Структура и фотоэлектрические свойства пленок CdTe, полученных методом электрохимического осаждения (original) (raw)
Related papers
Оптические и электрические свойства пленок ZnSe, полученных методом гидрохимического осаждения
Неорганические материалы, 2015
Методом гидрохимического осаждения получены пленки селенида цинка при взаимодействии ок сида цинка с селеном в присутствии гидразина и сульфита натрия в щелочной среде. При всех ис пользованных условиях осаждения формируется сфалеритная модификация ZnSe, для которой зна чения ширины запрещенной зоны находятся в пределах 2.6-2.7 эВ. С ростом концентрации суль фита натрия в растворе средний размер частиц увеличивается до 0.75 мкм (при соотношении Zn 2+ : = 1 : 10).
Структурні, оптичні та електрофізичні властивості плівок CdSe та ZnSe і гетеропереходів на їх основі
2014
ВІДГУК офіційного опонента на дисертаційну роботу Іващенка Максима Миколайовича «Структурні, оптичні та електрофізичні властивості плівок CdSe та ZnSe і гетеропереходів на їх основі», яка подана на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.01-фізика приладів, елементів і систем Актуальність теми дисертації Напівпровідникові прилади, які створено на основі плівкових елементів, визначають прогрес у багатьох напрямках науки і техніки. Серед можливих матеріалів для виготовлення напівпровідникових плівок завдяки своїм унікальним фізичним властивостям виділяються сполуки А2В6. Фізичні властивості бінарних сполук та їх твердих розчинів мають широкий діапазон змін. На їх основі можливе виготовлення мікроелектронних приладів з унікальними можливостями. Їх можливо використовувати у різних пристроях оптики, акустики, електроніки, оптоелектроніки, ядерної фізики та ін. Наприклад, використання широкозонних сполук, в тому числі ZnSe, дозволяє створювати інжекційні світлодіоди, які випромінюють у різних областях спектру. Виробники сонячних елементів (СЕ) надають перевагу плівкам ZnSe, як альтернативі до CdS у шарах оптичних вікон. Незважаючи на менший ККД таких СЕ, вікна з ZnSe не містять у своєму складі «важкого» металу кадмію («Cd-free»). При створенні низькорозмірних структур (квантових точок, квантових ям, надґраток) шари з ZnSe, як бар'єрний матеріал, мають переваги завдяки великій ширині ЗЗ. У свою чергу CdSe має оптимальну ширину ЗЗ для використання як перший елемент тандемних СЕ, фотоелектрохімічних комірок, світлодіодів синьо-зеленої ділянки спектру. А завдяки високій фоточутливості його можна використовувати, як матеріал фотопровідних пристроїв, детекторів рентгенівського та гамма-випромінювання, сцинтиляційних детекторів. Але на даний час структурні, субструктурні, оптичні та електрофізичні властивості тонких плівок CdSe та ZnSe вичені недостатньо. Ще в меншій мірі вивчені властивості гетероперходів (ГП) p-ZnTe/n-CdSe, n-ZnSe/n-CdSe. На даний момент не в повній мірі з'ясовані механізми проходження струму через такі ГП. Також не в повній мірі вивчені і структурні особливості таких ГП. Серед методів отримання плівок CdSe та ZnSe та елементів на їх основі метод конденсації у квазізамкнутому об'ємі (КЗО) вирізняється не лише порівняно простою технологією, але і можливостями контролю параметрів плівок шляхом зміни brought to you by CORE View metadata, citation and similar papers at core.ac.uk
Журнал технической физики, 2019
Solar cells (SCs) based on cadmium-telluride base layers, obtained by thermal evaporation and closed-space sublimation (CSS), are investigated. The base layers are activated via annealing in Freon. Structural and morphological studies are carried out to compare the recrystallization processes occurring during annealing in CdTе layers fabricated by different methods. The output parameters and light diode characteristics of the SCs are investigated, and the possibility of applying Freon annealing in the commercial production technology of thin-film CdS/CdTе SCs with base layers formed by thermal vacuum evaporation is analyzed.
Chemical bath deposition and characterization of CdSe thin films for optoelectronic applications
Journal of Materials Science, 2010
Розглянуто основні методи синтезу тонких плівок кадмій сульфіду (CdS) та кадмій селеніду (CdSe). Проаналізовано умови синтезу та властивості тонких плівок CdS та CdSe і фоточутливих гетероструктур на їх основі. Вивчено перспективи практичного використання хімічних методів. Основну увагу приділено аналізу і порівнянню морфологічних та оптичних властивостей плівок кадмій сульфіду та кадмій селеніду, отриманих фізичними, хімічними та комбінованими методами. Здійснено аргументований вибір оптимального методу хімічного поверхневого осадження для одержання тонких плівок CdS та CdSe, які можна використати як буферні шари у сонячних елементах. Ключові слова: кадмій сульфід, кадмій селенід, тонкі плівки, хімічне поверхневе осадження.
ZnO – это кристаллический ма-териал [1 – 2], являющийся прямозонным по-лупроводником n-типа, входящий в группу соединений А 2 В 6. Его ширина запрещенной зоны при 300 К составляет ~3,3 эВ [2, 3, 4]. Данный материал обладает уникальными электрофизическими свойствами, и, в связи с этим, имеет большой потенциал примене-ния при создании оптико-электронных уст-ройств – солнечных батарей и жидкокристал-лических дисплеев, фотодиодов и других электронных устройств, в связи с высокой проводимостью и прозрачностью в видимой области спектра [2]. Цвет ZnO в зависимости от отклонения от стехиометрии и наличия различных примесей меняется от белого до желто-зеленого. Плотность оксида цинка сос-тавляет (5,6 ± 0,1) кг/см 3 [5]. Одним из перспективных материалов по-крытий является нитрид алюминия, так как обладает диэлектрическими свойствами с низким значением тангенса угла диэлектри-ческих потерь, коэффициентом теплового рас-ширения, соответствующим кремнию [6], что делает возможным его применение д...
Физика и техника полупроводников, 2021
Polycrystalline films of CdxPb1−x S (0.021 ≤ x ≤ 0.090) supersaturated substitutional solid solutions with a cubic structure B1 (Fm3¯m space group) have been obtained with varying cadmium acetate salt Cd(CH3COO)2 in the reaction mixture within 0.01−0.1 mol/l on the sitall substrates. Their thickness changed from ∼ 0.4 to ∼ 1.0 microns. A correlation has been established between the structural-morphological and functional properties of CdxPb1−x S thin-film layers. The extreme character of the voltage sensitivity dependence on the cadmium salt concentration in the reaction bath is associated with the nonmonotonic introduction of cadmium into the PbS crystal lattice. It is shown that the maximum photocurrent is possessed by CdxPb1−x S thin-film layers formed from crystallites with pronounced faceting. We have found the surface sensitivity of the CdxPb1−xS films to the presence of ∼ 0.02 mg/m3 NO2 in the air, which is significantly lower than the maximum allowable concentration.
Журнал технической физики, 2019
The effect of thermal annealing on the photovoltaic properties of a GaP/Si heterostructures obtained by plasma-enhanced atomic layer deposition under different conditions is examined. It is shown that in the structures containing amorphous GaP, annealing at 550°C leads to a sharp decrease in the quantum efficiency and open-circuit voltage, while in the structures with microcrystalline GaP on an epitaxial sublayer, the photovoltaic characteristics are improved. Annealing at a temperature of 750°C improves the photovoltaic characteristics in all the structures due to the diffusion of phosphorus atoms from GaP to Si and leads to the formation of a layer with n -type conductivity in the substrate. As the annealing temperature is increased to 900°C, the carrier lifetime in the silicon substrate decreases. It is shown that the atomic-layer-deposition technique is promising for the formation of a GaP nucleation layer on the surface of silicon before subsequent epitaxial growth.
темнових та світлових ВАХ, а також спектральних розподілів квантової ефективності плівкових сонячних елементів (СЕ) на основі ідеальних гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe і n-CdS/p-CdTe. Показано, що заміна традиційного матеріалу віконного шару фотоперетворювачів CdS на більш широкозонний матеріал ZnS приводить до зростання ККД. Встановлені конструктивні параметри СЕ на основі багатошарової системи n-ZnS/p-CdTe, які забезпечують їх максимальну ефективність. Вироблені рекомендації щодо оптимізації технології створення реальних дешевих та високоефективних плівкових перетворювачів сонячної енергії. Ключові слова: плівкові сонячні елементи, телурид кадмію, гетероперехід, моделювання, вольт-амперні характеристики, квантова ефективність, ККД.
Структура, электро- и магниторезистивные свойства тонких пленок медно-никелевых сплавов
2007
Углубленное изучение физических свойств тонких металлических пленок стимулировано как возможностью получения важной информации, необходимой для решения отдельных фундаментальных проблем физики твердого тела и физики поверхности, так и широкими перспективами практического использования нанокристаллических пленочных систем. Значительный прогресс в микро- и оптоэлектронике, спинтронике, оптике, технике сверхвысоких частот и других отраслях современной техники, преобразивший информационный мир за короткое время, непосредственно связан с развитием тонкопленочных технологий. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/1589