Пискл — Автор (original) (raw)

Пискл

Устройство для измерения магнитоупрур№”-” свойств цилиндрических тонких магнитных пленок

Загрузка...

Номер патента: 360625

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гончаров, Пискл, Полул, Раздовский, Харьковский

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, магнитоупрур№, пленок, свойств, тонких, цилиндрических

...между напряжениями генераторов возникает фазовый сдвиг, Генераторы прои зтам за счет связи между ними работают на одной частоте.В контур генератора 1 включен участок образца пленки, Ток контура генератора, протекая по этому участку, создает малое пробное поле, направленное :по оси легкого намагничивания. Поэтому участок образца пленки представляет сабой инду 1 ктивное сопротив лениевеличина которого прямо прапорциональна дифференциальной ма 1 снитной,восприимчивасти вдоль оси легкого намагничивания испытуемого, участка пленки. Изменение диф- ференциальной магнитной восприимчивости пленки,вызывает изменение индуктивного сопротввления участка пленки, включенного в контур, т. е. изменение параметра контура 1. За счет связи между...

Способ измерения магнитострикционных свойств цилиндрических тонких магнитных пленок

Загрузка...

Номер патента: 324594

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гончаров, Пискл, Полул, Раздовский, Харьковский

МПК: G01R 33/18

Метки: магнитных, магнитострикционных, пленок, свойств, тонких, цилиндрических

...магнитных 5 пленок заключается в следующем. Испытуемый участок пленки включают в контур 1.С-генератора последовательно с индуктивностью цлц емкостью контура. Ток контура 1.С-генератора, протекая по подложке 10 пленки, создает пробное высокочастотное поле, направленное вдоль осц легкого намагг;1- чцвянця илекц, т. с. По ок 1 ужностг 001)азц.Включенный таким образом участок пленки будет являться шгдуктцвностью, представляю щей часть индуктцвности контура генератора.Величина цндуктивности исследуемого участка образца пленки пропорциональна дцффсре 1- циальной магнитной восприимчивости пленки.При измерении подмагничивающего поля 20 вдоль осц трудного намагничивания пл икц будет изменяться величина дифферецциальцой восприимчивости...

Намагничивающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 233081

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Донде, Зубков, Масленников, Пискл, Рохман, Торбин

МПК: H01F 13/00

Метки: намагничивающее

...линии.На чертеже представлена схема описываемого намагничивающего устройства.Нам агничивающее устройство состоит из шихтованного магнитопровода 1 тороидальной формы с внешним диаметром 140 л,и и обмотки 2 возбуждения. Магнитопровод 1 собран из трех пакетов, а каждый пакет - из пластин электротехнической стали. Между пакетами сделаны пазы 3 для протяжки исследуемой микропроволоки.Намагничивающее устройство позволяет получить в рабочем зазоре 4 магнитное поле напряженностью до 5000 э ампл. при частоте 50 гт с малым содержанием высших гармонических составляющих, Для этого внутреннее цилиндрическое отверстие мдгнптопроводд расположено эксцентрично по отношению к наружной поверхности.Использование съемного датчика 5, в кото ром...