Якимаха — Автор (original) (raw)
Якимаха
Способ нагрева заготовок в методической печи
Номер патента: 1786352
Опубликовано: 07.01.1993
Авторы: Бондаренко, Голобородько, Лобжанидзе, Слезовский, Шмачков, Якимаха
Метки: заготовок, методической, нагрева, печи
...привести к тому, что в томильную зону поступит большое количество непрогретых заготовок (имеется ввиду "темные пятна" от глиссажных труб), При неизменной температуре томильной зоны это вызовет увеличение расхода газа и размеров факела, Ведь температура томильной зоны есть средневзвешенная температура системы газ - кладка - металл и при уменьшении температуры металла должна увеличиться температура газови соответственно расход топлива и размеры факела, Увеличение размеров факела может привести к перегреву поверхности заготовок, следующих за нагреваемой заготовкой и находящихся в зоне лучистого воздействия факела, В то же время нагреваемая заготовка имеет неравномерное температурное поле, т,к. времени пребывания в томильной зоне...
Устройство с управляемым сопротивлением
Номер патента: 1443131
Опубликовано: 07.12.1988
Автор: Якимаха
МПК: H03G 3/30
Метки: сопротивлением, управляемым
...инвертирующий усилитель 5, дополнительный управляемый резистор 6 и резистор 7.Устройство работает следующим образом.Во включенном состоянии на выходе ОУ 3 25 где 1 . - ток, протекающий черезЕ 1 п 6дополнительный управляемый резистор б; 30К, - сопротивление задающегоэлемента 4Поскольку 1 можно выразить через напряжение на выходе дополнительного управляемого резистора 6 06 и35 его сопротивление Р о. 6 ." Юпб б 31 пб(3) учитывая, что при использовании в качестве управляемых резисторов линеаризированного 1 ЩП транзистора К;2/К Ц;и, где Ц, - входное напряжение управляемого резистора, находят Ц = -0,5 ПБКай (4) где Ц - напряжение на выходе инверЮ 50тирующего усилителя 5, рав- ное затем находят искомое выражение дляЦ е55 ВНИИПИ...
Логический элемент
Номер патента: 1413720
Опубликовано: 30.07.1988
Автор: Якимаха
МПК: H03K 19/08
Метки: логический, элемент
...а транзисторы1,3 и 7,5 - в открытом, Открытыйтранзистор 1 обеспечивает уровень"0" на выходе 12 устройства (током обеспечен), а на выходе 11 устройства будет потенциальное состояние "0", поскольку ток транзистора 3 значительно меньше, чем у транзистора 1.В третьем состоянии на входы 10 и 13 подается уровень "1", а на входы 9 и 14 - уровень "0". Тогда транзисторы 2,4 и 8,6 будут открыты, а тран" зисторы 1,3 и 7,5 - закрыты. Открычий транзистор 2 обеспечивает уровень "О" на выходе 12 (обеспеченный тоном), а открытый транзистор 4 обеспечивает уровень "0" на выходе 11 (потенциальный).В четвертом состоянии на все входы 9,10,13 и 14 подается высокий уровень "1", Тогда транзисторы 1-4 будут открыты, а транзисторы 5-8 - закрыты, Очевидно,...
Мультивибратор
Номер патента: 1408523
Опубликовано: 07.07.1988
Автор: Якимаха
МПК: H03K 3/281
Метки: мультивибратор
...быстрого разряда конденсатора 10 по следующей цепи: шина 7 источника питания, малые значения сопротивлений база - эмиттер транзистора 4 и коллектор - эмиттер транзистора 3 конденсатор 10, малое внутреннее сопротивление коллектор в эмитт транзистора 12 - клемма 5. Разряд конденсатора 10. прекрашается, когда потенциал базы транзистора 1, понижается до уровня порога отпирания.В момент времени, когда схема мультивибратора лавинообразно переходит в другое квазистационарное состояние, транзисторы 1, 2, и 3, 4, открыты, а транзисторы 1, 2, и 3 4 закрыты (транзисторы 11 и 12 также запираются). В этот момент времени конденсатор 10 подключен до положительного напряжения, равного пороговому напряжению транзисторов 1, и 2, и приложенного...
Элемент памяти
Номер патента: 1388947
Опубликовано: 15.04.1988
Автор: Якимаха
МПК: G11C 11/40
...разрядной шины 9 на состояние элемента памяти. На вторук) числовую шину 14 5 1 О 25 ;б 3.3 гз 1 Г 5 О2поступает уровень О, который отпирает транзисторы 11 и 12, а на вторую разрядную шину 13 поступает уровень 1, который открывает транзисторы 1 и 2 первого инвертора независимо от их предыдущего состояния. При этом транзисторы 4 и 5 второго инвертора также открываются, а транзисторы 1 и 2 второго инвертора и транзисторы 4 и 5 первого инвертора закрываются,В режиме считывания записанной в элементе информации также возможны два случая работы. Съем уровня О целесообразен при подаче уровня 1 на числовую шину 10, тогда уровень О поступает через открытый транзистор 7 на разрядную шину 9. Если транзистор 2 второго инвертора заперт, то на...
Пороговое устройство
Номер патента: 1381696
Опубликовано: 15.03.1988
Авторы: Роскошный, Якимаха
МПК: H03K 5/24
Метки: пороговое
...обратное напряжение с выхода ключа 6 поступает на вход аналогового ключа 8 и обеспечивает режим глубокого насыщения.Для второго устойчивого состояния порогового устройства при ББхарактерно следующее, Вьгходцое напряжение компаратора равно минимальному значению (или обратному напряжению Ез), тем самым обеспечивается надежное отпирание ключа 4, который через малое значение сопротивления сток - исток соединяет обмотку электромагнитного реле 5 с источником питания Е, . Реле 5 цаходитсяво включенном состоянии.Низкий уровень напряжения с выхода компаратора 1 включает ключ 6 инвертора и напряжение порядка Е , надежно запирает ключ 8. Конденсатор 3 заряжен разностью напряжений между значением выходного напряжения компаратора 1 и источником...
Стабилитрон
Номер патента: 1372312
Опубликовано: 07.02.1988
Автор: Якимаха
МПК: G05F 3/22
Метки: стабилитрон
...транзистора 2, коллектор транзистора 3 соединен с коллектором транзистора 4,коллектор транзистора 2 соединен сбазой транзистора 3, а коллектортранзистора 1 соединен с базой транзистора 435Стабилитрон работает следующимобразом,В стабилитроне осуществлена развязка между транзисторами 1 и 2, задающими величину диапазона экспоненциальных вольтамперных характеристик (ВАХ), и транзисторами 3 и 4,задающими диапазон выходных токов,Выходной ток элемента, протекающийчерез выводы 5 и 6, определяетсятранзисторами 3 и 4, геометрическиеразмеры которых могут быть выбранызначительно больше размеров транзисторов 1 и 2. Поэтому тепловые токи1 , и 1 , транзисторов 3 и 4 зна 50чительно больше тепловых токов 1 ,и 1 , транзисторов 1 и 2, Это означает,...
Rs-триггер
Номер патента: 1370732
Опубликовано: 30.01.1988
Автор: Якимаха
МПК: H03K 3/286
Метки: rs-триггер
...- уровень лог.1, тогда независимо от предыдущего состояния КБ-триггера на выходах 9 и 18 будет низкий уровень напряжения лог.О, а на выходах 10 и 19 - высокий уровень напряжения лог.1. При этом транзисторы 5, 16, 2, 4, 15 и 12 будут открыты, а транзисторы 1, 3, 14, 11, 6 и 17 - закрыты. Состояние лог.О на выходе 18 обеспечивается током транзистора 16, а состояние лог.О на выходе 9 не обеспечивается током. Аналогично состояние лог.1 на выходе 1 О также обеспечивается током открытого транзистора 12, а состояние лог,1 на выходе 19 является потенциальным.При поступлении на оба входа 7 и 8 высоких уровней напряжения лог. открываются все транзисторы, входящие в схему устройства. На выходах 9, 18 и 10, 19 взаимно противоположные состояния,...
Микромощный логический инвертор
Номер патента: 1365352
Опубликовано: 07.01.1988
Автор: Якимаха
МПК: H03K 19/08
Метки: инвертор, логический, микромощный
...Тогда на выходе 13 устройства будет низкий уровень напряжения логического О, обеспеченный током открытого транзистора 4, а на выходе 14 также будет низкий уровень напряжения логического О, несколько высший первого и уже не обеспеченный током, поскольку ток коллектора транзистора 1 значительно меньше, чем ток коллектора транзистора 2 В этом состоянии по входу 11 нет необходимости в обеспечении его током, .в то время как по входу 9 такое обеспечение необходимо для нормальной работы транзисторов 1 и 2.Таким образом, в предлагаемом устройстве реализована функция расщепления входов и выходов по их обеспеченности токами для различных логических уровней напряжений. Так, например, к выходу 14 необходимо под. ключать базу транзистора...
Элемент с управляемым сопротивлением
Номер патента: 1365348
Опубликовано: 07.01.1988
Автор: Якимаха
МПК: G05F 1/08, H03G 1/04, H03H 5/12 ...
Метки: сопротивлением, управляемым, элемент
...поровну, и напряжения сток - исток транзисторов 1 и 2 равны 11 М п 51Устройство обеспечивает линейную зависимость сопротивления каналов обоих ХДП-транзисторов 1 и 2 в диапазоне подводимых к выходу 3 устройства рабочих напряжений, отвечающих условию отсутствия режима насыщения,Условие работы на линейном участке стоковых характеристик выполняется для каждого из МДП-транзисторов"ю 1 с 5 1 т ф (1)где Ц 5- напряжение затвор - исток;1 - пороговое напряжение;005 - напряжение сток - исток.- (2 11 - 2 11, - Ц,) Ц,где К - удельная крутизна передаточной характеристики (коэффициент, определяемый конструкцией МДП-транзистора).Б предлагаемом устройстве к электродам затвор и исток МДП-транзистора1 прикладывается половина входногоуправляющего...
Функциональный преобразователь
Номер патента: 1354216
Опубликовано: 23.11.1987
Автор: Якимаха
МПК: G06G 7/26
Метки: функциональный
...9, подключены (7 к подвижным контактам потенциометров 6;, которые подключены к шине 10 положительного питающего напряжения. Преобразователь имеет информационный вход 11 и выход 12. 5Работа устройства основана на ап 3 = БТт,е, пороговому напряжению.При этом необходимо, чтобы сопротивление потенциометра 6; достаточномало, т.е, 10 кОм, чтобы ток 1не вызвал значительных искажений пороговых уровней аппроксимирующих ячеек 3; . Если электрофизические параметры всех МДП-транзисторов 4; и 9;достаточно близки, то напряжениезатвор-исток транзисторов 41Я 8(41 8 т(ст;1 6, 7 ( )где 08 - пороговый уровень,0- входное напряжение.Тогда при Бт(,= 0 т(7.,1, подставляя(4) в (1), получают1(,1 = 0,51 с 4 ех 06 ) (5)т,е, выходной ток основных МДП-транзисторов...
Микромощный инвертор
Номер патента: 1320896
Опубликовано: 30.06.1987
Автор: Якимаха
МПК: H03K 19/08
Метки: инвертор, микромощный
...транзистор 2, На выходе 8 устройства - высокий уровень напряжения "1", несколько меньший по величине, чем первый. Причем это состояние по этому выходу током не обеспечивается, так как через транзистор 5 протекает значительно меньший ток, чем через транзистор 2,При поступлении уровня "1" на вход 6, транзисторы 4 и 1 находятся в открытом состоянии, а транзисторы 5 и 2 - в закрытом. Тогда на допол - нительном выходе 8 устройства - низлингтона с транзисторами 1 и 2, т.е,45 50 55 5 10 15 20 25 30 кий уровень напряжения "0", обеспе-, ченный протеканием тока через транзистор 1, На первом выходе 7 устройства - низкий уровень напряжения "0", несколько больший (на величину напряжения эмиттер-база транзистора 1), чем предыдущий, Причем это...
Автоколебательный мультивибратор
Номер патента: 1319251
Опубликовано: 23.06.1987
Автор: Якимаха
МПК: H03K 3/282
Метки: автоколебательный, мультивибратор
...как состояние логического О на основном выходе 5 также потенциальное, так как ток коллектора транзистора 4 значитепьно меньше тока коллектора транзистора 1 ь Первое квази- стационарное состояние прекращается, ког. да потенциал на основном входе 6, первого инвертора становится равным порого вому значению, что приводит к запиранию транзисторов 1, 4 и 8, 7., а также лавинообразному открыванию транзисторов 4,1 и Яу, 7 ьВо втором квазистационарном состоянии на выходах З и 5 первого инвертора высокое напряжение -- логическая 1, а на выходах 3 и 5 второго инвертора низкое напряжение -- логический О. пере- заряд хронируюшего конденсатора 10 происходит по цепи: шина 12 питания, переход база - эмиттер транзистора 7, переход коллектор - эмиттер...
Низковольтный опорный элемент
Номер патента: 1315961
Опубликовано: 07.06.1987
Автор: Якимаха
МПК: G05F 1/56
Метки: низковольтный, опорный, элемент
...через транзисторы 7 и 8, то тем самым улучшается стабильность опорного напряжения. Уменьшение доли остаточного напряжения коллектор-эмиттер насыщенных транзисторон 3 и 4 в общем напряжении также способствует повышению стабильности напряжения опорного элемента.Для нормальной работы устройства должны быть обеспечены идентичные параметры биполярных транзисторов противоположного типа проводимости,При изготовлении устройства по планарной биполярной технологии необходимо обеспечить одинаковые геометри 5 чесхие размеры первого 3 и второго 4транзисторовБ К Бгде Б и Б - площадь транзисторов 3и 4;10К - коэФФициент пропорциональности зависящий отстепени легирования областей баз транзисторовЗи 4,15Геометрические размеры транзисторов 7 и 8 могут...
Управляемый резистор
Номер патента: 1312726
Опубликовано: 23.05.1987
Автор: Якимаха
МПК: H03G 3/30
Метки: резистор, управляемый
...на выходе управляемого резистора линейно зависит от величины сопротивления полевых транзисторов 1 и 2. Для доказательства этого утверждения рассмотрим напряжения затвор - исток Ч, полевых транзисторов 1 и 2 30Подставляя полученные значения Ч из выражений (2 а, б) в выражение для тока стока, ток стока 1 для полевых транзисторов аппроксимируется следующим выражением: 1 р= 0,5 2(Ч, - Чт) - Чи, Ча где 1 -- удельная крутизна полевого транзистора; Чт пороговое напряжение полевого транзистора, получим1 р= 0,5)се Ч, -- 2 Чтг - Ча, ЧРг Для одинаковых параметров МДП-транзисторов, т.е. 1=В., и Чт = Чтг, и с учетом необходимого условия функционирования схемы типа1 р = юг, (4) получим следующее соотношение между напряжениями сток - исток полевых...
Расширитель импульсов
Номер патента: 1274122
Опубликовано: 30.11.1986
Автор: Якимаха
МПК: H03K 3/284, H03K 5/04
Метки: импульсов, расширитель
...30При низком уровне входного напряжения на управляющем входе шины 12 устройства все .транзисторы 1-6 находятся в запертом состоянии, поэтому на выходной шине 11 будет высокий уровень напряжения, а на выходной шине 10 - низкий уровень напряжения, времязадающий конденсатор 7 заряжен до уровня напряжения питания, причем на левой обкладке и базе транзистора 3 будет низкий уровень напряжения,а на40 правой обкладке и базе транзистора 6 - высокий уровень напряжения.При поступлении на входную шину 12 короткого управляющего импульса все транзисторы 1-6 открываются и конден 45 сатор 7 быстро перезаряжается через участки коллектор-эмиттер транзисторов 2 и 4. На выходной шине 11 при этом будет низкий уровень напряжения, а на выходной шине 10 -...
Функциональный преобразователь
Номер патента: 1273953
Опубликовано: 30.11.1986
Автор: Якимаха
МПК: G06G 7/26
Метки: функциональный
...МДП-транзисторов 4; и сопротивление шунтирующих потен 40 циометров б, которые определяют крутизну выходного напряжения функционального преобразователя с кусочно- линейной аппроксимацией, можно обеспечить воспроизведение с заданной точностью функций с отрицательной второй производной.Поскольку пороговое напряжение Ч МДП-транзистора подвержено темпет. где Т - абсолютная темпера В - функция, зависящая ренних параметров туры, то для его ум вторые выводы потенциометр953 3ключены к источнику опорного напряжения Ч через участок сток - истокдьтермокомпенсирующего МДП-транзистора 7, включенного по схеме нелинейного сопротивления, Ток стока транзистора 7 можно записать 1 = - (Ч -Ч ) - (Ч -Ч, ) (2) К К В 2В т 2 дб т где К - удельная...
Источник опорного напряжения
Номер патента: 1259229
Опубликовано: 23.09.1986
Автор: Якимаха
МПК: G05F 1/56
...4. Операционный усилитель 8 выполняет функцию выравнивания потенциалов на вы 45 50 Изобретение относится к электротехнике и может быть использованодля электропитания прецизионной аппаратуры,Цель изобретения - повышение коэффициента стабилизации и расширениедиапазона регулировки выходного напряжения.На черетже приведена принципиальная электрическая схема источникаопорного напряжения,Устройство содержит первый 1 ивторой 2 биполярный транзисторы,первый 3, второй 4, третий 5 и четвертый 6 резисторы, первый 7, второй 8 и третий 9 операционные усилители, выходной вывод 1 О, общую шину 11,Базы первого 1 и второго 2 биполярных транзисторов подключены к общей шине питания, эмиттер транзистора 1 соединен с инвертирующим входомусилителя 8,...
Элемент с управляемым сопротивлением
Номер патента: 1246341
Опубликовано: 23.07.1986
Авторы: Роскошный, Якимаха
Метки: сопротивлением, управляемым, элемент
...устройствах.Цель изобретения - расширение динамического диапазона.На чертеже представлена электрическая принципиальная схема элемента с управляемым сопротивлением,Предлагаемый элемент содержит пер вый 1 и второй 2 полевые транзисторы первый 3, второй 4, третий 5 и четвертый 6 резисторы, аналоговый сумматор 7 напряжений и источник 6 управляющего сигнала.Элемент с управляемым сопротивлением работает следующим образом.Для тока стока полевого транзистора на крутом участке стоковых ха- рактеристик Если выбрать величины сопротивлений первого 3 и второго 4 резисторов и третьего 5 и четвертого 6 резисторов равными, т.е; К, = К К, = К то напряжение на затворе первого полевого транзистора 1 рав- но Подставляя значение равенства (2) в выражение...
Функциональный преобразователь
Номер патента: 955112
Опубликовано: 30.08.1982
Авторы: Берзин, Якимаха
МПК: G06G 7/26
Метки: функциональный
...потенциометры 5-51,вторые потенциометры 61-6 ц, первыйусилитель 7 постоянного тока, датчик 8 температуры, второй усилитель9 постоянного тока, выход 10 преобваэователя, аппроксимирующие транзисторные ячейки 11- 11,Функциональный преобразовательработает следующим образом.Функциональный преобразовательпредназначен для формирования кривойзависящей от температуры с отрицательной второй производной. При данном включении аппроксимирующих транзисторных ячеек вторая производнаявыходного напряжения по температуребудет иметь вид112. 8 ЧЭК 2Э 12 ( Э 11 ч 2,О Р 1 Р 3где К(Т) - сопротивление резистора 12 и параллельно подключенных аппроксимирующихячеек;В2 сопротивление резистора 1,При нулевом входном напряжении МДП-транзисторы 4-411 закрыты и...
Функциональный преобразователь
Номер патента: 955111
Опубликовано: 30.08.1982
Авторы: Берзин, Якимаха
МПК: G06G 7/26
Метки: функциональный
...подключен параллельно к последовательно соединенным терморезистору и первому резистору, общий вывод которых, являющийся выходом датчика, соединен с инвертирующим входом первого усилителя. Выход датчика соединен с выходом. устройства, второй .вывод .второго резистора подключен к источнику питания. Второй операционный усилитель 7 выполняет развязывающие функции и предназначен для развязки цепей: общим выводом делителя напряжения 1,2 и точки соединения нижних плечей потенциометров 6-6 и и датчи95515ка 10 температуры. Подключение датчика 10 температуры к выходу устройства вызвано плавающим режимом исто", ков .МДП-транзисторов 4 -4 п. Так как нижнее плечо датчика 10 температуры 5 находится под плавающим Потенциалом (клемма 15 питания), то...
Микромощный инвертор на дополняющих мдп-транзисторах
Номер патента: 898620
Опубликовано: 15.01.1982
Автор: Якимаха
МПК: H03K 19/40
Метки: дополняющих, инвертор, мдп-транзисторах, микромощный
....упро 2 Ощенным выражением при ЧрЪ 4 Чт( Мг - температурный потенциал)р=оехр (ЧР-Чт) /и т)где 1 - ток стока;1 о - тепловой ток стока;25Ч,- напряжение затвор-исток;Ч - пороговое напряжение в микрорежиме;и - фактор, учитывающий рекомбинационные процессы на позоверхности полупроводникаподложки (1 а(3),Основным недостатком микрорежимаМДП-транзистора является сильнаятемпературная зависимость почтиЗ 5 всех параметров, входящих в формулуно включенные р-канальный МДП-транзистор 7 в резистивном включении и и-канальный МДП-транзистор.8 микро- мощного повторителя напряжения включены между шинами 4 и 2. Между первой шиной 9 смещения и шиной 4 питания включен первый преобразователь уровня напряжения образованный последовательно включенными...
Температурный функциональный преобразователь
Номер патента: 883762
Опубликовано: 23.11.1981
Автор: Якимаха
МПК: G01R 19/32
Метки: температурный, функциональный
...на МДП-транзисторах 8, 9 и 10, 11 с разностными каналами, На схеме отмечены также шины 12 и 13 источника питания и выходная клемма 14 устрой" ства.Принцип действия температурного Функционального преобразователя З 5 основан на Зкспоненциальном характере зависимости тока от приложенных к электродам напряжений при работе МДП-транзистора в режиме со слабой инверсией в риапазоне рабочих токов 4 О стока от 10 до 10 А, Аналитические выражения для токов стока МДП- транзисторов 1 и 2 имеют вид,"3 о, еР Ро ехР где о,о - тепловые токи стоков 1О, 0,1 - напряжения сток-исток0 , О - пороговые напряжения,"с 1,)Т- соответственно зарядносителей, постояннаяБольцмана и абсолютнаятемпература;в - коэффициент, учитывающий рекомбинационныепроцессы на...
Преобразователь температуры
Номер патента: 883670
Опубликовано: 23.11.1981
Автор: Якимаха
МПК: G01K 7/14
Метки: температуры
...для идентичных параметров МДП-транзисторов 1 и 2 тепловые точки стоков 10 и 1 и пороговые напряжения Ч и Чт равны между собой, то на выходе б преобразователя температуры выходное напряжениеЧ:Ч-Ч:Е - "=Дте)стВЫХ 4 г С 1параметрЫ 130 и, следовательно, выходное напряжение преобразователя пропорционально температуре окружающей среды, и с , З 5 изменением температуры меняется и выходное напряжение ЧВьХ.Причем, источник 7 тока задает ток стока 1 МДП-транзистсра 2,источник 4 тока задает ток стока (1 + + 1) МДП-транзистора 1. Соотно О ,шение между токами 1,) и 1 г выбирается . так, что ток 1 равен от 100 до 1000 токам 1 г для того, чтобы обеспечить достаточно большое значение для выходного напряжения Ч , равное от 450,1 до 0,3 В. В...
Преобразователь заряд-число
Номер патента: 819960
Опубликовано: 07.04.1981
Авторы: Берзин, Якимаха
МПК: H03K 13/20
Метки: заряд-число
...резистивным делителем напряжения источника питания, состоящим из резисторов 14, 15.На чертеже даны примеры выполнения зарядного и разрядного блоков. Зарядный блок 3 выполнен на транзисторе 16, включенном по схеме с общей базой. База транзистора 16 заземлена через диод 17, на который подано смещение через резистор 18. Разрядный блок 5 выполнен на ключе из разнополярных транзисторов 19 и 20. Порог срабатывания 11 о зарядного блока 5 регулируется потенциометром 21. Сигнал снимается с резистора 22.Устройство работает следующим образом.При отсутствии импульсов на входе 1 конденсатоР 4 заРЯжаетсЯ током 1 о источника 10 начального смещения. В момент достижения на конденсаторе 4 уровня 1.1 о открь 1 вается транзистор 19, что приводит к...
Генератор импульсов с электронной перестройкой частоты
Номер патента: 786012
Опубликовано: 07.12.1980
Авторы: Берзин, Якимаха
МПК: H03L 1/00
Метки: генератор, импульсов, перестройкой, частоты, электронной
...входом 20 усилителя 1, связанным через конденсатор 2с общей шиной, Неинвертирующий вход усилителя соединен со стоками транзисторов 4 и 7, исток одного из них соединен с общей шиной, а другого - с клеммой 5.786012 Формула изобретения Составитель А. ТимоТехред А. Бойкас Тираж 995 евКорректор Н. Бабине Подписное Редактор Е. Го Заказ 8864/60 НИИПИ Государствен по делам изобрете 35, Москва, Ж - 35,ППП Патент, г. Уого комитета СССР ний и открытий Рауьнская наб., д. 4/5 жгород, ул. Проектная 1дили Генератор работает следующим образом.При подаче на входную, клемму 5 управляющего напряжения 11 упР отрицательной полярности на выходе усилителя также появляется отрицательное напряжение, которое запирает п-канальный транзистор 7 и поддерживает в...
Фантастронный генератор импульсов
Номер патента: 783964
Опубликовано: 30.11.1980
Авторы: Берзин, Якимаха
МПК: H03K 4/22
Метки: генератор, импульсов, фантастронный
...типа проводимости, 30 затвор которого соединен со стоком783964 НИИПИ Заказ 8568/60 Тираж 995 Подписное лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная,4 усилительного МДП-транзистора, стойподключен к выходу устройства, а исток и подложка соединены с шинойисточника питания.На чертеже приведена прннципиаль 9 ая электрическая схема предлагаемого генератора.Генератор содержит интегратор"Миллера, состоящий из последовательно включенных транзисторов 1 и 2 МДПтипа, резистора 3, времяэадающегоконденсатора 4 и резистора 5, дополнительного транзистора б, делителянапряжения на резисторах 7 и 8, транзистор 9 с нагрузочным резистором 10,второй реэистивный делитель 11-, второй дополнительный МДП-транзистор 12противоположного типа проводимости.Позициями...
Одновибратор
Номер патента: 783955
Опубликовано: 30.11.1980
Авторы: Берзин, Якимаха
МПК: H03K 3/284
Метки: одновибратор
...принципиальная электрическая схема одновибратора,Одновибратор содержит транзисторы1 и 2, включенные по схеме с общимэмиттером 1 полевые транзисторы 3 и 4включенные последовательно, истокикоторых связаны с шинами питания 5и 6, резисторы 7 и 8, включенные па783955 раллелъно транзисторам 3 и 4транзистор 9.; "Коляектор и эмиттер которого связаны с затворами транзисторов 3 и 4 и через резисторы 10 и 11 -"с шинами питания 5 и 6, а база в , с входной клеммой 12 ф, выходную шину 13 и шину запуска 14 ф, конденсатор 15,связывающий коллектор транзистора 2 с., базой транзистора 1 ф резистор 1 б,связывающий коллектор транзистора 1 с базой транзистора 2.Транзисторы 3 и 4 с противоположным типом проводимости каналов совместно с резисторами 7 и 8...
Многоканальный коммутатор аналоговых сигналов
Номер патента: 750735
Опубликовано: 23.07.1980
Авторы: Берзин, Якимаха
МПК: H03K 17/00
Метки: аналоговых, коммутатор, многоканальный, сигналов
...работает в режиме автоколебательного регистра сдвига нуля с количеством состояний - и в адном цикле. Пусть уровень лог.О пос=упает на вход элемента ИЛИ-НЕ 8, тогда на ее выходе будет уровень 1 лог.1, который открывает аналоговый ключ 7, и информация с входа 13 поступает на общий выход коммутатора 14. В это время элемент ИЛИ-НЕ 9 не может изменять свое состояние на выходе, поскольку уровень лог 1 поступаут на один из ее входов. Уровни лог.О с выходов всех элементов ИЛИ-НЕ 9 .распределителя импульсов 5;, поступают на входы элемента ИЛИНЕ 12 блока 3 распределения запуска. При этом на его выходе будет уровень лог.1, который поддерживает устойчивое состояние лаг.О на выхсде элемента ИЛИ-НЕ 11 и тем самым отключает выход генератора сдвига...
Линейный интерполятор
Номер патента: 744642
Опубликовано: 30.06.1980
Авторы: Берзин, Якимаха
МПК: G06G 7/30
Метки: интерполятор, линейный
...конденсатор 3 заряжается доразности напряжений входного и выходного сигналов. Под действием положительного управляющего напряженияна конденсаторе 3 ток генератора 2уменьшается, а генератора 1 увеличивается. Под действием отрицательного35напряжения на конденсаторе 3 ток генератора 1 уменьшается, а генератора 2 - увеличивается. Напряжение наинтегрирующем конденсаторе 4 в течение периода дискретизации То изменяется по линейному закону. Емкостьконденсатора 4 выбирается таким образом, чтобы эа время То приращение" "напряжения на нем достигло уровня управляющего напряжения на запоминаю щем конденсаторе 3. Емкость конденсатора 3 должна быть значительноменьше емкости конденсатора 4 чтобырезультате заряда конденсатора 3напряжение на...