Пензина — Автор (original) (raw)
Пензина
Способ изготовления пассивного модулятора добротности резонатора лазера
Номер патента: 1082271
Опубликовано: 10.09.2013
Авторы: Брюквин, Парфианович, Пензина, Соболев
МПК: H01S 3/11
Метки: добротности, лазера, модулятора, пассивного, резонатора
Способ изготовления пассивного модулятора добротности резонатора лазера на основе щелочно-галоидного кристалла, содержащего центры окраски, включающий выращивание легированных двухвалентными ионами щелочно-земельных или(и) редкоземельных элементов кристаллов и аддитивное их окрашивание в парах щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих длин волн модулятора в длинноволновую область спектра, дополнительно после аддитивного окрашивания кристаллы закаливают при температуре в интервале 300-400°С, измеряют коэффициент оптического поглощения в максимуме F-полосы, отбирают кристаллы с коэффициентом поглощения, лежащим в интервале 30-300 см-1,...
Способ изготовления пассивного затвора лазера
Номер патента: 1409082
Опубликовано: 20.08.1999
Авторы: Брюквин, Ермаков, Лукин, Макушев, Пензина, Соболев
МПК: H01S 3/11
Метки: затвора, лазера, пассивного
Способ изготовления пассивного затвора лазера на основе щелочно-галоидного кристалла, содержащего центры окраски, включающий выращивание кристалла, легированного двухвалентными ионами редкоземельных или щелочноземельных элементов, аддитивное его окрашивание в парах щелочного металла, закаливание при 300 - 400oC, измерение коэффициента поглощения в максимуме F-полосы поглощения, отбор кристаллов с коэффициентом поглощения 30 - 300 см-1, облучение отобранных кристаллов светом с длинами волн от 400 до 900 нм, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих длин волн лазера, кристаллы облучают таким образом, чтобы длительность облучения tобл...
Способ изготовления пассивного лазерного затвора
Номер патента: 1241965
Опубликовано: 27.03.1999
Авторы: Брюквин, Гадонас, Макушев, Пензина, Пискарскас, Попова, Соболев
МПК: H01S 3/11
Метки: затвора, лазерного, пассивного
Способ изготовления пассивного лазерного затвора на основе щелочно-галоидного кристалла, содержащего Z2-центры окраски, включающий выращивание щелочно-галоидного кристалла, легированного двухвалентными ионами щелочноземельных или редкоземельных элементов, и аддитивное окрашивание в парах щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью управления длительностью лазерных импульсов пикосекундного диапазона, аддитивное окрашивание ведут при температурах, составляющих 73 - 93% от температуры плавления щелочно-галоидного кристалла, после окрашивания определяют коэффициент оптического поглощения в максимуме Z2-полосы поглощения и отбирают кристаллы с коэффициентом поглощения...
Способ получения монокристаллов на основе иттрий алюминиевого граната
Номер патента: 1595023
Опубликовано: 27.03.1999
Авторы: Киселева, Крутова, Пензина, Письменный, Попов, Сандуленко
МПК: C30B 11/02, C30B 29/28
Метки: алюминиевого, граната, иттрий, монокристаллов, основе
Способ получения монокристаллов на основе иттрий-алюминиевого граната, включающий выращивание вертикальной направленной кристаллизацией расплава с легирующей добавкой в молибденовом контейнере в атмосфере смеси аргона с водородом, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода оптически однородных монокристаллов, пригодных для использования в качестве пассивных лазерных затворов с высокой апертурой, в качестве легирующей добавки берут хром с концентрацией не более 6 1020 см-3 с магнием или кальцием с концентрацией не более 4 ...
Способ изготовления пассивного лазерного затвора
Номер патента: 1514207
Опубликовано: 27.03.1999
Авторы: Карнаухов, Пензина, Ружников, Соболев
МПК: H01S 3/11
Метки: затвора, лазерного, пассивного
Способ изготовления пассивного лазерного затвора по авт. св. N 1241965, отличающийся тем, что, с целью уменьшения длительности лазерного импульса при работе затвора с нагревом до 50 - 90oС, кристалл дополнительно подвергают отжигу при 20oС в течение 1 мес., затем определяют коэффициент поглощения KF в максимуме F-полосы поглощения и проводят отбор кристаллов из условия где коэффициент поглощения в максимуме F-полосы.
Способ изготовления пассивного лазерного затвора
Номер патента: 1378738
Опубликовано: 27.03.1999
Авторы: Брюквин, Лукин, Макушев, Пензина, Соболев
МПК: H01S 3/11
Метки: затвора, лазерного, пассивного
Способ изготовления пассивного лазерного затвора для лазера с длиной волны излучения 1,5 мкм, включающий выращивание в инертной атмосфере легированных двухвалентными ионами редкоземельных или щелочноземельных элементов щелочно-галоидных кристаллов, их аддитивное окрашивание, закалку при температуре в интервале 300 - 400oС и облучение светом с длинами волн 400 - 900 нм, отличающийся тем, что, с целью уменьшения неактивных потерь путем увеличения концентрации рабочих центров и уменьшения концентрации центров неактивных потерь, предварительно выращивают кристаллы без легирующей добавки, отбирают из них кристаллы с содержанием гидроксил-ионов не более 0,01 мол.%, затем выращивают...
Пассивный модулятор добротности резонатора лазера
Номер патента: 984374
Опубликовано: 23.05.1983
Авторы: Брюквин, Варнавский, Мецик, Парфианович, Пензина, Соболев
МПК: H01S 3/11
Метки: добротности, лазера, модулятор, пассивный, резонатора
...волны люминесценции Е - центров зависит как оттого, так и от другого.Центры окраски Е - типа создают подобно центрам прототипа с помощью облучения кристаллов ионизирующей радиацией или частицами высоких энергий, илипрогревом кристалла в течение нескольких часов в пар щелочного металла притемпературе, близкой к температуре плавления кристалла, т. е, способом аддитивного окрашивания,Пассивный модулятор выполнен в видепараллелепипеда, размеры которого брались в пределах от 10 ф 100,5 мм до10 10 10 мм, В качестве материе=ла модулятора использовались монокристаплы щелочных галоидов, например МРС 6КСЕ, КВг, КЗ, К ВСЕ, ССЕ, СВг,С 9 Х и другие, выращенные из расплава,с добавлением в исходную щихту гапоидных солей легирующей примеси,...