Propri�t�s �lectriques d'h�t�rostructures a-GaAs/c-GaAs(n) et de structures de type MIS a-GaAsN/c-GaAs(n) (original) (raw)

Caractérisations Electriques des Hétérostructures à base d’InP nitruré

2009

Dans une deuxième partie de ce dernier chapitre, nous présentons les résultats de caractérisations électriques obtenus pour différentes structures nitrurées ceci afin d'extraire les différents paramètres électriques de ces dispositifs. Ces résultats sont commentés par des interprétations et par une corrélation entre les résultats électriques et surfaciques.

PROPRIÉTES MAGNÉTIQUES ET STRUCTURES MAGNÉTIQUES DES COMPOSÉS TbGe 0,2 Si 0,8 , HoSi, Er Si ET TmSi DU TYPE CrB

Le Journal de Physique Colloques, 1971

• Les composés TGa 2 de type AIB2 ont une structure hexagonale simple. Des mesures d'aimantation dans des champs atteignant 90 kOe et à des températures comprises entre 1,5 et 300 °K montrent le comportement métamagnétique de ces composés au-dessous de leur température de Néel. Nous avons étudié la configuration magnétique des moments des atomes de terre rare par diffraction neutronique, à 4,2 °K dans les composés HoGa2 et DyGa2. Les raies de diffraction s'indexent dans la maille double orthohexagonale. Les moments magnétiques ont un arrangement colinéaire et sont situés dans le plan de base : ceux d'holmium sont parallèles à l'axe a de la maille et valent 9,5 + 0,5 MB ;ceux du dysprosium sont parallèles à l'axe b et valent 7,55 ± 0,5 un-Ces structures magnétiques rendent compte des comportements antiferromagnétiques observés. Abstract.-The structure of the TGa2 compounds of AIB2 type is hexagonal. Magnetic measurements have been made in fields up to 90 kOe at temperatures ranging from 1.5 to 300 °K. The compounds are metamagnetic below their Neel temperature. Neutron diffraction patterns were obtained at 4.2 °K for the DyGa2 and HoGa2 compounds. The magnetic reflections are indexed in the orthohexagonal double cell. The configuration of the magnetic moments is collinear in the basal plane. The holmium moments are parallel to the a-axis with a value of 9.5 ± 0.5 /IB-The dysprosium moments are parallel to the b-axis with a value of 7.55 ± 0.5 fi-a. These magnetic structures account for the observed antiferromagnetic behaviour of the compounds.

Dislocations d'interface et défauts de volume dans l'hétérostructure GaSb/GaAs

Revue de Physique Appliquée, 1990

2014 Du GaSb a été déposé sur du GaAs par épitaxie par jets moléculaires à 470 °C. A cette température la croissance est tridimensionnelle dans les premiers stades de l'épitaxie. Après coalescence des îlots de GaSb, la croissance devient bidimensionnelle. Les dislocations liées au désaccord paramétrique de 8 % sont toutes de type Lomer. Elles sont organisées en réseau périodique à deux dimensions. La très faible densité de défauts expérimentalement observée est liée au nombre réduit d'imperfections qui existent au niveau du système de dislocations d'interface. Abstract. 2014 GaSb on GaAs has been grown by Molecular Beam Epitaxy at 470 °C. At this temperature a 3dimensional growth mode occurs at the first stage of the epitaxy. After GaSb island coalescence the growth As et Sb. Elle est équipée d'un dispositif de diffrac