Ротнер — Автор (original) (raw)

Ротнер

Способ изготовления теплопроводной керамики

Номер патента: 1805125

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Боримский, Кулич, Ротнер, Симкин, Скляр, Суранов, Цыпин

...изделия в области высоких температур, что ведет к неполному протеканию процессов при спекании и на личию остаточной пористости в готовом изделии, а следовательно; .к снижению теплопроводности. Снижение температуры со скоростью ниже 20 С в минуту ведет к длительному пребыванию кубического нит рида бора в области высоких температур,что интенсифицирует процесс его деструкции.Выдержка на 3-1 стадии выше 20 минтакже ведет к более интенсивной деструк ции кубического, нитрида бора из-за более.длительного пребывания его в области вы. соких температур, и следовательно, к снижению теплопроводности, а выдержка ниже 10 мин, приводит к неполному протеканию 40 процессов при спекании и к наличию остаточной.пористости в изделии, что также приводит к...

Диспергатор

Номер патента: 1782652

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Гуюмджян, Лапшин, Опурин, Ротнер, Симкин, Цыпин

МПК: B02C 13/14

Метки: диспергатор

...конуса, на поверхности которого установлены неподвижныеконтрударники 11, образующие радиальныеканалы 12; кольцо 13, и центральное вытрузочноеотверстие 14 для вывода готовогопродукта, На нижние поверхности рабочегооргана установлено кольцо 15 с завихрите-"лями 16 для турбулизации пульпы,Кроме повышения эффективности измельчения, определяемое наличием дополнительных разгонных и ударных элементовв предлагаемом устройстве возможно диспергирование проводить в непрерывном режиме работы,Диспергатор работает следующим образом.Материал подвергаемый измельчениюв виде пульпы через загрузочный патрубок1 поступает в корпус 2 диспергатора, гдеподхватывается потоконаправляющими лопатками 7 и через щелевидные каналы 6попадает в цилиндрические камеры 5....

Датчик высоких давлений

Номер патента: 1649322

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Валевский, Вечер, Ворона, Масленко, Ротнер, Скоропанов

МПК: G01L 11/00

Метки: высоких, давлений, датчик

...же количество порошка селе- нида свинца и с помощью оправки порошок запрессовывают в диск. Приготовленный таким образом датчик высокого давленияпомещают в твердофазный аппарат высокого давления с шихтой для синтеза искусственных алмазов. Предварительно проводят калибровку реакционного сосуда по давлению. После завершения под действием давления в реперном материале фазового превращения, начинающегося при 4,23 +.0,07 ГПа, включают ток нагрева, реперный материал прогорает и идет синтез искусственных алмазов,Пример 2. Датчик высокого давления готовят аналогично примеру 1, но корпус датчика получают путем вырубки (вырезки) его из бумаги термически расщепленного графита толщиной 0,5 мм. Результаты положительны.Пример 3. Датчик высокого...

Устройство для создания высокого давления

Номер патента: 1586767

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Лаца, Ротнер

МПК: B01J 3/06

Метки: высокого, давления, создания

...и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101 Изобретение относится к обработке материалов давлением и может быть использовано для синтеза сверхтвердых материалов под высоким давлением и температурой.Целью изобретения является повышение уровня генерируемых давлений.На чертеже представлено устройст.- в , поперечный разрез. 1 ОУстройство содержит две соосно р сположенные матрицы 1 с центральн ми углублениями 2, окруженные кольц выми канавками 3 контейнер 4 с о евым отверстием для размещения обр зца 5, Между поддерживающими коль-.Вц ми 6 размещена муфта 7 с дополнительным ограничительным стальным крльцом 8 и изолирующие картонные...

Устройство для сварки и резки термопластичного материала

Номер патента: 1154102

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Кириченко, Ротнер

МПК: B29C 65/02

Метки: резки, сварки, термопластичного

...полиэтилена, и может быть использовано в химической, пищевой и легкой промышленности.Ф Цель изобретения - улучшение качеств а, с в арки пут ем пр едотвращения налипания материала.На чертеже изображено предлагаемое устройство, продольний разрез.Устройство содержит корпус 1, в котором установлен нагревательный элемент, выполненный в виде диска 2 из алмазного поликристаллического материала. На боковой поверхности 3 диска расположена рабочая часть с режущим 4 и сварочными 5 участками и резистивный слой 6, на котором закреплены металлизированные площадки 7 и токоподводящие выводы 8, выполненные в виде пластмассового стержня, выведенного наружу через корпус 1 для подсоединения к источнику питания . Нагревательный элемент крепится к...

Микропаяльник

Номер патента: 1142240

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Кириченко, Ротнер

МПК: B23K 3/02

Метки: микропаяльник

...жен обладать заданной формой, поэтому следует либо производить отбор кристаллов, либо подвергать кристаллы малых размеров механической обработке, что само по себе сложно. Наиболее бликзим к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является паяльник, содержащий корпус, наконечник с размещенным на его боковой поверхности нагревателем с токоподводами 2.Металлический наконечник взаимодействует при пайке с припоем (и флюсом), при этом продукты взаимодействия попадают в спай, ухудшая его качество, например повышая электрическое сопротивление контакта. Ухудшение качества спая за счет взаимодействия припоя и флюса с материалом наконечника одна из причин брака при изготовлении микросборок.Цель изобретения - повышение...

Термозонд для измерения теплопроводности твердых тел

Номер патента: 1004841

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Ворона, Преснов, Ротнер, Щербакова

МПК: G01N 25/18

Метки: твердых, тел, теплопроводности, термозонд

...а .другая, воспринимающая нагрузку, выполнена из диэлектрического алмаза с плоской поверхностью, контактирующей с образцом, и соединена с корпусом. На чертеже представлен предлагаемый термозонд.1004841 где Термозонд включает корпус 1 в виде стержня н алмазный наконечник,с остоящий из двух частей, измерительой части 2, выполненной из полупр -оводникового алмаза, и части 3, воспринимающей нагрузку и соединеннойс корпусом 1, электрические контак"ты 4. Контактирующая поверхностьзонда с образцом 5 плоская.Термозонд работает следующим об 10разом.,Зонд своим наконечником вводитсяв контакт с образцом 5. Создаетсяусилие прижима. Пропусканием токачерез кристалл полупроводникового алмаза 2 зонд нагревает до заданной 15температуры....

Термистор и способ его изготовления

Номер патента: 911631

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Былина, Косицына, Нестеренко, Преснов, Ротнер

МПК: H01C 7/04

Метки: термистор

...3 и термоустойчив.е покрытие 5. Термистор помещен в корпус из кварцевого стекла(не показан).Термистор работает следукщим образом.5С помощью выводов 3 термистор подсоединяется к измеряемому объекту. Измерительнья мостом .сопротивления измеряется сопротивление термистора. По градуировочной кривой зависимости .сопротивления термистора от температуры объекта. При изменении тем-. пературы объекта термистор меняет свое сопротивление. Это изменение регистрируется и по градуировочной кривой оценивается соответствующее изменение температуры измеряемого объекта .в данный момент времени.Термистор изготовляют следующим образом. 20Монокристаллический алмаз помещают в центральную часть пресс-формы с алмазным порошком и выдерживают загрузку в камере...

Способ контроля термического контактного сопротивления

Номер патента: 864082

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Ворона, Ротнер

МПК: G01N 25/00

Метки: контактного, сопротивления, термического

...характер изменения температуры во времени (ос циллограмма) .Полученное на оснонании анализа кривой 1 значение коэффициента температуропроводности соответствуетэффективной температуропронодности системы образец-область контакта.После достижения теплового равнонеСИЯ образца с окружающей средой уве.личивают усилие прижима датчика навеличину кратную начальному усилиюи вновь нагревают образец импульсомтепла. Эффективная температуропроводность, определяемая на основании повторного нагрева (кривая 2), пренышает исходную на величину, соответствующую снижению термического контактного сопротивления за счет увеличения усилия прижима датчика.Увеличение усилия прижима производят до тех пор, пока наблюдаетсяразличие в эффективных...

Способ получения теплоотвода для полупроводниковых приборов

Номер патента: 855793

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Ноздрина, Паскаль, Потапенко, Преснов, Ротнер

МПК: H01L 23/34

Метки: полупроводниковых, приборов, теплоотвода

...О.СтручеваРедактор Л.Копецкая Техред А. Ач Корректор Л, Иван Заказ 6943/76 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, ЖРаушская наб., д. 4/5 Филиал ППП фПатент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 эой конус от сверла в медном основании убирается, т.е, образуется цилиицрическое углубление диаметром 1,5 мм и глубиной 1,5 мм. В него помещается навеска серебра, подобранная экспериментально по весуМедное основание с навеской помещается в вакуумную камеру. В вакууме не ниже 10 Торр навеска серебра вплавляется в отверстие медного основанияКристалл алмаза с наибольшим геометрическим размером не более 1,5 мм подвергается химической очистке и металлиэации со всех сторон катодным...