Перенос заряда в твердых растворах Bi 0.9 Sb 0.1 , легированных Mn (original) (raw)
Related papers
Фізика і хімія твердого тіла, 2018
The features of electrokinetic, energy state and magnetic characteristics of ZrNi1-xRhxSn semiconductive solid solution were investigated in the ranges: T = 80-400 K, x = 0-0.10. It was shown that substitution of Ni atoms (3d84s2) by Rh atoms (4d85s1) in the structure of ZrNiSn compound generated the structural defects with acceptor nature, and holes became the main charge carriers in the ZrNi1-xRhxSn at low temperature. Based on analysis of the motion rate of the Fermi level ΔεF/Δх in ZrNi1-xRhxSn to the valence band and change of sign of thermopower coefficient from positive to negative it was suggested that the structural defects of acceptor and donor natures were generated simultaneously (donor-acceptor pairs), and deep donor band ɛD2 was formed.
Электропроводность наножидкостей с металлическими частицами
Журнал технической физики, 2019
The electric conductivity is experimentally studied in nanofluids based on water and ethylene glycol containing copper and aluminum particles. Other properties, such as heat conductivity and rheological characteristics, were evaluated as well. The electric conductivity of nanofluids is shown to increase almost linearly with a nanoparticle concentration, but, unlike the heat conductivity, a gain in electric conductivity is due to a decrease in particle size. In this respect, the mechanisms of electric conductivity and heat conductivity are assumed to have the fundamentally different nature.
Изучение влияния условий хранения частиц MnO(OH) на их сорбционные свойства
Сорбционные и хроматографические процессы, 2018
Изучено влияние длительности хранения частиц MnO(OH) в различных условиях (атмосфера воздуха, аргона и во влажном состоянии) на эффективность извлечения и сорбционную емкость по отношению к стронцию, европию и кобальту. Установлено, что независимо от условий хранения частиц по данным ИК спектроскопии и химического анализа изменений химического состава порошков не наблюдается. Показано, что снижение сорбционной емкости частиц MnO(OH) по отношению к кобальту происходит в течение первых 6 месяцев хранения в 5 раз. После 12 месяцев хранения сорбционная емкость по отношению к кобальту, стронцию и европию составляют порядка 25, 30 и 50 мг·г-1, соответственно.
Перенос завихренности в упруговязкой жидкости при наличии взвешенных частиц в пористых средах
Теоретическая и математическая физика, 2010
Рассмотрен перенос завихренности в упруговязкой жидкости Олдройда при наличии взвешенных магнитных частиц в пористых средах. Из уравнений для потока магнитной жидкости получены уравнения, управляющие таким переносом завихренности. Из этих уравнений следует, что перенос завихренности твердого тела связан с переносом завихренности жидкости в пористой среде. Обнаружено, что благодаря термокинетическому процессу завихренность жидкости может существовать при отсутствии завихренности твердого тела в пористой среде; но если завихренность жидкости равна нулю, то завихренность твердого тела непременно равна нулю. Изучен двумерный случай. Ключевые слова: упруговязкая жидкость Олдройда, взвешенная магнитная частица, завихренность, пористая среда.
Уравнения движения одиночного заряда в вакууме
2020
Рассматривается движение одиночного электрического заряда в вакууме при отсутствии каких-либо электромагнитных полей. Решается система уравнений Максвелла для этого случая и показывается, что электрический заряд, обладающий кинетической энергией, движется в вакууме по спиральной траектории с замедлением, вызванным затратой энергии на перемагничивание окружающего пространства.
Журнал технической физики, 2018
Based on the notions that PbSnTe:In is a direct-gap semiconductor, the radiative-recombination lifetime is calculated, and the photocurrent relaxation and dependences of the instantaneous electron and hole lifetime are calculated under the assumption that PbSnTe:In is a disordered structure containing capture centers. These calculations explain such experimentally observed peculiarities of PbSnTe:In as a high photosensitivity in a wide wavelength range, pinning of the Fermi level, and long-term photocurrent relaxation. Calculations are also compared with experimental data and the possible parameters of photodetectors are evaluated.
Отримання й електричні властивості твердих розчинів Tl1-xIn1-xSnxS2 (х=0 – 0,5)
Східноєвропейський національний університет ім. Лесі Українки, 2015
Розроблено технологічні умови вирощування монокристалів твердих розчинів Tl 1-x In 1-x Sn x S 2 (х=0-0,5). Рентгенівським методом порошку розшифрована кристалічна структура сплавів і запропоновано механізм утворення твердого розчину. Досліджено температурну залежність питомої темнової електропровідності, визначено енергії активації провідності. Ключові слова: енергія активації, стрибкова провідність, локалізованих стани. Постановка наукової проблеми та її значення. Для кристалів Tl 1-x In 1-x Sn x S 2 (x=0-0,5) характерна наявність таких власних структурних дефектів, як вакансії і дислокації [7; 12; 13]. Згідно з даними рентгеноструктурного аналізу (табл. 2) основну частину дефектів у твердих розчинах системи Tl 1-x In 1-x Sn x S 2 (x = 0-0,5) складають вакансії талію (V Tl), концентрація яких збільшується зі збільшенням значення параметра х. За великої концентрації структурних дефектів енергетичні рівні в забороненій зоні утворюють зону локалізованих дефектних станів, які закріплюють рівень Фермі в положенні між заповненими й незаповненими станами [5; 6]. Висока густина станів локалізованих поблизу рівня Фермі відповідальна за більшість електричних процесів, які відбуваються в напівпровідниках [1]. Флуктуація концентрації великої кількості заряджених дефектів призводить до порушення далекого порядку й появи випадкового електричного поля, це зумовлює виникнення зон локалізованих і делокалізованих станів у забороненій зоні сполуки. Крім того, у твердих розчинах порушується трансляційна інваріантність кристалічної решітки і, як наслідок, додатково виникають локалізовані стани з енергіями, які потрапляють в інтервал значень, заборонених в ідеальному кристалі. Пастки, породжені різними дефектами в кристалах, відіграють основну роль у явищах переносу заряду [8]. Формування мети та завдання статті: Мета статтіотримати й дослідити кристалічну структуру однофазних твердих розчинів Tl 1-x In 1-x Sn x S 2 (х=0-0,5); експериментально дослідити температурну залежність питомої темнової електропровідності монокристалів Tl 1-x In 1-x Sn x S 2 (x=0-0,5). Завдання статтіза експериментальними результатами визначити енергію активації провідності. Методика й техніка експерименту Для синтезу сполук і сплавів досліджуваних систем використовували речовини високого ступеня чистоти: Tl-99,99 мас.%; In-99,97 мас.%, Sn-99,96 мас.%; S-99,99 мас.%; Se-99,99 мас.%. Проводили додаткове очищення поверхні Tl від оксидної плівки механічним способом. Зважування вхідних речовин здійснювали на аналітичних терезах ВЛР-200 з точністю ±0,00005 г. Загальна маса наважки становила близько 1,5 г. Підготовлені компоненти завантажували в кварцові контейнери, попередньо вимиті й висушені. Завантажені ампули вакуумувалися до тиску 1,33⋅10-2 Па і герметизувалися на кисневогазовому пальнику. Синтез проводили в промислових печах типу СШОЛ-0.1,6/12-МЗ-У4-2 (ТУ 16.531.437-80) із системою регулювання і підтримки температури. Зразки системи TlInS 2-SnS 2 спочатку нагрівали до температури 670 К зі швидкістю 30 K/год, витримували 24 год. (для зв'язування сірки), а потім нагрівали до 1220 K. Після витримки розплави охолоджували зі швидкістю 10-20 К/год до температури гомогенізуючого відпалу (520 або 670 К), який становив 250-500 год. Ампули з відпаленими сплавами гартували в холодній воді. На основі аналізу діаграм стану досліджуваних систем визначали методи та хіміко-технологічні умови одержання кристалів. Ріст монокристалів твердих розчинів здійснювали методом спрямованої кристалізації Бріджмена-Стокбаргера [9].