Кремній легований германієм (sige), як матеріал для виготовлення силових напівпровідникових приладів, стійких до дії вторинного космічного випромінювання (original) (raw)
Related papers
Проблема непредсказуемого выхода из строя силовых полупроводниковых приборов может быть решена при использовании технологий, обеспечивающих повышение их радиационной стойкости.. Использование монокристаллов кремния, легированных германием, замедляет деградацию характеристик приборов при воздействии ионизирующих излучений, что является альтернативой дефицитным и дорогостоящим GaAs, GaN, SiC, применяемым для этих целей. Воздействие вторичного космического излучения может быть ответственным за деградацию электрофизических параметров монокристаллов кремния при их длительном хранении, а также за снижение эффективности работы полупроводниковых преобразователей солнечной энергии. Ключевые слова: кремний, легированный германием; силовой полупроводниковый прибор; пробой p-n-перехода; вторичное космическое излучение
Modern Problems of Metalurgy
Возможность использования nSiGe (Si) для повышения радиационной стойкости многослойных npn, npnp структур может быть подтверждена только изготовлением тестовых приборов на Si с различной концентрацией легирующего Ge с проведением их испытаний. Целью настоящей работы является сравнительная оценка деградации h21E тестовых npn структур ИС, изготовленных на nSiGe с различной концентрацией Ge и шириной базы, к действию α-излучения для подтверждения технологической применимости изовалентно легированного Ge кремния для формирования работоспособных в полях ионизирующих излучений приборных структур. Исследована радиационная чувствительностьnpn структур, изготовленных накремнии, легированном германием (nSiGe). Показано, что скоростьдеградации усилительных свойств тестового планарного транзистора нелинейно зависит как от концентрации изовалентной примеси, так и от дозы α-облучения, причём характер зависимости определяется шириной базы прибора. Полученные зависимости подтверждают возможность ис...
РАДІАЦІЙНА СТІЙКІСТЬ КРЕМНІЄВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ
2017
In the field of power systems development for spacecrafts of low orbits 700-800 km the use of silicon solar cells is still feasible nowadays. They differ particularly economical compared to solar cells A3B5 based on multilayer structures. In this work represented experimental research of a solar cell structure for space applications with n + - p - p + conducted under the influence of a stream of accelerated electrons and compared with results from previous laboratory experiments.
2022
Rymma Harabadot was born on June 8, 1927 in the Rumeiku village of Velyka Karakuba. The family suffered from the first wave of repressions and was settled first in Tbilisi, where Rymma graduated from high school and then in Lviv, where she continued her studies. She graduated from Lviv Ivan Franko University, with a degree in classical philology, in 1955. She devoted most of her activity to the library sciences, worked for many years at the Vasyl Stefanyk Lviv Scientific Library. She was an author-compiler of descriptions of Greek and Latin old prints, a number of articles on the history of the Greeks in Lviv. She participated in dialectological expeditions to the Rumeiku villages of Azov Sea region, where she collected significant materials of Rumeiku folk narratives. The main purpose of her life was in the compilation of the dictionaries of Rumeku language. She prepared and published a dictionary of the Karakuba dialect of Ru- meiku language. She participated in a joint project for the preparation of Rumeiku- Russian and Russian-Rumeiku dictionary. In every way she contributed to the spread of Greek culture in Ukraine, the preservation of Rumeiku national identity. She died on November 20, 2017 in Lviv.
Отрицательный отжиг в кремнии при высоковольтной имплантации натрия
Журнал технической физики
Имплантация натрия (300 кэВ) проводилась в высокоомный p-Si. Отжиг дефектов при Tann = 350−450 • C и связанная с ним активация атомов, проходящая на " хвосте" их распределения, описывается реакцией первого порядка. При Tann = 450−525 • C независимо от дозы наблюдается отрицательный отжиг, сопровождаемый значительным ростом поверхностного сопротивления ρs. По оценкам энергия активации этого процесса составляет ∼ 2 эВ. По мнению авторов, отжиг связан с преципитацией донорных атомов натрия, проходящей на глубине, в 2−3 раза большей пробега R p. Отжиг дефектов при Tann = 525−700 • C, приводящий к дальнейшему уменьшению ρs , имеет энергию активации ∼ 2.1 эВ. Проверялась гипотеза образования " хвоста" в измеренных вторичной ионной масс-спектрометрией (secondary ion mass spectroscopy, SIMS) профилях атомов натрия, состоящая в диффузии их со стенок кратера к его центру. Показано, что данный процесс не реализуется, поскольку измеренные при комнатной температуре и при −140 • C профили атомов натрия не различаются.
Формирование светоизлучающих в ИК-диапазоне нанокристаллов германия в плeнках Ge:SiO-=SUB=-2-=/SUB
Журнал технической физики, 2018
The study is concerned with light-emitting Ge nanocrystals formed during the annealing of Ge_ x [SiO_2]_1 –_ x films produced by the high-vacuum cosputtering of germanium and quartz targets onto substrates at a temperature of 100°C. In accordance with the conditions of growth, the Ge molar fraction was varied from 10 to 40%. By means of electron microscopy and Raman spectroscopy, amorphous Ge nanoclusters ~4–5 nm in dimensions are detected in as-deposited films with a Ge content higher than 20 mol %. To crystallize amorphous nanoclusters, annealing at temperatures of up to 650°C is used. The kinetics of the crystallization of Ge nanoclusters is studied, and it is established that up to ~1/3 of the amorphous phase is retained in the system, supposedly at the interfaces between nanocrystals and the surrounding amorphous SiO_2 matrix. It is found that, upon annealing in normal atmosphere, germanium nanoclusters are partially or completely oxidized (at a Ge molar fraction of 30% and sma...
Промышленные методы получения и особенности свойств кремния для фотовольтаики
Известия вузов. Прикладная химия и биотехнология, 2014
Проведен анализ существующих технологических схем получения кремния для фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Приведены результаты эксперимента по повышению КПД элементов на кремнии, полученном по традиционному Siemens-процессу. Разработан и предложен метод управления конвективными потоками в расплаве при воздействии на его поверхность специально направленными струями аргона. Проведены эксперименты по легированию кремния. В результате исследований было установлено, что повышение эффективности ФЭП возможно за счет преимущественного использования монокристаллов кремния с комплексом новых свойств.