество микропровода, в частности за счет снижения ТКС. 30На чертеже приведена принципиальная схема устройства для реализации о предлагаемого способа литья...
Технологическая линия по производству литого микропровода в стеклянной изоляции
Номер патента: 1081670
Опубликовано: 23.03.1984
Авторы: Бугаков, Заборовский, Иойшер, Ланда, Леонтович, Мирошниченко, Спивак
МПК: H01B 13/06
Метки: изоляции, линия, литого, микропровода, производству, стеклянной, технологическая
...на базе операционных усилителей и формируют необходимые по характеру изменения и величине управляющие сигналы, скоррелированные с сигналом рассогласования, в соответствии с которыми устройство 21 для создания разрежения автоматически изменяет разрежение в стеклянной трубке 13, устраняя низкочастотные составляющие колебаний погонного сопротивления микропровода, а высокочастотный генератор 9 изменяет напряжение на индукторе 11 в соответствии с высокочастотными составляющими этих колебаний.Каждая установка 1 технологической линии по производству литого микропроводаснабжена датчиком 35 наличия стеклянного капилляра, связанным с УВМ 3 через УСО 4 и блок 36 контроля исправности установки 1 литья микропровода с узлом 37 передачи...
Способ изготовления микроиндуктивных элементов
Номер патента: 970496
Опубликовано: 30.10.1982
Авторы: Заборовский, Иойшер
МПК: H01F 41/14
Метки: микроиндуктивных, элементов
...полупроводника или диэлектрика, при одновременном воздействии магнитного поля, вектор напряженности которого направлен под углом к вектору напряженности электрического поля.На чертеже схематично изображено устройство для реализации предлагаемого способа. Оно содержит полупроводник или диэлектрик 1, электроды 2, спиральный токо 1 о проводящий канал 3.Изготовление микроиндуктивного элемента осуществляют следующим образом,На полупроводник или диэлектрик наносят электроды, затем помещают образец в магнитное поле, прикладывают между электродами напряжение, достаточное для пробоя данного материала, а после пробоя напряжение автоматически снижают для формовки образовавшегося в результате пробоя в магнитном поле спирального токопроводящего...
Способ изготовления литого микропровода
Номер патента: 970483
Опубликовано: 30.10.1982
Авторы: Заборовский, Иойшер, Котрубенко
МПК: H01B 13/06
Метки: литого, микропровода
...Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4по величине в двух взаимно перпендикулярных радиальных направлениях.Обеспечение этой разницы достигаетсянесколькими приемами: изменяют направление вытягивания капилляра в зоне егорастяжения, включающей фронт кристаллизации жилы, например, путем огибаниякапилляром горизонтальной опоры, которую охлаждают, поддерживают объемныйрасход жилообразующего материала германия, висмута и антимонида индия, по крайней мере в 4 раза больший, чем объемныйрасход стекла,В указанных вариантах предлагаемогоспособа различие значений поверхностногонатяжения на границе стекло - жилообразующий материал возникает либо благодаря дополнительному силовому воздействию в одном из...
Устройство для автоматического регулирования погонного сопротивления микропровода в установке для его литья
Номер патента: 862242
Опубликовано: 07.09.1981
Авторы: Бугаков, Заборовский, Зотов, Иойшер, Ланда, Любер, Михайлов, Пеженков, Шаргородский, Шихман
МПК: H01B 13/06
Метки: литья, микропровода, погонного, сопротивления, установке
...от задатчика 2 номинального значения погонного сопротивления микропровода. При отклонении текущего значения измеряемого погонного сопротив 5 1 О 15 20 25 30 35 40 45 ления от заданного во всем контролируемом диапазоне частот (10 - 10 Гц) в элементе 3 сравнения формируютея два выходных управляющих сигнала, скоррелированных с величийой отклонения (рассогласования). Один выходной сигнал с элемента 3 сравнения ноступает на входы первого пропорционального 4, дифференциального 5 и интегрирующего 6 усилителей, с выходов которых соответственно преобразованные сигналы подаются на входы сумматора 7.С выхода сумматора 7 сигнал поступает на вход блока 8 формирования управляющих импульсов, которые подаются на управляющие электроды...
Устройство для автоматического регулирования погонного сопротивления микропровода в установке для его литья
Номер патента: 860143
Опубликовано: 30.08.1981
Авторы: Бугаков, Заборовский, Иойшер, Ланда, Михайлов, Мухортов, Савранчук, Стрельников, Хандожко, Шихман
МПК: H01B 13/06
Метки: литья, микропровода, погонного, сопротивления, установке
...обмотку трансформатора 15 накала лампы автогенератора и тиристоры14,Устройство работает следующим образом.С датчика 1 сигнал, пропорциональный измеряемому текущему значениюпогонного сопротивления микропровода, получаемого на установке 16,поступает на элемент 3 сравнения,где сравнивается с опорным сигналом,поступающим от задатчика 2 номинального значения погонного сопротивления микропровода. При отклонениитекущего значения измеряемого погонного сопротивления от заданного вовсем контролируемом диапазоне частот(1 О -10 Гц) в устройстве 3 сравнения формируется выходной управляющийсигнал, скоррелированный с величиной отклонения (рассогласования),Выходной сигнал с элемента 3сравнения поступает на входы пропорционального 4,...
Датчик для дискретного измеренияи индикации криогенных температур
Номер патента: 830149
Опубликовано: 15.05.1981
Авторы: Бобров, Заборовский, Иойшер, Котрубенко, Павлюк
МПК: G01K 7/16
Метки: датчик, дискретного, измеренияи, индикации, криогенных, температур
...температур.Чувствительный элемент 1 подключен кизмерительной схеме 2. Катушка 3 индуктивности, в зазоре которой размещен чувствительный элемент 1, соединена с дополнительным регулируемым источником 4 питания,Датчик для дискретногодикации криогенных темпеследующим образом.При изменении внешней температурыЗф один из сверхпроводников чувствительногоэлемента 1 переходит в резистивное состояние, что регистрируется измерительной схемой 2. По катушке 3 индуктивности пропус830149 Формула изобретения 15 Составитель В. Копаев,Техред А. Бойкас КорректоТираж 907 Подписнорственного комитета СССРобретений и открытий- 35, Раушская наб., д. 4/5г. Ужгород, ул. Проектная, 4 омак кается постоянный ток различной величины от регулируемого дополнительного...
Способ формирования микрованныдля литья микропровода b ctek лянной изоляции
Номер патента: 819823
Опубликовано: 07.04.1981
Авторы: Гольштейн, Заборовский, Зотов, Иойшер, Михайлов, Чеботарь
МПК: H01B 13/06
Метки: изоляции, литья, лянной, микрованныдля, микропровода, формирования
...с диаметром жилы более 10 мкм из никеля и его сплавов.Эта цель достигается тем, что по предложенному способу, включающему первоначальный перегрев микрованны на 8 - 16 й выше температуры плавления навески, осу 15 ществляют локальное прободение оболочки микрованны на 0,5 - 2 сек, которое прекрашают кратковременным (1 - 2 сек,) повышением на 1 - 2 порядка скорости подачи стеклянной трубки в зону высокочастотного 20 индуктора, после чего перед вытяжкой микро- провода снижают температуру микрованны до температуры, которая на 40 - 90 С выше температуры плавления навески.Применение вышеуказанных операций, в частности кратковременное прободение оболочки микрованны, которое осуществляют путем прикосновения к ней стеклянного штабика, приводит к...
Моточное изделие
Номер патента: 817757
Опубликовано: 30.03.1981
Авторы: Гришанов, Заборовский, Иойшер, Котрубенко, Ланда
МПК: H01C 3/00
...и составляет 50-70. Для моточных изделий с металлическим каркасом максимум перегрева обмотки расположен несколько дальше от каркаса.В исследованном случае температура в обмотке описывается суперпоэицией сложных функций Ханкеля и Функции вероятностей. Однако приближенно это распределение температурможно описать параболическим законом.В предлагаемом моточном изделии.изменение площади поперечного сече"нир жилы микропровода по толщинеобмотки выполнено по параболическому закону 5я=я -К(х-х ), (1)где Я - текущее значение площадипоперечного сечения жилымикропровода, мкм;Б - максимальное значение щлбъплощади поперечного сечения жилы микропровода, ческом каркасе с числом слоев не менее ста величина лежит в пределах 20-35, в зависимости от...
Способ изготовления литого микропровода
Номер патента: 788185
Опубликовано: 15.12.1980
Авторы: Гришанов, Заборовский, Иойшер, Котрубенко, Миргородский, Радауцан, Самусь
МПК: H01B 13/06
Метки: литого, микропровода
...расплава покрывают слоем окислов металла из бункера 3, для чего открывают заслонку 4 при помощи магнита 8. Окислы при 45 тепловом контакте с микрованной спекаются, образуя вязкий стеклообразный слой 9 окислов.Далее из размягченного конца стеклянной трубки вытягивают капилляр, 50 который заполняется расплавом перитектического соединения из микрованны, образуя после кристаллизации жилу литого микропровода 10, Мощность в индукторе поддерживают в процессе из готовления микропровода такой, чтобы пондеромоторная сила, действующая на расплавв микрованне, была в 1,5- 2,5 раза больше веса этого расплава.частотного генератора), описывается формулойР А РоР 2 угде ,Оо - магнитная проницаемость вакуума;- удельное сопротивление материала навески...
Способ изготовления литого микропровода
Номер патента: 765888
Опубликовано: 23.09.1980
Авторы: Заборовский, Иойшер, Котрубенко
МПК: H01B 13/06
Метки: литого, микропровода
...проникновения определяется по формулеЬ-= 503йр(36где Я - удельное сопротивление полупроводникового материала, зависящее оттемпературы, Ом м;- частота электромагнитного полн Гц;ф 4 - относительная магнитная проницаемость;Рф - магнитная проницаемость вакуума.Для германия температура подогревав зависимости от формы и размеров навески 450 в 5 С. Для других полупроводниковых материалов эта температура рассчитывается, исходя из известных згвисзмостей электропроводиости от температуры, с использованием формулы (1) и эмпирически найденных оптимальных размеров и формы навесок и микрованы. Такой подогрев способствут в частноси, уменьшению количества примесей, попадающих в микрованну,Практически подогрев прекращают после начала плавления навески,...
“преобразователь перемещений и вибраций в электрический сигнал
Номер патента: 684306
Опубликовано: 05.09.1979
Авторы: Бугаков, Гицу, Доника, Заборовский, Иойшер, Котрубенко
МПК: G01B 7/00, G01H 11/00
Метки: вибраций, перемещений, сигнал, электрический
...инерционность работы преобразователя (за счет снижения поперечных размеров). Внедрение предлагаемого изобретения зо позволит измерять малые перемещения ивибрации в сплошных твердых телах и оболочках, например, регистрировать начальные стадии разрушающих деформаций с целью их предотвращения. формула изобретения Предлагаемый преобразователь обычнослужит для измерения малых перемещенийаои вибраций, происходящих, например, внутри малого объема исследуемого объекта(обычно сплошного твердого тела), для чего концы витых участков упругой тонкой ленты механизма Абрамсона крепятся в точках,относительно которых измеряются взаимныеперемещения,Устройство работает следующим образом. нзоПри возникновении перемещении механизм Абрамсона сообщает...
Бесконтактный коммутирующий узел
Номер патента: 669349
Опубликовано: 25.06.1979
Авторы: Бабурин, Заборовский, Иойшер, Козлов, Котрубенко, Левитас, Новичихин, Петухов
МПК: G06F 3/02
Метки: бесконтактный, коммутирующий, узел
...надежности узла.Поставленная цель достигается тем, что в бесконтактный коммутирующий . узел, содержащий подвижный электрод, один конец которого установлен на 30 электретной пластине, расположеннойна неподвижном электроде, и магнитопровод, введены согласующий элемент, например полевой гальваномагниторекомбинационный (ПГМР) элемент, и постоянный магнит, установленные внутри магнитопровода, причем ПГМР- элемент расположен на неподвижном электродеНа чертеже схематически представлен вариант исполнения бесконтактного коммутирующего узла.Узел содержит подвижный электрод 1, один конец которого установг.ен на электретной пластине 2, расположенной на неподвижном электроде 3, и магнитопровод 4, согласующий .элемент 5, например...
Преобразователь угла поворота в электрический сигнал
Номер патента: 622014
Опубликовано: 30.08.1978
Авторы: Гицу, Голигорская, Долма, Заборовский, Зеликовский, Иойшер, Картышкин, Котрубенко, Фроймович
Метки: поворота, сигнал, угла, электрический
...для преобразованияНа фиг. 1 схематично изображен предложенный преобразователь; на фиг. 2 - график зависимости магнитосопротивления ЬЯлитого микропровода с жилой из спла- Ява В 1 - ЯЬ от угла поворота О вдоль его длины.Неподвижная магнитная система представляет собой два постоянных магнита с узкими полюсными наконечниками 1, Меж ду этими наконечниками размещена подвижная система 2, поворачивающаяся вокруг своей оси. В частности, в гальванометрических головках подвижная система представляет собой вращающуюся легкую рам ку с обмоткой из тонкого провода, По оси вращения располагается отрезок 3 литого микропровода с жилой из анизотропного полуметаллического материала, к концам которого присоединены гибкие токопроводы 4. 20 Отрезок...
Коммутирующее устройство
Номер патента: 546956
Опубликовано: 15.02.1977
Авторы: Бадинтер, Берман, Иойшер, Нестеровский, Шнайдерман
МПК: H01H 37/68
Метки: коммутирующее
...того же сечения, что и до размыкания контакта. Ввиду того, что внутренний диаметр корпуса мал, силы поверхностного натяжения во много раз больше гравитационных сил и, следовательно, пространственное располояение в поле сил тяжести так же, как и невесомость не влияют на работу коммутирующего устройства.Для нормальной работы коммутирующего устройства необходимо, чтобы герметичный корпус не был подвержен локальным деформациям вплоть до температуры плавления контактирующего металла.Для улучшения контакта между контактирующим металлом, уменьшающим скачкообразно свой объем при плавлении, и электродами последние выполнены из контактирующего металла, образуя вакуумплотный спай с корпусом. Таким образом, эти электроды являются продолжением...
Способ изготовления высокоомных проволочных резисторов
Номер патента: 528618
Опубликовано: 15.09.1976
Авторы: Березин, Берман, Гришанов, Замбахидзе, Иойшер, Керницкий, Нестеровский, Цайфер, Шуб
МПК: H01C 17/04
Метки: высокоомных, проволочных, резисторов
...заменена эют по формуле емому овода, ю, снпа мик- окэмаят на, на котором малевой, оп 2 2 с 0 Е = К-,.1 12 Д )о де 1 ытая обмоткозгиба мпкропрляцип;тс намотки;ровода;ляпинпя. зистора, покр ый радиус и теклянной пзо аркаса в мес жилы микроп эмалевой пзо иент заполне- длина ре с - допустиь вода в с г, - радиус к с - диаметр Л, - толщина К - коэффиц25 зстка мпкропрорсделяют по пзПри этом сопротивление вода в эмалевой нзоляци30 вестной формулс828618 Формула изобретения Составитель Н, Нестеренко актор И. Шубина Техред М, Семенов Корректор Т. ГревцовПодписноев СССР Тираж 963та Совета Министй и открытийушская наб., д. 4/5 зд.1623 рственного коми делам изобретенМосква, Ж, Р Заказ 235211Ц 1-1 ИИП Госуд и 13035ова, 2 нпография, пр. где р -...
Способ изготовления литого микропровода
Номер патента: 514351
Опубликовано: 15.05.1976
Авторы: Берман, Заборовский, Иванов, Иойшер
МПК: H01B 13/06
Метки: литого, микропровода
...которые подавляют или уменьшают ее колебания. Таким образом происходит своеобразное демпфирование микрованны, Уменьшение колебаний микрованны приводит к уменьшению разброса параметров микропровода по его длине.По мере расхода металла из рабочей части микрованны его пополняют за счет уменьшения столбика жидкого металла в жаростойкой трубке или давления между стеклянной и жаростойкой трубками, Псдпитка рабочей части микрованны позволяет увеличить время литья без дозаправки.Возможно применение электродинамических методов втягивания жидкого металла внутрь жаростойкой трубки и регулирование там его уровня при помощи дополнительного индуктора, который используется также для подогрева столбика жидкого металла в жаростойкой трубке. При...
Способ изготовления литого микропровода в стеклянной изоляции
Номер патента: 505032
Опубликовано: 28.02.1976
Авторы: Берман, Грозав, Заборовский, Иойшер, Котрубенко, Ланда
МПК: H01B 13/06
Метки: изоляции, литого, микропровода, стеклянной
...капилляра из размягченного конца стеклянной трубки, в которую помещена навеска металла, расплавляемая с помощью высокочастотного индуктора.При этом масса навески металла превышает 0 критическую в 1,5 - 3 раза, а в стекляннойтрубке создается разрежение, которое в процессе литья уменьшают при одновременном равнозависимом понижении напряжения на инду кто р е.Равномерное уменьшение разрежения позволяет компенсировать расход металла при литье, сохраняя физико-механическое подобие при изменениях формы капли. Одновременно с этим капля удерживается при постоянной505032 Формула изобретения Составитель А. ВласовТехред Е. Подурушина Корректор О. Тюрина Редактор И. Грузова Заказ 841/2 Изд. Ма 1171 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета...
Чувствительный элемент приемника излучения
Номер патента: 502234
Опубликовано: 05.02.1976
Авторы: Берман, Гицу, Заборовский, Иойшер, Котрубенко
МПК: G01J 5/12
Метки: излучения, приемника, чувствительный, элемент
...поглощающего видимое и инфракрасное излучение вещества 5, служащего экраном.Термопары в лучке соединены последовательно в 1, 2 или более термобатарей. снабкенных токовыводами (на чертеже не показаны).Э В зависимости от неооходимыхров прибора термооатареи включаютдовательно или параллельно.Тепловое и видимое излучение, попадаяна поглощающий экран, разогревает его, аследовательно, и спаи всех термопар. Вследствие близости спаев к экрану, а также из-заувеличения отношения площади термоспаевк площади экрана к. и. д. прибора резко возрастает, что увеличивает его чувствительность. Слой поглощающего вещества надтермоспаями выполнен с толщиной не болееусредненного диаметра по изоляции используемых микропроводов,Применение литых...
Датчик температуры
Номер патента: 476463
Опубликовано: 05.07.1975
Авторы: Гицу, Иойшер, Котрубенко
МПК: G01K 7/38
Метки: датчик, температуры
...относится к термопаримущественно для термопреобразприменяемых в приборостроительно 1рительной технике.Известна термопара, состоящаяразнородных материалов, электричесненных между собой в контактномнапример, В. О. Арутюнов Злекизмерительные приборы и изГосэнергоиздат, М - Л, 1958 г,).1-1 едостатком известной термопарьналичие контактного узла между рами материалами, который в случаеволочной термопары усложняет тизготовления и снижает надежность.С целью повышения точности ипредложенный датчик температурыв виде единой, неразрывной нити имагнитного материала, ограниченныкоторой помещен в зазоре междумагнита,На чертеже изображен описываемьчик температуры. Датчик температуры представляет собой цельную неразрывную нить из термомагнптного...
Способ изготовления литого провода в стеклянной изоляции
Номер патента: 469145
Опубликовано: 30.04.1975
Авторы: Альфтан, Антонова, Афонина, Бадинтер, Берман, Гольдинер, Деянова, Заборовский, Иванов, Иойшер, Калошин, Карасик, Коробов, Ланда, Нестеровский, Покровский, Фирсов, Шихман
МПК: H01B 13/06
Метки: изоляции, литого, провода, стеклянной
...ее с процессом охлаждения, используя при этом расплав с температурой плавления ниже температуры размягчения стекла и плавления металла жилы. В последнем случае охлаждение микропровода происходит при 5 более высоких температурах, чем при известных способах, что позволяет получить провод с изоляцией с меньшим числом повреждений (из-за уменьшения напряжений, вызванных значительным перепадом температур провода О и охлаждений среды) и с более равномернойтолщиной и диалетпом, что является следствием термостатирования зоны формирования микропровода расплавом металла.В случае металлизации провода в расплавах 5 с температурой значительно выше температуры размягчения стеклянной изоляции предлагается пропускать провод дополнительно через вторую...
Способ изготовления вакуумного термопреобразователя
Номер патента: 463011
Опубликовано: 05.03.1975
Авторы: Бадинтер, Берман, Заборовский, Иойшер, Котрубенко, Попов, Ременко, Самосудов
МПК: G01K 7/02
Метки: вакуумного, термопреобразователя
...при поминальном токе через нить накала и определяют давление по найденной ранее зависимости ЭДС от давления.Способ заключается в следующем.Сборку термообразователя производят, например, с помощью пайки, нити накала и термоэлемента к токовыводам, расположенным в основании корпуса, например, металлокерамического или металлостеклянного.Затем помещают специальную кассету с изготовляемыми термопреобразователями в вакуумную камеру, устанавливают на ка е основание корпуса крышку, после чего п водят откачку вакуумной камеры.Осуществляют герметизацию корпуса, например, запаивая крышку и основание в вакууме или соединяя их точечной сваркой. Эффективным также является способ герметизации холодной сваркой.После герметизации в вакуумную...
Способ изготовления микропровода в стеклянной изоляции
Номер патента: 458039
Опубликовано: 25.01.1975
Авторы: Альфтан, Афонина, Берман, Деянова, Иойшер, Нестеровский, Фирсов
МПК: H01B 13/06
Метки: изоляции, микропровода, стеклянной
...равныйО, - 1,3 величины амплитудного значения высокочастотного тока.Такой способ возбуждения постоянногомагнитного поля позволяет обойтись без громоздких устройств вблизи индуктора.В результате взаимодействия ультразвуковых колебаний с перпендикулярной им составляющей магнитного поля в проводящем материале возникают вихревые токи, вызывающиеего нагрев.Ввиду того, что напряженность магнитногополя максимальна в глубине индуктора, наибольшее количество тепла будет выделяться взоне формирования микропровода.Нагрев пропорционален мощности, выделяемой в единице объема, т, е.6=к - ,огде О - температура перегрева, Р - выделяющаяся мощность, У - объем, к - коэффициент, зависящий от свойств материала иего взаимодействия со...
Механотрон
Номер патента: 453755
Опубликовано: 15.12.1974
Авторы: Гивельберг, Изобретени, Иойшер, Сандигурский
МПК: G01D 5/14, H01J 21/00
Метки: механотрон
...диодов или газоразрядных подвижными электродами, у которых рические параметры (анодный ток, на ние зажигания и др.) изменяются при нении расположения электродов.Недостатки известных механотронов чаются в их относительно больших ра сложности конструкции и технологии и ления, недостаточно высокой чувстви сти. Цель данного изобретения - повыси ствительность, упростить технологию и ления и резко уменьшить размеры тронов,Это достигается использованием в к механотрона отрезка литого микропростекляннои изоляции с нарушеннои сплошностью жилы.Жила литого микропровода образует со стеклянной изоляцией спай, который не нарушается при многократном растяжении и сжатии отрезка микропровода. Изменение положения электродов относительно друг друга...
Способ формирования микрованны для изготовления микропровода
Номер патента: 440700
Опубликовано: 25.08.1974
Авторы: Альфтан, Барташ, Берман, Высокий, Гришанов, Драбенко, Заборовский, Замбахидзе, Зеликовский, Зотов, Иойшер, Карасик, Михайлов, Нестеровский, Савенков, Силькис, Уткин, Шуб
МПК: H01B 13/06
Метки: микрованны, микропровода, формирования
...навеску металла с массой на 20 - 40% больше критической, 50 выдерживают ее в течение не менее 35 минпри температуре, превышающей температуру плавления металла на 8 - 16%, а стеклянную трубку подают в зону плавления со скоростью, обеспечивающей на верхней поверхности мик рованны образование свободной от пленкистекла и окислов области, через которую выделяют летучие компоненты стекла и металла, после чего сбрасывают часть металла до получения его массы, близкой к критической. Составитель Ю. Цыбульникова Техред Г. ВасильеваКорректор Е, Рогайлииа Редактор Н. Почлова Подписное Тираж 760 Изд.193 Заказ 105/6 Типография, пр. Сапунова, 2 3Изменение физико-химических свойств микрованны приводит к возрастанию коэффициента поверхностного...