Modélisation couplée thermique électrique d’un cogénérateur (original) (raw)

Modélisation des transferts thermiques couplés à l'aide de la méthode de Boltzmann sur réseau

2014

Dans cette communication, nous présentons un schéma numérique hybride pour simuler l'interaction entre la convection naturelle et le rayonnement surfacique dans une cavité rectangulaire différentiellement chauffée. Les parois verticales de la cavité sont adiabatiques, tandis que ses parois horizontales supérieure et inférieure sont respectivement froide et chaude. Les vitesses sont déterminées par la méthode de Boltzmann sur réseau et l'équation de l'énergie est discrétisée à l'aide de la méthode des volumes finis. Les systèmes algébriques obtenus sont résolus par la méthode des gradients conjugués. Seul le rayonnement surfacique est pris en compte et les surfaces radiatives sont supposées grises et isotropes en émission/réflexion.

Modelisation D’Un Echangeur a Thermosiphons Pour La Recuperation De Chaleur

2017

Le présent travail a pour objectif de modéliser un échangeur à thermosiphons diphasiques pour transporter la chaleur d’un effluent gazeux (c.à.d. gaz de combustion) à haute température (720°C) au système ORC (cycle organique de Rankine). Les thermosiphons sont placés dans les gaz de combustion et refroidis par le fluide de travail du système ORC (le Cyclopentane pour le cas actuel). Le débit massique des fumées et la puissance thermique de l’échangeur sont respectivement imposés de 21 kg/s et de 4.022 MWth. Le fluide organique s’évapore à une température de 200°C et quitte l’évaporateur sans surchauffe (vapeur saturée). Le modèle de simulation développé dans le logiciel EES (Engineering Equation Solver) est capable de déterminer le nombre nécessaiare de thermosiphons. L’influence des pas transversaux et longitudinaux de l’échangeur sur le nombre de thermosiphons et la perte de charge des fumées est également examinée pour les dispositions quinconces et alignées des tubes de thermosi...

Modélisation thermo-mécanique de matériaux encapsulants en électronique de puissance

2016

Cette etude s’interesse a la modelisation multiphysique et a la simulation en regimes transitoire et permanent des gels encapsulants des modules d’electronique de puissance. Avec l’emergence de semi-conducteurs grand gap tels que le SiC ou le GaN, fonctionnant a temperature plus elevee que les composants Silicium classique, cet element passif du packaging apparait comme un organe peu etudie sensible aux effets thermiques et mecaniques. Les travaux presentes ici proposent une modelisation thermo-mecanique du materiau, basee sur l’analogie des differents domaines de la physique avec le domaine electrique. A partir de cette analogie, une representation d’etat multi-physique est etablie, permettant une simulation en regime transitoire du comportement thermo-mecanique du materiau. Cette methode de simulation du comportement du gel est adaptee pour une etude preliminaire au cours des phases amont de conception des modules d’electronique de puissance afin d’etablir rapidement les temperatu...

Modélisation du couplage changement de phase-mécanique par la méthode des champs de phases et les techniques d’homogénéisation

Nous présentons un modèle couplé mécanique/champs de phases/diffusion pour les alliages binaires, développé dans le cadre général de la thermodynamique des milieux continus. Ce modèle est basé sur la théorie d'équilibre des microforces, proposée par Gurtin [1]. Pour étudier les effets des contraintes mécaniques sur l'évolution morphologique des microstructures hétérogènes et la cinétique de transformation, des techniques d'homogénéisation, à savoir le modèle de Voigt/Taylor et le modèle de Reuss/Sachs, sont présentées dans la formulation.

Conception et modélisation thermique d’un microrégénérateur

2016

International audienceRésumé - Cet article présente la conception et la modélisation thermique d’un microrégénérateur en vue de l’intégrer dans une micromachine Stirling à membrane hybride. Le microrégénérateur conçu est formé par des microplots gravés en silicium logés entre deux wafers de verre. Les microplots sont disposés en quinconce le long du microcanal. La modélisation des échanges thermiques entre fluide et parois chauffées pour différents gaz sous un régime laminaire pour un fluide visqueux incompressible a montré que la diffusion thermique est le mode de transfert prépondérant

Modélisation Comportementale d'un Amplificateur Opérationnel en Hautes Températures

L’augmentation de la température a un impact sur le comportement d’un circuit intégré. Les circuits d’instrumentation et de mesure sont sensibles à cet effet. La modélisation de la température dans ces systèmes peut être effectuée par plusieurs approches. Dans ce papier, nous présentons une approche de modélisation comportementale pour un circuit élémentaire des systèmes d’instrumentation : l’amplificateur opérationnel (AOP). Un modèle d’un AOP en langage VHDL-AMS est développé à l’aide d’une campagne de mesures de certains paramètres de performances.