ИССЛЕДОВАНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ КОРРОЗИИ SiC-ПОКРЫТИЯ НА ГРАФИТЕ (original) (raw)

ТЕОРЕТИЧНЕ ОЦІНЮВАННЯ РОБОЧОГО ТИСКУ ГАРМАТ ВИСОКОВОЛЬТНОГО ТЛІЮЧОГО РОЗРЯДУ ДЛЯВИКОРИСТАННЯ В ЕЛЕКТРОННО-ПРОМЕНЕВІЙ ТЕХНОЛОГІЇ ЗВАРЮВАННЯ МЕТАЛЕВИХ ВИРОБІВ

Applied Questions of Mathematical Modeling, 2021

У статті проведений порівняльний аналіз методів аналітичного та чисельного розрахунку глибини зварювального шва металевих виробів за умови здійснення зварювання у низькому вакуумі електронним пучком, який формується гарматою високовольтного тліючого розряду. Показано, що хоча аналітичний метод розрахунку є простим та зручним, але, у разі його використання, розрахункові залежності правильно відображають динаміку зміни глибини шва лише у разі малих тисків та високої прискорювальної напруги. У даному випадку проблема забезпечення точності та адекватності аналітичних розрахунків за простими співвідношеннями насамперед пов’язана з тим, що не враховується залежність діаметра електронного пучка в фокусі від його струму. Запропонований чисельний метод розрахунку дозволяє оцінювати глибину шва в значно більш широкому діапазоні робочих тисків електронної гармати. Для розрахунку глибини зварювального шва були використані відомі прості аналітичні залежності, які дозволяють обчислити глибину про...

Силициум Карбид (Silicon Carbide SiC)

2021

Силициум карбид (познат и како Карборундум) е важна безоксидна керамика со разновидна индустриска примена. Поседува извонредни особини како висока јакост и тврдост, хемиска и температурна стабилност, висока точка на топење, отпорност на оксидација и ерозија итн. Сите овие карактеристики го прават силициум карбидот погоден за електронски уреди со голема моќност и висока температура, како и за абразивна примена и сечење, и токму тој семикондуктер кој се избира за примена во сурови средини (изложеност на висока радијација, на високи температури и во корозивни услови).

Влияние интеркалированного водорода на электронное состояние квазисвободного графена на подложке SiC

Журнал технической физики, 2017

Для оценки роли интеркалированного водорода в допировании квазисвободного эпитаксиального графена рассмотрены две системы: (i) графен−NH-SiC{0001} и (ii) графен−монослой водорода−NH-SiC{0001}, где N = 4, 6. В случае (i) смещение точки Дирака эпитаксиального графена вызывается электростатическим полем спонтанной поляризации подложки, в случае (ii)-полем двойного электрического слоя, возникающего вследствие адсорбции атомов водорода. Показано, что во втором случае по сравнению с первым концентрация дырок в графене увеличивается, а концентрация электронов уменьшается, что соответствует имеющимся экспериментальным данным.