Ишкинеев — Автор (original) (raw)
Ишкинеев
Способ определения положения фронта кристаллизации расплава
Номер патента: 1272178
Опубликовано: 23.11.1986
Авторы: Алабин, Ишкинеев, Колесников, Мещанов
МПК: G01N 11/14
Метки: кристаллизации, положения, расплава, фронта
...расплаваЬ при любом ь. Вычисляют скорость5 кристаллизации.Оценка скорости кристаллизациинеобходима как для прогнозированияструктуры и свойств отливки, так и Угол сдвига у в зависимости отдлины упругого элемента определяетсялинейной Функцией (Фиг.2).20 = 1 с Х (3)Анализ уравнения (1) показывает,что при =О уголтакже равен нулю,а при = 0, угол ц принимает максимальное значение. Длина упругого 25 элемента 11, для удобства экспериментирования выбирается равной высотеотливки Н.Методика определения скорости направленной кристаллизации отливки по 30 высоте от О до Н сводится к определению скорости перемещения фронта направленного затнердевания отливки.Научастке от Р=О до 0, = о упругогоэлемента по мере продвижения фронтакристаллизации отливки...
Способ получения литых штампов
Номер патента: 1138240
Опубликовано: 07.02.1985
Авторы: Алабин, Ишкинеев, Колесников, Корниенко, Семендий, Сивко, Фоминых, Шибаков
МПК: B22D 27/04
...чем температура сплава первого слоя, что ускоряет процесс формирования (за счет резкого возрастания центров кристаллизации) композитного переходного слоя с мелкозернистой структурой. Образования такого переходного слоя в штампе повышает его термоциклическую стойкость и сопротивление хрупкому разрушению.Прекращение интенсивного направленного охлаждения со стороны гравюры штампа в момент, когда температура сплава, идущего для оформления второго слоя, равна1138240 45 50 55 3780 - 800 С, предназначено для самоотпуска слоя из высоколегированного сп;,"ва.На фиг. 1 изображено устройство для реализации, предлагаемого способа, стадия кристаллизации высоколегированного сплава, оформляющего первый слой; на фиг. 2 - то же, стадия заливки второго...