Мишуев — Автор (original) (raw)
Мишуев
Способ разработки русла водотока
Номер патента: 1513078
Опубликовано: 07.10.1989
Авторы: Адесман, Боровков, Митюрева, Мишуев, Спиридонов
МПК: E02B 5/02
Метки: водотока, разработки, русла
...о т л и ч а ю .щ и й с я тем, что, с целью снижения стоимости работ в условиях разработки русла реки на урбанизированной территории, уменьше ния нарушений экологии реки и ландшафта территории, углубление выполняют по всей ширине реки с уклоном дна, равным уклону дна реки, и длиной Йф 9где Ь - глубина воды в реке, и;Ъ - коэффициент гидравлическогосопротивления русла реки,Составитель А.Сергеев Корректор М,Васильева Заказ 6049/30 Тираж 589 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101 3 1513078Изобретение относится к гидротехнике, а именно к удалению из руселрек, протекающих,...
Устройство для воздействия на пласт
Номер патента: 1114784
Опубликовано: 23.09.1984
Авторы: Ивашечкин, Козлов, Малышев, Мишуев, Сабадах, Шаталов
МПК: E21B 43/27
Метки: воздействия, пласт
...для реагента с помощью обратного клапана. 784 1На фиг. 1 изображено предлагаемоеустройство, продольный разрез; нафиг. 2 - то же, поперечный разрез.Устройство для воздействия напласт состоит из газогенератора 1, вполости которого располагаются электроды 2, отражателя 3 с обратным клапаном 4, открытой снизу цилиндрической камеры 5 с разгонной трубкой 6.В верхней части разгонной трубки 6 расположена дополнительная камера 7, снабженная свечей поджига 8и мембраной 9. Мембрана 9 разделяетдополнительную камеру 7 и нагнетательную камеру 10, лежащую выше, которая снабжена всасывающим клапа- .ном 11, смонтированным на емкости 12с реагентом и напорными клапанами 13,установленными на входе в трубки 14с отверстиями 15. Отверстия 15 располагаются на...
Способ очистки открытого русла от донных отложений
Номер патента: 1046398
Опубликовано: 07.10.1983
Авторы: Беличенко, Боровков, Колгина, Мишуев
МПК: E02B 3/02
Метки: донных, открытого, отложений, русла
...воды;плотность водогрунтовойслсмеси в придонном слоепотока;ускорение силы тяжести.С увеличением интенсивности размыва возрастает и что, может,О 55Рсм Руменьшить значение параметрадо величины 4 3 При этом образуетсяпридонный стратифицированный мутьевой слой, сильно насыщенный мелкой60взвесью. Обильное насыщение этогослоя мелкой загрязненной взвесьюопасно для речных организмов, гаситтурбулентность и способствует повторному осаждению частиц в русле. 65 Сущность способа состоит в том, что,при соблюдении указанного усло-.Оеиии и мелкие илиекыеси-Л.6Фракции переносятся водным потоком без осаждения и без образования придонного стратифицированного мутьевого слоя, сильно насыщенного загрязняющими примесями.Способ осуществляется...
Способ очистки открытого русла от донных отложений
Номер патента: 1046397
Опубликовано: 07.10.1983
Авторы: Беличенко, Боровков, Колгина, Мишуев
МПК: E02B 3/02
Метки: донных, открытого, отложений, русла
...частиц, насильно развитой поверхности которыхадсорбируются загряэнающие примеси.Задача очистки водотоков состоит вудлинении именно илистых фракций. 10Известен способ очистки руселрек и каналов от донных отложенийпутем их удаления с помощью землесосных снарядов,С 11 .Недостатком данного способа являются высокие энергетические затраты, связанные с транспортом эасасываемой водно-грунтовой смеси потрубам на значительные расстоянияк местам складирования удаляемыхиэ русла грунтов,Известен также способ очисткиоткрытого русла от донных отложений,включающий подачу из насадка на поверхность русла струи воды под дав-лением с последующим уносом отложений потоком воды русла С 2 С.Цель изобретения - повышение эффективности за счет удаления илистых...
Датчик скоростного напора потока жидкости или газа
Номер патента: 1024848
Опубликовано: 23.06.1983
Авторы: Зражевский, Мишуев, Селедкин
Метки: газа, датчик, жидкости, напора, потока, скоростного
...углом, равным или меньшим 90., обтекатель 2 со сквозными отверстиями 3, включающий оставшуюся часть полую 60 сфероида 4 и конус 5. Измерительный преобразователь датчика содержит консоль 6 с наклеенными теизорезисторами 7, шток 8, на котором эакреп лено восйринимающее тело 1, и конус 65 ную гайку 9, фиксИрующую. шток наконсоле. Тензорезисторы 7 покрытыгерметиком для изоляции от воздействия жидкости.Датчик скоростного напора потокажидкости или,газа работает следующим образом.Поток жидкости или газа воздействует на воспринимающее тело.За счет выполнения воспринимающеготела й форме сегмента полусфероида,коэффициент лобового сопротивленияпрактически не меняется при различных режимах обтекания, кроме того,поток открывается только с...
Устройство для исследования процесса отложения пыли при взрывах
Номер патента: 1006986
Опубликовано: 23.03.1983
Авторы: Мишуев, Никитин, Пушенко, Пчелинцев
МПК: G01N 25/54
Метки: взрывах, исследования, отложения, процесса, пыли
...канал спылепитателем, соединенный газовойлинией с побудителем расхода воздуха и источникам давления гаэа, пробоотборники пыли в виде подложек и 65 турублизаторы потока, в качестве побудителя расхода газа использован ресивер, а в качестве турбулизатора " электромагнитный клапан, управляемый реле времени, установленный на газовой линии между ресивером и аэродинамическим каналом, дно которого снабжено отверстиями, в которых установлены подложки.На чертеже изображена установка, общий вид.Экспериментальная пневматическая установка имеет ресивер 1 емкостью 300 л, аэродинамический канал 2, представляющий собой горизонтальный стальной воздуховод, выполненный на рабочем участке из 4-х секций длиной 2000 мм каждая, герметично соединенных...
Устройство для защиты металла от вторичного окисления на машине непрерывного литья
Номер патента: 954160
Опубликовано: 30.08.1982
Авторы: Мишуев, Рудоман, Тимохин, Целиков
МПК: B22D 11/106
Метки: вторичного, защиты, литья, машине, металла, непрерывного, окисления
...выпускной стакан ствлераэливочногоковша снабжен охватывающим его кольцевым экраном, открытым с нижней стороны, в держатель выполнен в виде конического заходника, охватывающего защитную трубу и обращенного кверху меньшим своим диаметром, призаходника.Несоосность в перпендикулярной плоскости также компенсируется при подъеме защитной трубы благодаря контакту конического заходника с кольцевым экраном поворотол защитной трубы 5 в плане относительно оси колонны 13, При этомчасть рабочей мп 1 дкости перетекает в схеме гидравлики через золотник со средним положением из полости одного плунжера в полость другого.После плотного прижима кольцевого экрана 28 к держателю 6 открывают выпускное отверстие стаперазпивочного ков - ша 1 и опускают...
Промежуточный ковш многоручьевой машины непрерывного литья металла
Номер патента: 954159
Опубликовано: 30.08.1982
Авторы: Евтеев, Мишуев, Рудоман, Тимохин, Целиков
МПК: B22D 41/08
Метки: ковш, литья, металла, многоручьевой, непрерывного, промежуточный
...стенки арочной формысоставляют 10.15 .о ЗОНа фиг, 1 показан предлагаемый ковш,вид сбоку; на фиг, 2 - то же, вид вплане; на фиг, 3 - схема циркуляциипотоков в предлагаемом промежуточномковше,Корпус промежуточного ковше содержит две продольные стенки 1 и 2, расположенные с двух сторон оси 3, про-.ходящей через центры выпускных отверстий 4. Количество выпускных отверстийсоответствует количеству ручьев машины. боковые стенки 5 перпендикулярныоси 3. Внутри корпус зафутерован огнеупорным материалом. Перекрытие выпускных отверстий и регулировка истечения осуществляется стопорными бпоками 6, управляемыми стопорными механизмами 7. Сверху ковш закрыт крышкой 8.Продольная стенка 2 выполнена вплане арочной формы с участком 9, параллельным оси 3 и...
Генератор импульсов
Номер патента: 834840
Опубликовано: 30.05.1981
Авторы: Богданович, Мишуев
МПК: H03K 3/335
...7 и конденсатора 8, выходной шины 9.Питание устройства осуществляется от ши ны 10 пита ни я.Генератор импульсов работает следующим образом.При включении питания времязадаю. - щий конденсатор 8 разряжен, все транзисторы закрыты, ток через стабилитрон 5 отсутствует, на выходной шине 9 высокий потенциал, Конденсатор 8 заряжается от источника питания через резистор 7. Когда напряжение на конденсаторе 8 превысит напряжение пробоя стабилитрона 5, возникает ток через эмиттерный переход транзистора 1 и стабилитрон 5. Это приведет к возникновению тока коллектора транзистора 1, который . протекая через переход база-эмиттер транзистора 2, приведет к его открыванию. Это вызовет протекание тока через переход база-эмиттер транзистора 3 и...