Насикан — Автор (original) (raw)
Насикан
Химический источник тока
Номер патента: 1734528
Опубликовано: 27.04.1996
Авторы: Батрак, Белов, Бублик, Котельников, Кошелев, Кусов, Насикан, Самойлова
МПК: H01M 4/66
Метки: источник, химический
ХИМИЧЕСКИЙ ИСТОЧНИК ТОКА рулонного типа, содержащий корпус, анод из щелочного металла, лития, апротонный электролит, сепаратор и твердый катод, нанесенный на металлическую сплошную коллекторную подложку, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока сохранности и надежности, на коллекторную подложку нанесен слой карбида титана плазменным методом.
Зубная коронка
Номер патента: 1811816
Опубликовано: 30.04.1993
Авторы: Батрак, Большаков, Гожая, Лявданская, Миронов, Насикан
МПК: A61C 5/08
...керамики наносят для подкраски металла под1811816 3облицовочный слой, выполненный из пластмассы, например "СИНМА", "СИНМАМ", или фарфоровой массы "МК",На чертеже изображена зубная коронка, схематический вид, где 1 - каркас., 2 - промежуточный слой, 3 в .углубление, 4 - подслой из материала каркаса (микроперлц), 5 - слой пористой керамики, 6 - облицовочный слой.П р и м е р, Металлический каркас с углублением для промежуточного и облицовочного слоев получали методом двойного штампования следующим образом. Для получения металлического штампика для окончательной штамповки на гипсовом столбике модель зуба) из воска моделировали форму зуба с местом для углубления. Для.перевода гипсовой заготовки в метал.лический штамп изгатавливэли...
Способ изготовления металлокерамического зубного протеза
Номер патента: 1732961
Опубликовано: 15.05.1992
Авторы: Батрак, Большаков, Лявданская, Миронов, Насикан, Чистяков
МПК: A61C 13/083, A61C 5/10
Метки: зубного, металлокерамического, протеза
...окисного слоя, что ведет к образованию дополнительных связей между фарфором, внесенным в окис-. ный слой, и фарфоровым покрытием (фарфоровых мостиков). 15Способ осуществляют следующим образом.Каркас 1 протеза отливают или штампу.ют из нержавеющей стали, например 1 Х 18 Н 9 Т, затем поверхность протеза песко струят под углом 30 - 75 к обрабатываемой поверхности и подвергают очистке кипячением в щелочи, например КОН, 5 - 10 мин, а затем в дистиллированной воде. Далее последовательно наносят подслой из матери ала основы толщиной 30 - 50 мкм и слой окисла металла, например окислов алюминия, иттрия, циркония (А 1203 У 203, ЛГО 2) с добавлением 10 - 20 порошка фарфора, например фарфоровой массы МК, толщиной 30 50 - 100 мкм методом...
Способ соединения токоотвода герметичного химического источника тока с крышкой через стеклянный изолятор
Номер патента: 1050013
Опубликовано: 23.10.1983
Авторы: Анисимов, Макаренко, Насикан, Середа, Стахова, Шаврин, Шкляревский
МПК: H01M 2/06
Метки: герметичного, изолятор, источника, крышкой, соединения, стеклянный, токоотвода, химического
...изготовленные по предложенному способу,.не имеют разрушений электрическогоизолятора, т.е. разгерметизации, вто время как иэ 300 шт. химическихисточников тепла, изготовленных поизвестному способу, 10-30 шт. составляют брак иэ"за разрушения электрического изолятора,Использование предложенного способа соединения токоотвода герметичного химического источника тока скрышкой через изолятор обеспечиваетувеличение надежности спая токоотводстекло - крышка за счет нанесенияна поверхность токоотвоца, прилегающую к крышке, электроизоляционногопокрытия с температурой плавлениябольшей, чем у стекла; устранениебрака по разрушению стеклометаллического гермовывода и упрощение эксплуатации химических источников токаэа счет увеличения надежности...
Питатель-дозатор порошковых материалов
Номер патента: 937274
Опубликовано: 23.06.1982
Авторы: Батрак, Ермаков, Миронов, Насикан, Шкляревский, Яковлева
МПК: B65B 1/42
Метки: питатель-дозатор, порошковых
...верхнего положения имеет место следующее соотношениех + Ь 2 с 1. е(,сЬу -- = с 1 д -(2)г 3 2 3где х - расстояние между двумя положениями диафрагмы.Вычитая (1) и (2), получаемх с(, сСсц -- с 9г 3 2Питатель работает следующим образом.В корпусе питателя при опущенном.штоке и диафрагме засыпается порошок.Затем поднимают диафрагму, котораяв верхнем положении располагается 40так, что между ее краями и стенкамикорпуса имеется зазор, достаточныйдля свободного просыпания порошкавниз, В этом положении диафрагмауменьшает давление общей массы порошка на нижнюю область, принимая егона себя, и способствует более равномерному вытеканкю порошка. Когда поднимают шток, открывается отверстие внижней части корпуса, через котороепорошок поступает в...
Устройство для выращивания энтомофагов гусениц яблонной плодожорки
Номер патента: 791356
Опубликовано: 30.12.1980
Автор: Насикан
МПК: A01K 67/00
Метки: выращивания, гусениц, плодожорки, энтомофагов, яблонной
...а внутренний 5 - с прорезями. Цилиндр 5 может быть выполнен из непрозрачного сплошного листового материала. Между поверхностью цилиндра 5 и поверхностью цилиндра 4 образована полость 6 за счет стержней 7, закрепленных на поверхности цилиндра 5. Светопроницаемая крышка 3 уста". новлена на ободе 8, который закреплен на цилиндре 4. По оси основания цилиндров и крышки 3 пропущена тяга 9 с гайкой 10, под которой закреплено основание приспособления 2.Устройство работает следующим образом.Из ловчих поясов, установленныХ на фруктовых деревьях, выбирают гусениц и помещают их в данное устройство. Для этого отвинчивают гайку 10, снимают крынку 3 и на ее внутреннюю поверхность наносят мазки меда нли са791356 Формула изобретения Фиг.2 цг. 1 Тираж 723...
Способ изготовления пропитанного катода
Номер патента: 654981
Опубликовано: 30.03.1979
Авторы: Аристова, Батрик, Елисеев, Насикан, Невежин, Рябиков, Шкляревский, Шумская
МПК: H01J 9/04
Метки: катода, пропитанного
...частиц диаметром свыше 20 мкм не обеспечивает формирования капиллярной структуры для транспортировки активного вещества на поверхность катода,15Вязкость среды, в которой осаждают порошки тугоплавких металлов, лежит в диа-, пазоне (1 - 1000) 10 -кг/м с. Нижний предел значений вязкости выбран из условия создания необходимого процесса грануло метрического сепарирования частиц, а верхний обусловливает технологически приемлемое время их осаждения. Термоподпрессовку проводят в атмосфере водорода при давлении 1 - 10 т/см и температуре 1100 в 25 1400 С в течение 5 - 30 мин. Предложенные режимы термоподпрессовки обеспечивают удаление остатков вязкой среды, восстанов-, ление окислов с поверхности частиц и образование в результате их...
Питатель порошкообразных материалов
Номер патента: 478619
Опубликовано: 30.07.1975
Авторы: Андреева, Батрак, Кошкин, Лурье, Насикан, Шкляревский
МПК: B05B 7/30
Метки: питатель, порошкообразных
...тарировке управляющего прибора для каждого конкретного состава порошка,Предлагаемый питатель отличается от известного тем, что бункер его выполнен в виде последовательно расположенных воронок, а ось воронок смещена относительно оси питающего валика в сторону, противоположную направлению вращения валика.Это значительно упрощает конструкцию устройства при сохранении высокой точности дозирования порошковых материалов.На чертеже представлена принципиальная схема питателя порошковых материалов,5 Р педующпм образом.Дозируемый порошок засыпается в бункер,который герметично закрывается крышкой.Прн включении привода 7 питающий валиквыносит порошок из зазора между поверх 10 постыл валика и обрезом воронки через паз,прорезанный в основании...
Маска для нанесения покрытий
Номер патента: 445999
Опубликовано: 05.10.1974
Авторы: Аршинова, Дмитренко, Насикан, Равич, Рябиков, Торопцева, Шкляревский
МПК: H05K 3/10
Метки: маска, нанесения, покрытий
...сталей большой тве батывают поверхность до выс чистоты, отжигают и тщательЦель изобретения - созда нанесения покрытий, возможно тых, надежных, не требующих нологии изготовления, - дости что на всю поверхность метал вы предлагаемой маски и вну ности отверстий нанесен слойполипирометиллитимид диаминодифенилоксида, полипирометиллитимид анилинфталеинаи т. д.На поверхность заготовки маски, вырубленной из металлического листа, с отверстиями определенной геометрии, не подвергая ее закалке, полировке и другим операциям, наносят слой 5-12%-ного раствора, полипиромеллитамидокислоты, в диметилформамиде толщиной 70-150 мкм, Образовавшийся слой нагревают в интервале темоператур 20-200 С со скоростью подъематемпературы 2-5 /мин и выдержкой прио200 С...