Лугаков — Автор (original) (raw)

Лугаков

Способ контроля толщины металлических поверхностных слоев

Номер патента: 1758413

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Зубко, Кулеш, Лугаков, Сакович, Франюк

Метки: металлических, поверхностных, слоев, толщины

...согласно способу частотывыбирают по глубине проникновения так,что один раз вихревые токи в изделии возбуждают в слое, заведомо меньшем, чемначало переходного слоя, а другой раз - взаведомо большем, чем глубина переходного слоя.Повышение точности контроля толщины металлического поверхностного слоядостигается эа счет выбора месторасположения катушек для измерения тангенциальной и нормальной составляющейпеременного магнитного поля, а также засчет выбора частот подмагничивания одной с глубиной, заведомо меньшей глубины проникновения переходного слоя. а другой - заведомо большей глубины переходного слоя, что позволяет отстроиться от влияния самого переходного слоя на показания толщины металлического поверхностного слоя.На чертеже...

Способ получения сегнетокерамического материала цирконата титаната свинца-лантана

Номер патента: 1726465

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Добрянский, Косарев, Лугаков, Приходько, Чобот

МПК: C04B 35/49

Метки: свинца-лантана, сегнетокерамического, титаната, цирконата

...поддерживающих колец,По достижении определенного давления прессования Ргп через графитовые нагреватели пропускается электрический ток,величина которого определяет максимальную температуру горячего прессования Тгп.1726465 Выход за пределы указанных в предлагаемом способе (табл.1) режимов получения сегнетокерамики ведет к ухудшению электрофизических параметров, которые стано вятся сравнимыми со значениямисоответствующих параметров образцов, получаемых по режимам, указанным в известном способе. По истечении определенного промежутка времени тгп электрический ток отключается и температура в реактивном объеме понижается. После этого проводится снижение величины Ргпдо атмосферного давления, Спеченные образцы шлифуются и подвергаются отжигу...

Способ измерения удельного сопротивления в полупроводниках

Номер патента: 1599800

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Колковский, Лугаков, Шуша

МПК: G01R 27/00

Метки: полупроводниках, сопротивления, удельного

...осциллограф(для регистрации Формы импульса иИзмерения напряжения на Фронте и срезе импульса), образец 3, осциллограФ4 (для измерения напряжения на калиброванном сопротивлении 5 (,блок б(для Формирования инжектируюшего контакта), ключ 7 и зондовую систему Я, 30Генераторсоединен с входом осциллографа 2, первой клеммой ключаи зондовой системой 8, которая создает инжектирующий контакт с образцом 3, с противоположной стороны обфазец 3 соединен с осциллограФом 4и через калиброванное сопротивление5 ) с общей шиной всего устройства, а вторая клемма ключа 7 соедине-на с блоком б Формирования инжектирующего контакта..Устройство, реализующее способ,работает следующим образом,С измеряемым образцом 3 кремниясоздают инжектирующий контакт, через...