Resistive Anomaly near a Ferromagnetic Phase Transition: A Classical Memory Effect (original) (raw)
Уфа: Уфимский университет науки и технологий, 2025.
Детально обсуждаются новейшие результаты и открытые проблемы комплексного анализа и теории функций, спектральной теории операторов, механики, теоретической физики и радиофизики, электроники и нанофизики, материаловедения и наноматериалов, геофизики и прикладной физики, математических методов в популяционной и медицинской генетике, также проблемы современной методики преподавания. Материалы сборника предназначены для студентов, аспирантов работников, интересующихся указанными проблемами. ...
Добавлено: 10 февраля 2026 г.
Tiraspolsky S.A., , Flaksman A. G. и др., Radioelectronics and Communications Systems 2011 Vol. 54 P. 219–226
Добавлено: 10 февраля 2026 г.
Sergey Tiraspolsky, Jeon B., Kim J. и др., Proceedings of the 7th IEEE conference on Consumer communications and networking (CCNC’2010) 2010 P. 834–838
Добавлено: 10 февраля 2026 г.
Tiraspolsky S., Rubtsov A., Pudeyev A. и др., Proceedings of the 2006 3rd International Symposium on Wireless Communication Systems, IEEE 2006 P. 21–24
Добавлено: 10 февраля 2026 г.
Tiraspolsky S., Malstev A., Rubtosv A. и др., Proceedings of the 2006 3rd International Symposium on Wireless Communication Systems, IEEE 2006 P. 353–357
Добавлено: 10 февраля 2026 г.
Тираспольский С.А., Червяков А. В., Труды Научной конференции по радиофизике, ННГУ, 2004 2004 С. 169–171
Диаграмообразование (ДО) в MIMO системах (multiple-input multiple-output systems), одновременно использующих несколько приемопередатчиков на обоих концах линии связи, является достаточно простым способом для повышения пропускной способности и увеличения ОСШ на приемном конце. Для этого в большинстве ранее предлагавшихся методов было необходимо знание на передатчике канальной матрицы или части ее SVD разложения, что требует значительной нагрузки на ...
Добавлено: 10 февраля 2026 г.
S.A. Tiraspolsky, Gerebryakov G. V., Журнал радиоэлектроники 2002 No. 7
Добавлено: 10 февраля 2026 г.
С.А.Тираспольский, Ермолаев В. Т., Флаксман А. Г. и др., Труды Научной конференции по радиофизике, ННГУ, 2002 2002 С. 22–28
В данной работе рассматривается принцип передачи информации и теоретически исследуется пропускная способность MIMO системы в условиях случайного канала распространения радиоволн, обсуждаются различные алгоритмы распределения мощности передатчика по параллельным ортогональным пространственным подканалам. ...
Добавлено: 10 февраля 2026 г.
S. Tiraspolsky, Sellone F., Serebryakov G., Proceedings of the International Conference on Electromagnetics in Advanced Applications (ICEAA 01) 2001 P. 691–696
Добавлено: 10 февраля 2026 г.
Тираспольский С.А., Флаксман А. Г., Ермолаев В. Т. и др., Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника 2016 № 1 С. 8–14
Рассмотрены системы связи декаметрового диапазона, работающие в условиях многолучевого ионосферного пространственного канала. С помощью имитационного моделирования на физическом уровне исследованы основные характеристики системы (вероятность битовой и блоковой ошибки, про пускная способность). Показано, что в условиях частотно-селективного канала в полосе 3 кГц линейный алгоритм эквализации обеспечивает высокую эффективность подавления межсимвольной помехи для всех скоростей передачи данных, кроме самой высокой. ...
Добавлено: 10 февраля 2026 г.
Мн.: РИВШ, 2026.
В сборнике представлены научные статьи женщин-ученых и преподавателей, участников Международного форума женщин-ученых, который был организован к 105-летию Белорусского государственного университета первичной организацией ОО «Белорус ский союз женщин» БГУ. В сборник вошли статьи представителей Беларуси, России, Китая, Кыргызстана, Азербайджана, Индии, Ирака, специалистов в области биологии, дизайна, журналистики, культурологии, медицины, менеджмента, педагогики, психологии, социологии, физики, филологии, философии, ...
Добавлено: 6 февраля 2026 г.
Теоретически изучен микроволновый отклик двумерной (2D) электронной системы, расположенной на диэлектрической ферромагнитной пленке, которая, в свою очередь, лежит на проводящем металле (затворе), при этом вся система помещена во внешнее постоянное магнитное поле. Найдено, что ферромагнитный резонанс пленки и циклотронный резонанс электронов 2D системы в магнитном поле взаимодействуют, что приводит к их расталкиванию (“антикроссингу”). Обнаружено, что в области антикроссинга происходит ...
Добавлено: 5 февраля 2026 г.
Калябин Д. В., Демидов В. В., Никитов С. А., Физика металлов и металловедение 2025 Т. 126 № 9 С. 1022–1030
Исследовано влияние толщин ферро- и антиферромагнитных слоев на магнитные свойства синтезированной структуры Pt/Co/FeMn/Pt на кремниевой подложке SiO2. Для экспериментального и теоретического исследования использовали петли магнитного гистерезиса, угловые зависимости спектров ферромагнитного резонанса и выражение для резонансного поля, полученное в ходе решения уравнения Ландау–Лифшица для динамики намагниченности. Установлены величины коэрцитивного поля, а также полей однонаправленной и одноосной анизотропии при толщинах антиферромагнитного слоя 5, ...
Добавлено: 5 февраля 2026 г.
Калябин Д. В., Сафин А. Р., Мещеряков А. А. и др., Радиотехника и электроника 2025 Т. 70 № 12 С. 1190–1199
Теоретически исследовано взаимодействие резонансных мод в обменно-связанной двухслойной структуре скошенный антиферромагнетик/ферромагнетик. Методом гамильтонова формализма получены выражения, описывающие зависимость резонансных частот колебаний намагниченности от внешнего постоянного магнитного поля. Исследовано влияние связи между ферро- и антиферромагнитным слоями на ширину щели гибридизации и на величину внешнего магнитного поля, при котором наблюдается гибридизация между резонансной модой в ферромагнетике и нижней резонансной модой в антиферромагнетике. Показано, ...
Добавлено: 5 февраля 2026 г.
Самарский университет, 2025.
Сборник включает материалы XI международной конференции и молодежной школы "Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2025)", тематика которых охватывает широкий круг областей применения информационных технологий в науке и высокотехнологичных отраслях промышленности.В рамках конференции проходила молодежная школа, где молодые ученые и студенты получили возможность ознакомиться с новейшими научными достижениями по тематике конференции, повысить профессиональный уровень и опубликовать свои ...
Добавлено: 2 февраля 2026 г.
IEEE, 2024.
Добавлено: 30 января 2026 г.
A.A. Fuks, Aksenov O. I., Matveev D. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2025 Vol. 614 Article 172712
Добавлено: 29 января 2026 г.
Do T. T., Xing J., Liu S. и др., APL Materials 2025 Vol. 13 No. 9 P. 1–9
Добавлено: 26 января 2026 г.
Shornikova E., Yakovlev D., Tolmachev D. и др., ACS Applied Nano Materials 2025 Vol. 8 No. 2 P. 974–984
Добавлено: 26 января 2026 г.
S. A. Fefelov, Kazakova L. P., N. A. Bogoslovskiy и др., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 No. 114 Article 012087
Добавлено: 8 ноября 2022 г.
Фефелов С. А., Казакова Л. П., Богословский Н. А. и др., Известия Санкт-Петербургской лесотехнической академии 2022 Т. 238 С. 228–242
В последнее время большое внимание направлено на разработку новых типов энергонезависимой памяти. Одним из наиболее перспективных материалов для решения этой задачи являются халькогенидные полупроводники (ХСП) состава Ge2Sb2Te5 (GST225), обладающие фазовой памятью, которая основана на фазовом переходе вещества из аморфного состояния в кристаллическое (эффект памяти) под воздействием электрического поля [Ovshinsky, 1968; Yamada et al., 1991]. В ...
Добавлено: 8 ноября 2022 г.
Tsendin K., Bogoslovskiy N., , in: The World Scientific Reference of Amorphous Materials: Structure, Properties, Modeling and Main Applications (In 3 Volumes)Vol. 1: Structure, Properties, Modeling and Applications of Amorphous Chalcogenides.: World Scientific, 2021. P. 107–123.
Добавлено: 11 ноября 2020 г.
Фефелов С. А., Казакова Л. П., Богословский Н. А. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 4 С. 372–375
Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на тонких пленках Ge2Sb2Te5 в токовой моде. Установлен эффект многоуровневой записи при последовательной подаче на образец импульсов тока с возрастающим максимальным значением. Показано, что этот эффект может быть связан с расширением канала памяти. Получена оценка размера канала памяти. Сделан вывод о возможности использования пленок Ge2Sb2Te5 в качестве мемристора. Ключевые слова: ...
Добавлено: 11 ноября 2020 г.
Nagy B., Khaydukov Y. N., Kiss L. F. и др., Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 2013 Vol. 26 P. 1957–1961
Добавлено: 28 сентября 2015 г.