Мызгин — Автор (original) (raw)
Мызгин
Накопитель для оперативного запоминающего устройства
Номер патента: 1751815
Опубликовано: 30.07.1992
Авторы: Игнатьев, Мызгин, Неклюдов, Савенков
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающего, накопитель, оперативного, устройства
...устройства.Поставленная цель достигается тем, что в накопителе для оперативного запоминающего устройства, содержащем матрицу элементов памяти, первые адресные шины которой являются входами выборки накопителя, источники тока хранения, первые выводы которых подключены к шине нулевого потенциала, токоограничительные элементы на резисторах, первые выводы которых подключены к соответствующим вторым адресным шинам матрицы элементов памяти,вторые выводы источников тока хранения соединены с первыми выводами резисторовсоответствующих токоограничительныхэлементов,.вторые выводы которых объединены. На чертеже изображена принципиальная электрическая схема накопителя для оперативного запоминающего устройства..Накопитель для оперативного...
Параметрический источник опорного напряжения для оперативного запоминающего устройства
Номер патента: 1679548
Опубликовано: 23.09.1991
Авторы: Игнатьев, Кошманов, Михайлов, Мызгин, Протасов
МПК: G11C 7/14
Метки: запоминающего, источник, оперативного, опорного, параметрический, устройства
...равно сумме напряжения питанияи падений напряжений на резисторах 4 и 7и эмиттерных переходах транзисторов 6, 13и 14,Базовый потенциал транзистора 10 через последовательно включенные эмиттерные повторители на транзисторах 10 и 15 с соответствующим смещением поступает на выход 18. Если пренебречь базовым током транзистора 15, током выхода 18 и отклонением от единицы коэффициентов передачи эмиттерного тока транзисторов 13 и 14,эмиттерные токи у транзисторов 13 и 15 и у транзисторов 10 и 14 можно считать соответственно равными, В данных условиях, если транзисторы 13,15 и 10, 14 имеют одинаковое конструктивное исполнение, с минимальной погрешностью буЬет справедливо равенство напряжений на эмиттерных переходах транзисторов 13 и 15 и...
Параметрический источник опорного напряжения для запоминающего устройства
Номер патента: 1647647
Опубликовано: 07.05.1991
Авторы: Игнатьев, Кошманов, Михайлов, Мызгин, Протасов
МПК: G11C 7/00
Метки: запоминающего, источник, опорного, параметрический, устройства
...22, 26 при изменении уровней напряжений на входах 18 и 19 напряжение на шине 27 должно соответствовать среднему от высокого и низкого логических уровней напряжений на входах 18 и 19, Падение напряжений на резисторах 24 и 25 приводит к формированию низких логических уровней на базах транзисторов 28 и 29, в результате чего эти транзисторы оказываются запертыми и не влияют на уровни напряжений на выходах 30, 31. Падение напряжения на резисторе 32 создается колекторным то. ком транзистора 33, зто напряжение значительно меньше, чем на резисторах 24 и 25, поэтому базовый потенциал транзистора 34 выше чем у транзисторов 28, 29, транзистор 34 формирует уровни напряжений на выходах 30 и 31 в соответствии со следующим выражением: О = -- (О...
Расширитель скважины
Номер патента: 1550076
Опубликовано: 15.03.1990
Авторы: Азаркин, Андрющенко, Мызгин
Метки: расширитель, скважины
...в крышке 3 корпуса 2, На наружной боковой поверхности корпуса 2 имеются выступы 10,усиливающие трение корпуса о стенкускважины,Расширитель скважины работает следующим образом,На штанге 1 расширитель в закрытом состоянии опускается в предварительно пробуренную (лидерную) скважину на заданную глубину, смещается в сторону от оси скважины и прижимается к ее стенке, Включается враще 50ние. Крутящий момент.от штанги 1 передается на коромысло 5. При поворотештанги 1 плечи коромысла 5 черезрычаги 6 давят на режущие лопасти 4и открывают их. Степень раскрытиярежущих лопастей 4 регулируется поло жением переставляемых упоров 9 и.определена иэ условия однократногозаполнения ковша грунтом с учетом его Затем вращение передается К 2 и режущие...
Пробоотборник для жидкости
Номер патента: 1529068
Опубликовано: 15.12.1989
Авторы: Мызгин, Тополя
МПК: E21B 49/02, G01N 1/10
Метки: жидкости, пробоотборник
...жидкости иэ буровых скважин.Цель изобретения - сокращение времени на взятие проб из скважин с малым притоком жидкости,На чертеже схематически изображенпробоотборник в сборе.Пробоотборник содержит корпус 1,разделенный на две взаимно подвижные части. В нижней части размещенысетчатая перегородка 2 и пробоотборная камера 3, а в верхней - пробосборник 4, выполненный в виде эластичного пористого тампона. Корпус 1подвешен к штанге 5 и имеет окна 6,через которые пористый материал тампона выступает наружу, Снизу в корпус пробоотборника ввинчена сливнаяпробка 7, Нижняя часть корпуса имеетотверстия 8,Пробоотборник работает следующимобразом,С помощью штанги 5 корпус 1 погружают в скважину, При достижениизабоя скважины верхнюю часть...
Мультиплексор
Номер патента: 1378048
Опубликовано: 28.02.1988
Авторы: Игнатьев, Мызгин, Неклюдов, Нестеров
МПК: H03K 19/086
Метки: мультиплексор
...образом, коллекторные токи транзистора 11 - 1 11 генератора тока 3 и транзистора 16 - 1 16 формирователя выходных уровней 2 описываются следующими выражениями:(4) Цп 2-оп16 Ц 161 пп и- э э (5) г 17 г 201 где 11 11 и Б 16 - разности потенцибЭалов между базовыми измиттерными выводами транзисторов 11 и 16;111, Ы 16 - коэффициенты передачиэмиттерного тока в схемеОБ транзисторов 11 и 16,в случае интегральногоисполнения устройства этипараметры можно считатьодинаковыми для всех транзисторов и обозначить Ы; г 12, г 17 иг 20 - сопротивления резисторов12, 17 и,20 соответственно.В режиме формирования высокого логического уровня на выходе 2 мультиплексора транзистор 19 закрыт, так как напряжения на резисторе 15, возникающего за счет протекания в...
Запоминающее устройство
Номер патента: 1305774
Опубликовано: 23.04.1987
Авторы: Барчуков, Лавриков, Миндеева, Мызгин, Неклюдов, Сергеев
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающее
...В исходном состоянии из выхода7 вытекает ток, а на шине 2 поддерживается низкий потенциал. На входе 21низкий потенциал и транзисторы 18-20и 31 выключены. При этом диоды 25 и26 и транзистор 27 закрыты. Потенциалы на шинах 3 и 4,равны и поддерживаются на высоком уровне транзистором15. При выборке элемента 1 памяти токиэ входа 7 выключается, через эмиттерный повторитель на транзисторе 5на шину 2 поступает положительныйимпульс напряжения, а в результате 35 подачи импульса напряжения на вход21, в шины 3 и 4 через транзисторы 18и 19 поступают разрядные токи 1приблизительно равные токам, задаваемыми источниками 22 и 23, Одновременно включается: транзистор 20 и егоколлекторный ток, протекающий черезрезистор 16, приводит к снижению...
Запоминающее устройство
Номер патента: 1269208
Опубликовано: 07.11.1986
Авторы: Барчуков, Лавриков, Мызгин, Неклюдов, Сергеев
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающее
...на прямо смещенном эмит терном переходетранзисторов 24, 34и диода 23 соответственно;- потенциал базытранзистора 34 в режиме выборки.При этом по окончании процесса разряда емкости шины 41, когда потенциал на шине 41 опустился настолько, что отпирается эмиттерный переход транзистора 34, диод 23 закрывается, а транзистор 241 открывается и ток (2 отволится в транзистор 241. Таким образом ток (2, обеспечивающий ускоренный форсированный) перезаряЛ емкостей разрядных шин, протекает в них только в течсние ллительности переходного процесса в разрядных шинах, вследствие чего сокращается время считывания.Рассмотрим запись логического О В элемент 111. В исхолном состоянии элеменг 111 хранит логическую 1, а ЗУ находится в стационарном режиме выборки...
Запоминающее устройство
Номер патента: 1238156
Опубликовано: 15.06.1986
Авторы: Лавриков, Мызгин, Неклюдов, Парменов, Савенков, Сергеев, Шурчков
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающее
...амплитудой У, а на управляющих входах 15 и 16 устанавливаются равные потенциалы У, При этом на базах транзисторов 21 и 22 устанавливаются равные потенциалы Уз. Если, например, в выбираемом элементе памяти транзистор 18 включен, а транзистор 17 выключен, то потенциал базы транзистора 18 У 4 выше, а потенциал базы транзистора 17 ниже потенциала Уз. При этом ток, задаваемый в разрядную шину 12, поступает в транзистор 18, а ток, задаваемый в разрядную шину 11, поступает в транзистор 21 и на выход считывания 13. Разность токов, протекающих на выходах считывания 13 и 14, характеризует сигнал считываемой информации. Транзисторы 5 и 6 и транзистор 20 (или 19), а также транзистор 3 и 4 и транзистор 18 (или 17) работают в идентичных...
Запоминающее устройство
Номер патента: 1203592
Опубликовано: 07.01.1986
Авторы: Бабенко, Игнатьев, Мызгин, Неклюдов, Нестеров
МПК: G11C 11/40, G11C 7/00
Метки: запоминающее
...источника 5 тока. Выходы первого 3 и второго 4 дешифраторов выборки столбцов подключены соответственно к базам первых 13 и вторых 14 транзисторов усилителей считывания. 35В качестве элемента 1 памяти в запоминающем устройстве может быть использован триггер ИЛИ типа, состоящий из первого 15 и второго 16 транзисторов первого типа проводимости с перекрестно связанными базовыми и коллекторными выводами, третьего7 и четвертого 18 транзисторов второго типа проводимости и первого 19 и второго 20 резисторов, первые выводы которых являются входом элемента памяти. Второй вывод резистора 19 подклкчен к эмиттеру транзистора 15 и к базе транзистора 17, а второй вывод резистора 20 соединен с эмиттером транзистора 16 и с базой транзистора 18. Эмиттеры...
Запоминающее устройство (его варианты)
Номер патента: 1133621
Опубликовано: 07.01.1985
Авторы: Бабенко, Игнатьев, Мызгин, Неклюдов, Нестеров
МПК: G11C 11/40
Метки: варианты, его, запоминающее
...подключены к первым выводам первого ивторого источников тока выборки,вторые выводы которых соединены сшиной напряжения питания, дешифратор выбора строк, состоящий из элементов И, каждый из которых состоит 30из резистора и диодов, аноды кото"рых подключены к первому выводурезистора, второй вывод которогосоединен с шиной нулевого потенциала,буферные элементы, каждый из кото- Зрых состоит из первого, второго итретьего транзисторов, база второготранзистора подключена к эмиттерутретьего транзистора, база которогоявляется адресным входом устройства, 40а коллектор соединен с шиной нуле"вого потенциала, база первого транзистора подключена к первой шинеопорного напряжения, катоды диодовэлементов И подключены к коллекторам первых или вторых...
Устройство для обращения к памяти (его варианты)
Номер патента: 1092561
Опубликовано: 15.05.1984
Авторы: Дробышева, Мызгин, Нестеров, Пастон, Холоднова
МПК: G11C 11/407, G11C 7/00
Метки: варианты, его, обращения, памяти
...транзисторрезисторы с первого по третий, причем коллекторы первого и второго переключающих транзисторов подключенысоответственно к одним иэ выводовпервого и второго резисторов, другиевыводы которых соединены с первой шиной питания, база первого переключающего транзистора является информационным входом устройства, база второго переключающего транзистора подключена к первой шине опорного напряжения, эмиттеры управляющих транзисторов подключены к коллектору установочного транзистора, база которого соединена с второй шиной опорного напряжения, а эмиттер подключен к одномуиз выводов третьего резистора, другой вывод которого соединен с второйшиной питания, змиттеры переключающихтранзисторов соединены с коллекторомустановочного транзистора,...
Дешифратор запоминаюшего устройства
Номер патента: 871330
Опубликовано: 07.10.1981
Авторы: Гладков, Мызгин, Нестеров
МПК: H03K 13/25
Метки: дешифратор, запоминаюшего, устройства
...пятого и шестоготранзисторов дополнительного ЭСЛ ннвертора.На чертеже представлена принципиальнаяэлектрическая схема предложенного устройства.Устройство содержит входной эмиттерныйповторитель на транзисторе 1 и генераторе тока 2, адресный ЭСЛ - инвертор на транзисторах 3 и 4, резисторах 5 и 6 и генераторе тока 7, дополнительный ЭСЛ-гнвертор на транзисторах 8, 9, резисторах 10, 11, генераторетока 12, дополнительные выходные транзисторы13, 14, элементы И на диодах 15 - 17, резистор 18.Шина 19 является земляной, а шина 20 -шиной питания. База транзистора 4 подсоединена к шине 21 источника опорного напряженияОоП, Кроме того, имеются входные шины22 - 1 - 22 - й и выходные шины 23-1 - 23,которые подключены к эмиттеру транзистора24, Пусть на...
Логический переключающийэлемент
Номер патента: 849489
Опубликовано: 23.07.1981
Авторы: Гладков, Мызгин, Нестеров
МПК: H03K 19/08
Метки: логический, переключающийэлемент
...дешифраторов запоминающих устройств. Формула изобретения 3тельный переключатель тока, база входного транзистора которого подкл чена к входу элемента, коллектор, - к шине питания, а эмиттер - к дополнительному источнику тока и эмиттеру опорного транзистора, база которого подключена к дополнительному источни ку опорного напряжения, а коллектор- через резистор к шине питания и базе дополнительного транзистора, коллектор и эмиттер которого соответственно подключены к шине питания и базе многоколлекторного транзистора.На чертеже представлена принципиальная схема устройства.Устройство содержит многоэмиттерный транзистор Т 4, база и коллектор которого через резистор Й подключены к шине питания + Ч и к базеЕвходного транзистора Т...
Материал для изготовления пироэлектрического приемника
Номер патента: 779380
Опубликовано: 15.11.1980
Авторы: Белоус, Ласточкина, Мызгин, Нефедов, Чаянов
МПК: C09K 3/34
Метки: материал, пироэлектрического, приемника
...от величины прилагаемого напряжения. Ма" териалы устойчивы по отношению к воде и приемники, изготовленные из указанных материалов, безотказно работают в течение двух месяцев. П р и м е р. Для измерения пироэлектрического коэффициента,характеризующего пироэлектрический эффект, 4-окси-нитродифенила от приложенного, электрического поля используют экспериментальные образцы, представляющие рамки из стекла с отверстием в середине, накрытые тонкой пленкой (д 100 нм) нитроцеллюлозы с напиленной на нее методом вакуумного испарения структурой металл-диэлектрик-металл (МДИ), состоящей из тонких алюминиевых электродов (М 100 нм) и мелкокрнсталлической пленки указанного вещества между ними (Д1 мкм).380 исключают Фотоэлектрические эФфектыкого...