Пантуев — Автор (original) (raw)
Пантуев
Устройство для измерения толщины полупроводниковых пленок
Номер патента: 947645
Опубликовано: 30.07.1982
Авторы: Бахтин, Гибадулин, Кузнецов, Пантуев
МПК: G01B 21/08
Метки: пленок, полупроводниковых, толщины
...и 11 и нычитающего блока 12. Выходы первой половины разрядов регистра 9 сдвига соединены с сумматором 10, выходы второй половины разрядон регистра 9 сдвига - с сумматором 11. Выходы сумматоров 10 и 11 соединены с вычитающим блоком 12Устройство работает следующим образом.При сканировании спектра излучения с помощью блока 3 сканирования, приводящего в движение диспергирующий элемент монохроматора 1, излучение,отраженное от измеряемой пленки, помещенной на приставку 2,модулируется по интенсивности н соот. ветствии с условиями интерференцииизлучения н тонких пленках, Модулированное излучение поступает в приемник 4 лучистой энергии, где преобразуется в электрический сигналинтерференции. Сигнал интерференциипоступает на гход преобразователя5...
Устройство для изготовления сферического шлифа
Номер патента: 933397
Опубликовано: 07.06.1982
Авторы: Егай, Зарецкая, Кутовый, Пантуев, Харченко, Хашимов, Цукерваник
МПК: B24B 11/00
Метки: сферического, шлифа
...например, два сферических притира 4 и 5 различных диаметров.Притир 4 центрируется в сферических опорах 6 и 7, а ттртттттр 5 - в опорах 83 933397 4 и 9, Посредствам поводков 10 и 11 йередавая движение через шестерню 13 притиры кннемачически связаны с води- придиру 5.лами, выполненными заодно с шестерня-, . Испопьзоваае данной кон ми 12 13 к ее данно конструкции ми которые имвот воакожность пзвопяет оператнвно изменять режимы поочередного заценпения с приводной шес- з шпифования и создает условия об ботки т ей 14 зак йусловия ра ки тепя 15ерн, ренпенно на вану двига- . на одном станке попупроводникковых тепя, размещенного в основании 16. структур с разпичными топцинами эпиПосадочная поверхность 17 основания 16, таксиапьных слоев, что...
Устройство для измерения толщины многослойных структур
Номер патента: 905645
Опубликовано: 15.02.1982
Авторы: Гибадулин, Зудков, Кузнецов, Пантуев, Стрижнова
МПК: G01B 21/08
Метки: многослойных, структур, толщины
...блок 7 идентификации, блок 8 памяти, блок 9 анализа решений, регистратор 10. Блок 7 идентификации, в свое оче- ,щ редь, содержит задатчик 11 толщины слоев, блок 12 вычисления коэффициента отражения, блок 13 сравнения.Устройство работает следующим оС- разом. 45Поляризатор 2 с угловым кодировщиком 3 устанавливается в положение, обеспечивающее р- или я-поляризацию излучения источника света 1.Отраженное от многослойной структуры 1 поляризованное излучение поступает в спектрофотометр 5 с кодировщиком 6 длин волн, Сигнал с выхода спектрофотометра 5 поступает через третий вход блока 7 идентификации на вход блока 13 сравнения, где сравнивается с кодом коэффициента отражения, вычисленного е блоке 12.8 ычисление производится известным 5 фспособом...
Прибор для измерения концентрации примесей в полупроводниках
Номер патента: 317007
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Пантуев, Поплев, Прилипко
МПК: H01L 21/66
Метки: концентрации, полупроводниках, прибор, примесей
...12 переменного тока,5Описываемый прибор работает следующимобразом.Прн подключении контактов исследуемогообразца д к манипулятору па вход усилителя 5 высокой частоты поступает сигнал с амплитудой, пропорциональной барьерной емкости С образца, После усиления сигнала иего детектирования на вход дифференциального усилителя 7 поступает постояш ое напряжение Спо величине соответствуощее С, 15На второй вход дифференциального усилителя подано постоянное напряжеше С черезконтакты реле 8, Это напряжеш е равно напряжению па выходе детектора, если к манипулятору подключена эталонная емкость Сг,20вместо образца. Разница между У, и Г вслучае разбаланса усиливается в усилителе T.Полученное напряжение раз баланса= (lс - 1",1) К подается к образцу 3...
Устройство для измерения распределения легирующей примеси по толщине полупроводника
Номер патента: 240853
Опубликовано: 01.01.1969
МПК: H01L 21/66
Метки: легирующей, полупроводника, примеси, распределения, толщине
...Лг.От генератора 1 смещения к контактам исследуемого образца через резистор приложены импульсы линейно нарастающего напряжения смещения, повторяющиеся с частотой 1 кггг. Кроме того, к образцу подводится переменное напряжение от генератора 2 высокой (радио) частоты Ь,з 1 по 1 через конденсатор, величина которого выбрана существенно меньшей любого возможного значения емкости исследуемого образца. Вследствие этого амплитуда с 1 напряжения высокой частоты на образце обратно пропорциональна его емкости: Контур резонансного фильтра 5, подключенный к образцу через небольшую емкость, служит фильтром для отделения сигнала высокой частоты от импульсов генератора смещения. Осциллограмма напряжения (У 61 пьг) на контуре представляет собой...