Майоршин — Автор (original) (raw)

Майоршин

Устройство для вычисления динамических характеристик систем

Номер патента: 1221639

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Майоршин, Музыкин, Решетников, Родионова

Метки: вычисления, динамических, систем, характеристик

...управляющий сигнал (линия 29) на выдачу значения вычисленной точки ядра в блок 9 коррекциипо линии связи 10 и в блок 7 свертокпо линии 27 связи. Одновременно этотже управляющий сигнал изменяет значение счетчика 51 точки ядра и про 35исходит вычисление следующей точкиядра. Как только счетчик достигаетзаданного значения (определяемогов узле 50 памяти блока 5 управления)происходит изменение значения счетчика 52 вычисляемого ядра и вычисляется ядро следующего порядка. Значение счетчика 52 вычисляемого ядрапо линии 44 передается в блок 2 задержек, который настраивается соот 45ветствующим образом по этому значению. По достижении требуемого порядка ядра (задаваемого в узле 50 памяти) процесс вычисления неточныхзначений динамических...

Устройство для оценки вокальноинструментальной техники исполнителя

Номер патента: 627510

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Майоршин, Музыкин, Пупков

МПК: G01L 1/00

Метки: вокальноинструментальной, исполнителя, оценки, техники

...длительность процесса оценки вокально-инструментальной техники исполнителя.Известно также устройство для оценки вокально-инструментальной техники исполнителя, содержащее соединенные последовательно формирователь звукового сигнала и регистратор, подключенные к выходам формирователя управляющих сигналов, формирователь основного тона сигнала и формирователь интенсивности сигнала 2.Это устройство обеспечивает значительое сокращение процесса оценки вокальноуМс СоедИНСИ С;ОдаЧИ фОрМцпВИГ. Ля 2 ЗВ) с;В:)0 Сц(13,1 (ере( фОрчц)0 д- ТСЛЪ,5 Оси,.с (Ц О 1 Онс( сЦ(Ц 1 Л(1, фОРХ 1100 ВД. (С,(ь 4 ИЦГСЦСЦЦОС(И СИГЦД,с Ц ф(Р)ЦР(ВД- тель 5 длитсльцости сип(длд, и ) (сос,(цц( ц.1( Ь(С К В Ы Х ОЛ с 1 с( ф и Р )1 53 Р О 3 Д т СГ( 51 (сГ С1 с( ИРОДЬ...

Способ определения концентрации носителей тока в приповерхностном слое полупроводниковыхматериалов

Номер патента: 171925

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Блинникова, Ерусалимчик, Ефимов, Концевой, Кудин, Майоршин, Предпри

МПК: G01N 27/00

Метки: концентрации, носителей, полупроводниковыхматериалов, приповерхностном, слое

...границы раздела полупроводник - электролит, равна нулю,Для предварительной обработки поверхности эпитаксиальных пленок германия и кремния предложены травители и составы электролитов: для германия 15 - 18% НГ и для кремния 5 - 18% НР.Эпитаксиальные пленки предварительно обрабатывают: кремний в травителе, содержащем 1 г НР (42%)+4 г НКОз (65 ), и германий в травителе, содержащ 15 г НСН,СООН+10 г НХО;, (65%) 5 г НГ (42% ),Лаком ХСЛ наклеивают кольцо из фторопласта, в которое заливают каплю электролита и опускают в нее два платиновых электрода. Один из электродов служит для пропуска ния постоянного тока, а другой - фиксируетфотопотенциал. Контакт с низкоомной подложкой осуществляется через электролит.Граница раздела пленка - электролит...