Подласенко — Автор (original) (raw)

Подласенко

Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала

Номер патента: 1474150

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

...изобретения - повышение диэлектрической проницаемости материала.Пихту получают следующим образом.Предварительно известным в керамической технологии способом получают спеки титаната бария, цирконата кальция и станната кальция, которые синтезируют при 1220-1300 С, затем измельчают до удельной поверхности 4000 - 5000 см /г. Измельченные сле- г удельной пов и используют ка конденсат ическом кон ноло бл,1 хты Составы шихты приведеныхарактеристики полученныхматериалов - в табл.2. Ф о а изобре Ших лектрето- онде для изготовления се еского керамического ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССРОЛИСАНИЕ ИЗ ВТОРСНОМУ СВИДЕ заданном соотношении,ребуемым количеством фарганца и оксидов цинка,и циркония.смесь...

Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала

Номер патента: 1463729

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

...ших 1, а в табл. ученных из ших" характеты матернало ности ной пов ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГННТ СССР енсаторов.ель изобретения - повышениетрической проницаемости мате и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамическихконденсаторов, Для повышения диэлектрической проницаемости материалашихта сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материаласодержит в качестве добавки СаЯпОзи каолин при следующем соотношениикомпонентов, мас,Ж: ВаТхОз 86,2188,40, Са 2 тО8,0-9,0; МпСО 0,080,10 БЬО 0,70-0,981 2 пО 0,450,70; СаБпОз 2,17-2,66; каолин 0,200,35. Полученные по обычной керамической технологии составы материалаиз полученной шихты имеют следующиехарактеристики:15000-16800, 8 Ф1463729...

Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала

Номер патента: 1458355

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

...в заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомуглекислого марганца и оксидов цинка и ниобия (см. табл. 1). изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки СаЯпО при следующем соотношениикомпонентов, мас.7.: ВаТ 10,8712- 88,97; СаЕгО 7,8-8,.6; ИпСОэ,0,08- О, 10; ИЬО у 0,70,-0,98; ЕпО 0,45- 0,70; Са 8 пОэ 2,00-2,50. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют, следующие характеристики: Е 15000-17000; с 8 с(1,25-2,25)х 10 ф; р при 100 С (5,0-9,1 ГОм м;Е5,0- й -6,4 МВ/м;Т15-25 С;, Тматериала 1260-1300 С. 2 табл. ную смесь...