Тоомсоо — Автор (original) (raw)

Тоомсоо

Способ изготовления выпрямительных элементов

Номер патента: 1114253

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Галинский, Корольков, Сурженков, Тоомсоо, Хуторянский

...алюминия ссеребром, При охлаждении после сварОки при температуре 390 С (согласнодиаграмме состояния) происходит пери тектоидная реакция распада пересыщенного твердого раствора с образованием интерметаллического соединенияМ + Ая А 1. Другими словами, должна происходить диффузионная перестрой 35ка кристаллической решетки пересыщенного твердого раствора с образованиеминтерметаллического соединения. Образование промежуточного слоя такогоинтерметаллида крайне нежелательно в 40силу того, что он повышает тепловоесопротивление, приводит к существенной потере прочности и пластичностижесткого непосредственного соединенияэлектрода из серебра или его сплавов 45с алюминиевой металлизацией, а это,в свою очередь, может лривестн к разрушению...

Устройство для испытаний полупроводниковых приборов

Номер патента: 1112594

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Ази, Видерман, Вийл, Иоспа, Коост, Косой, Кютт, Нарусон, Попов, Пукспуу, Тислер, Тоомла, Тоомсоо, Унт

МПК: H05K 13/00

Метки: испытаний, полупроводниковых, приборов

...возможностей и упрощение конструкции.. 50Указанная цель достигается тем, что устройство для испытаний полупроводниковых приборов, содержащее тепло- изолированные камеры с размещенными в них транспортирующими роторами и механизм перегрузки полупроводниковых приборов между роторами, снабжено дополнительным механизмом пе 594 2 регрузки полупроводниковых приборовмежду роторами, роторы размещены водной плоскости, а теплоизолированные камеры выполнены в виде кожуховохватывающих внешние части окружнос-.тей транспортирующих роторов,На фиг, 1 изображена схема устройства; на фиг. 2 - схема расположения кожуховУстройство содержит транспортирующие роторы 1 и 2 с пазами 3 иносителями 4 испытуемых полупроводниковых приборов, механизмы 5 и 6...

Способ изготовления выпрямительных элементов

Номер патента: 1103306

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Галинский, Зумберов, Карпов, Корольков, Кузьмин, Сурженков, Тоомсоо, Хуторянский

МПК: H01L 21/04

Метки: выпрямительных, элементов

...предлагаемой операции металлизации привариванием металлической фольги от известной металлизации химическим осаждением металла заключается в том, что на поверхность полупроводниковой структуры наносится плотный металлический слой с меньшим тепловым и электрическим сопротивлением, чем это имеет место у пористого, химически осажденного металла. Помимо этого, приваривание металлической фольги позволяет осуществлять операцию металлизации одновременно с опера цией приварки термокомпенсатора, что уменьшает трудоемкость и количество брака при изготовлении выпрямительного элемента по сравнению с известным способом, гдеоперации металлизации структуры и крепления к ней термокомпенсатора выполняются раздельно и последовательно.Перед...

Способ измерения температуры электроннодырочного перехода полупроводникового прибора

Номер патента: 305524

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аси, Тоомсоо

МПК: G01R 29/00, H01L 21/00

Метки: перехода, полупроводникового, прибора, температуры, электроннодырочного

...напряжения.Цель настоящего изобретения зв повышении точности измерения.Это достигается применениемтемпературно-чувствительного пара пературцой завцсимостц напряжения лавицообразовакня в обратном направлении.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом, Через тцристор цлц вентиль5 пропускают в обратном направлении измерительный обратный ток определенной величиныц измеряют обратное напряжение на тиристоре цли вентиле.Температуру полупроводниковой структуры10 определяют по заранее известной температурной зависимости напряжения в лавинном пробое,Величина измерительного обратного токасоответствует режиму лавинного пробоя, но15 достаточно мала, чтобы не вызвала значительного дополнительного нагрева полупроводниковой...