Development of Ge on Si avalanche photodiodes for low signal and high speed detection (original) (raw)

2014

Abstract

Afin d’adresser la problématique liée aux limitations des interconnections métalliques en termes de débits notamment, la photonique Si s’est imposée comme une technologie de choix. Un des composants de base des circuits photonique Si est le photodétecteur : Il permet de convertir un signal optique en signal électrique. Les photodétecteurs à base de Ge sur Si ont montré leur potentiel et offrent la meilleure alternative aux photodétecteurs III-V, pour une intégration dans les circuits photoniques Si.Dans ce contexte, les photodiodes à base de Ge su Si ont été étudiées. L’optimisation des photodiodes p-i-n a permis l’obtention de résultats à l’état de l’art. Une nouvelle approche utilisant une double hétéro-jonction latérale Si/Ge/Si a été proposée afin d’augmenter la responsivité mais aussi afin de proposer une meilleure solution d’intégration, avec les modulateurs Si notamment. Pour augmenter encore la sensibilité des récepteurs, l’utilisation de photodiodes à avalanche est cependan...

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