Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs (original) (raw)
Related papers
Журнал технической физики, 2019
The effect of thermal annealing on the photovoltaic properties of a GaP/Si heterostructures obtained by plasma-enhanced atomic layer deposition under different conditions is examined. It is shown that in the structures containing amorphous GaP, annealing at 550°C leads to a sharp decrease in the quantum efficiency and open-circuit voltage, while in the structures with microcrystalline GaP on an epitaxial sublayer, the photovoltaic characteristics are improved. Annealing at a temperature of 750°C improves the photovoltaic characteristics in all the structures due to the diffusion of phosphorus atoms from GaP to Si and leads to the formation of a layer with n -type conductivity in the substrate. As the annealing temperature is increased to 900°C, the carrier lifetime in the silicon substrate decreases. It is shown that the atomic-layer-deposition technique is promising for the formation of a GaP nucleation layer on the surface of silicon before subsequent epitaxial growth.
Журнал технической физики, 2018
Исследованы особенности роста In 0.8 Ga 0.2 As-квантовых точек на поверхности GaAs и их массивов методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и гидридов. С помощью исследования спектров фотолюминесценции при различных температурах было установлено бимодальное распределение In 0.8 Ga 0.2 As-квантовых точек по размерам. Были найдены параметры роста, при которых складирование 20 слоев In 0.8 Ga 0.2 As-квантовых точек в активную область GaAs-фотопреобразователя позволяет увеличить его фотогенерированный ток на 0.97 и 0.77 мА/см 2 для космического и наземного солнечных спектров соответственно, при сохранении высокого качества p−n-перехода. С учетом потерь на безызлучательную рекомбинацию, возникающих вследствие механических напряжений от массива квантовых точек, прирост фотогенерированного тока в фотопреобразователе с квантовыми точками составил ∼ 1% относительно референсной структуры GaAs-фотопреобразователя.
Отрицательный отжиг в кремнии при высоковольтной имплантации натрия
Журнал технической физики
Имплантация натрия (300 кэВ) проводилась в высокоомный p-Si. Отжиг дефектов при Tann = 350−450 • C и связанная с ним активация атомов, проходящая на " хвосте" их распределения, описывается реакцией первого порядка. При Tann = 450−525 • C независимо от дозы наблюдается отрицательный отжиг, сопровождаемый значительным ростом поверхностного сопротивления ρs. По оценкам энергия активации этого процесса составляет ∼ 2 эВ. По мнению авторов, отжиг связан с преципитацией донорных атомов натрия, проходящей на глубине, в 2−3 раза большей пробега R p. Отжиг дефектов при Tann = 525−700 • C, приводящий к дальнейшему уменьшению ρs , имеет энергию активации ∼ 2.1 эВ. Проверялась гипотеза образования " хвоста" в измеренных вторичной ионной масс-спектрометрией (secondary ion mass spectroscopy, SIMS) профилях атомов натрия, состоящая в диффузии их со стенок кратера к его центру. Показано, что данный процесс не реализуется, поскольку измеренные при комнатной температуре и при −140 • C профили атомов натрия не различаются.
Журнал технической физики, 2019
Solar cells (SCs) based on cadmium-telluride base layers, obtained by thermal evaporation and closed-space sublimation (CSS), are investigated. The base layers are activated via annealing in Freon. Structural and morphological studies are carried out to compare the recrystallization processes occurring during annealing in CdTе layers fabricated by different methods. The output parameters and light diode characteristics of the SCs are investigated, and the possibility of applying Freon annealing in the commercial production technology of thin-film CdS/CdTе SCs with base layers formed by thermal vacuum evaporation is analyzed.
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014
Ge thin films condensation in vacuum onto semiinsulating GaAs(100) substrates was investigated. The methods of atomic-force microscopy, optical spectroscopy, measurement of intrinsic mechanical stresses in film, and electronic properties were used for this investigation. It was found that it is possible to obtain thin nanoheterogeneous monocrystalline dislocation-free films with low intrinsic mechanical stresses and twodimension percolation-type conductivity, as well as high temperature sensitivity that can be used for IR and electronics technologies.
2006
Предложена простейшая модель горения газа в пористой горелке цилиндрической формы с низкой теплопроводностью каркаса. На основе модели проведено численное исследование возможных стационарных режимов горения газа. Обнаружены критические условия, разделяющие разные режимы горения, интересные с практической точки зрения: режим горения с максимумом тепловыделения в объеме горелки и режим горения с максимумом температуры на ее внешней границе. Переход от одного режима к другому возможно осуществить при смене как физических, так и геометрических параметров, что показано при подробном параметрическом исследовании
Журнал технической физики
Проведено теоретическое исследование влияния параметров геометрии транзистора с каналом в форме плавника (FinFET) на интенсивность деградации, вызываемой горячими носителями (ДВГН). Для этого использована модель, в рамках которой рассматриваются три подзадачи, составляющие физическую картину ДВГН: транспорт носителей заряда в полупроводниковых структурах, описание микроскопических механизмов формирования дефектов и моделирование характеристик деградировавших приборов. В процессе анализа варьируются длина затвора, а также ширина и высота канала. Показано, что при фиксированных условиях стрессового воздействия интенсивность ДВГН повышается в транзисторах с более коротким или более широким каналом, а высота канала не оказывает существенного влияния на протекание ДВГН. Данная информация может оказаться полезной для оптимизации архитектуры транзисторов обсуждаемой топологии с целью подавления деградационных эффектов.