Шубникова — Автор (original) (raw)

Шубникова

Способ получения информации о разрезе в процессе бурения и устройство для его осуществления

Номер патента: 1481388

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Винс, Дмитриев, Карапетьян, Мещеряков, Цвеер, Шраго, Шубникова

Метки: бурения, информации, процессе, разрезе

...23. Блок 21 представляет собой устройство памяти, объем которого определяется сигналом из эадатчика 16.На вход блока 23 поступает последовательность иэ 60 сигналов, например, за интервал проходки 1530-1590 м. Из блока 20 поступают границы объектов, например 1537 и 1575 м. В блоке 23 из последовательности в 60 сигналов вырезается интервал, соответствующий 1537-1575 м, Каждый из этих 38 сигналов сравнивается с поступающими из блока 22 уровнями изменения параметра, которые, например, для механической скорости (7) приведены в табл.1.Результаты сравнения сигналов с уровнями - признаки принадлежности сигналов тому или иному интервалу - сравниваются между собой, вычисляется число сигналов, имеющих одинаковый результат сравнения, т.е....

Неполяризующийся электрод

Номер патента: 742849

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Ефимов, Комаров, Попов, Сушкевич, Шубникова

МПК: G01V 3/04

Метки: неполяризующийся, электрод

...концевая часть 3корпуса 1 с пористой перегородкой 4закапывается в земпю на небольшую глубину. Электролит 2 (например, медныйкупорос) через пористую перегородку 4контактирует с землей, поэтому потенциал электролита 2 соответствует потенциалу внешнего поля в точке расположения электрода. Корпус 1 выполненв ниде длинной трубки из изоляционного материала, поэтому верхняя кон- бОцевая часть 5 корпуса с основным би дополнительным 7 электродами удалена на значительное расстояние от перегородки 4 и помещена в термозащищенный блок, благодаря чему достигается 65 увеличение стабильности собственной разности потенциалон измерительных электродов. Так как электролит 2 имеет высокую проводимость милливольтметр 8 - высокое входное сопротивление, то...

Способ получения нормального слоя жидкого кристалла

Номер патента: 429083

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Висти, Горина, Иванов, Ордена, Чист, Шубникова

МПК: C09K 19/52

Метки: жидкого, кристалла, нормального, слоя

...получать нормальный слой путем добавления к жидкому кристаллу такого поверхностного вещества, как ионол, Нормальный слой жпдкого кристалла имеет подвижную структуру и любая внешняя сила (механическая, электрическая, магнитная и т. д.) способна изменить расположение молекул в слое, вызывая просветления его меж ду скрещенными николями. Но как тольковнешнее воздействие снимается, нормальный слой быстро восстанавливается, и жидкий кристалл снова становится темным между скрещенными николями, Время восстановле ния нормального слоя будет зависить от толщины слоя, убывая с уменьшением последнего. Так как в тонких слоях ориентирующее действие подложки с закрепленной на ней мат.рицей из примеси более сильное, то и упругие 15 слои более...

Механооптронв пт б, . лип п-; -гп”гфо i; -: ; -.: i

Номер патента: 419739

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Вистинь, Горина, Ордена, Чист, Шубникова

МПК: G01H 1/00

Метки: гп"гфо, лип, механооптронв

...форму, в результате чего располагаются перпендикулярно подложке. Тем самым они образуют матрицы на поверхностях, которые и задают ориентацию молекулы жидкого кристалла. Под нормальным слоем понимается слой, в котором молекулы удлиненной формы расположены перпендикулярно поверхности, ограничивающей вещество. Таким образом в чистый корпус достаточно залить смесь жидкого кристалла и вставить пластину 5, а нормальный слой образуется самопроизвольно.Механооптрон может работать в течение длительного времени в температурном интервале, например, 14; +100 С. Температурные ограничения вызваны тем, что пока в практике имеется вещество, способное находиться в нематическом состоянии только в таком интервале температур ( - 14 - :100...