‫ﺍﻟﻔﻌﺎﻟﺔ‬ ‫ﻭﺍﻟﻌﻨﺎﺻﺮ‬ ‫ﺍﳉﺪﻳﺪﺓ‬ ‫ﺍﳌﻮﺍﺩ‬ ‫ﺣﻮﻝ‬ ‫ﺍﻷﻭﻝ‬ ‫ﺍﻟﺪﻭﱄ‬ ‫ﺍﳌﺆﲤﺮExtraction des paramètres importants d'une diode au silicium utilisée comme détecteur de particules (original) (raw)

Abstract

La caractéristique capacité-tension (C-V) et la résistivité (ρ) d’une structure p+nn+ au silicium, utilisée comme détecteur de particules travaillant dans un environnement hostile et soumis à de fortes fluences, est simulé numériquement en utilisant la méthode des différences finies. Ces caractéristiques permettent d'extraire les paramètres importants et utiles pour la conception d'une diode utilisée comme détecteur, tels que la tension de déplétion (Vdep), la concentration effective, la résistivité maximale, le taux de réduction des donneurs (c) et le taux d'introduction de défauts (g). Lorsque cette jonction est soumise à des fortes radiations, des défauts structuraux sont créés qui ont des effets indésirables et peuvent dégrader les performances des détecteurs. Ces défauts se manifestent comme des pièges profonds et/ou des centres de génération-recombinaison (g-r). La tension de déplétion et la concentration effective ont été calculées en utilisant la caractéristique ...

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